Патенты с меткой «cualte2»

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Шелег Александр Устинович, Соболь Валерий Романович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: соединения, структурой, полупроводникового, способ, халькопирита, cualte2, получения

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Номер патента: 10868

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 29/10, C01B 19/00

Метки: соединения, cualte2, синтеза, шихта, полупроводникового

Текст:

...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...