C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01B 25/08, C30B 23/00, C30B 29/10...

Метки: получения, монокристаллов, оптической, прочности, способ, модификации, дифосфида, кадмия, повышенной, тетрагональной

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Соболь Валерий Романович, Корзун Борис Васильевич, Мянзелен Руслан Равильевич, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/46

Метки: cual5s8, соединения, получения, способ

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Малышев Максим Леонидович, Маренкин Сергей Федорович, Изотов Александр Дмитриевич, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 21/02, C30B 29/10, C01G 45/00...

Метки: марганца, получения, антимонида, способ, монокристаллического

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Номер патента: 17946

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Якунин Александр Сергеевич, Мосунов Евгений Игоревич, Шишонок Елена Михайловна, Абдуллаев Олег Рауфович

МПК: C01B 21/064, C09K 11/77, C09K 11/63...

Метки: материал, нитрида, бора, кубического, основе

Текст:

.... Фотолюминесцентный (ФЛ) анализ микропорошковпоказал наличие зеленой ФЛ ионов 3, инкорпорированных в кристаллическую решетку , интенсивность которой увеличивалась с увеличением концентрацииот 0,05 до 0,1 ат. . Травление микропорошков в кипящей кислоте в течение 1 ч с последующей промывкой в дистиллированной воде не показало изменения структуры спектров ФЛ и изменения ее интенсивности при возбуждении лазерным излучением с 325 нм....

Номер патента: 18048

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Чобот Александра Николаевна, Терешко Нина Викторовна, Мантыцкая Ольга Станиславовна, Федотова Вера Васильевна, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: H01M 4/86, C30B 29/22

Метки: электродный, керамический, материал

Текст:

...ионы церия в соотношении, соответствующем химической формуле 0,25-0,753, где 00,12. Данное замещение вызывает локальные кристаллоструктурные искажения, происходит фазовое расслоение, препятствующее коагуляции частиц при подъеме температуры в процессе синтеза, что приводит к уменьшению размера зерна в среднем в 80-100 раз. На фиг. 1 представлена микроструктура состава 0,250,753, отожженного при 1200 С в течение 20 ч. Размер зерна составлял...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18, C23C 14/24, C30B 29/46...

Метки: тонких, способ, пленок, получения

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Номер патента: 17872

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Белый Дмитрий Иванович, Дробышевская Наталья Евгеньевна, Судник Лариса Владимировна, Подденежный Евгений Николаевич, Бойко Андрей Андреевич

МПК: C30B 29/28

Метки: получения, нелегированного, иттрий-алюминиевого, способ, граната, или, легированного, микрокристаллического

Текст:

...задача достигается способом получения микрокристаллического порошка нелегированного или легированного иттрий-алюминиевого граната, при котором проводят механохимическую обработку методом мокрого помола с дистиллированной водой смеси исходных реагентов, содержащей оксихлорид иттрия 1, промышленный бемит - алюминия оксигидроокись составав стехиометрическом соотношении и при необходимости оксихлорид церия или оксихлорид неодима,...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Желудкевич Александр Ларионович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18

Метки: твердых, полупроводниковых, растворов, получения, способ

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Номер патента: 17414

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Лобановский Леонид Сергеевич

МПК: C04B 35/50, C04B 35/32, C04B 35/626...

Метки: получения, кобальтита, ndbaco2o5,72, неодима-бария, поликристаллического, способ

Текст:

...до 95010 С, выдерживают 12020 мин, охлаждают со скоростью 10010 С/мин до комнатной температуры. Сущность изобретения состоит в том, что получение поликристаллического кобальтита неодима-бария в соответствии с предлагаемым способом осуществляют в течение одного этапа нагревания-охлаждения. Для получения кобальтита неодима-бария используют исходные компоненты - оксиды кобальта и неодима и карбонат бария. Путем растворения исходных...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...

Метки: кремния, монокристаллического, формирования, соединений, полупроводниковых, или, aііbvі, бинарных, групп, пленок, подложках, способ, aіvbvі

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: U 9126

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич, Кашевич Ирина Федоровна

МПК: C30B 7/04

Метки: выращивания, устройство, кристаллов

Текст:

...по составу кристаллизующимися жидкостями. При этом один отвод крана соединен со входом насоса, а два других - с трубками, помещенными в кристаллизующиеся жидкости. Программное управление обеспечивает работу насоса и механизма поворота крана и воронки по определенному алгоритму. Сопоставительный анализ предлагаемого устройства с прототипом показывает, что оно отличается от прототипа введением воронки, трехходового крана, механизма поворота...

Номер патента: 16930

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C30B 29/16, C23C 18/16

Метки: слоев, формирования, цинка, способ, оксида, кристаллического

Текст:

...стекло, сапфир, ситалл, керамика и другие, напыляют слой алюминия толщиной 0,1-2 мкм. Максимальная толщина слоя алюминия ограничена адгезией к материалу подложки и предельными механическими напряжениями. Минимальная толщина слоя алюминия выбирается исходя из необходимости либо полного преобразования металлического слоя в слой оксида цинка, либо частичного преобразования. Во втором случае непреобразованная часть слоя алюминия может служить в...

Номер патента: 16848

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Лугинец Александр Михайлович, Конойко Алексей Иванович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна

МПК: C30B 9/12, C30B 15/36, C30B 29/14...

Метки: калия, выращивания, способ, титанил-фосфата, монокристаллов

Текст:

...монокристаллов титанил-фосфата калия больших размеров и высокого оптического качества. Поставленная задача решается способом выращивания монокристалла титанилфосфата калия, в котором на монокристаллической затравке, основание которой ориентировано в плоскости (100), формируют боковые грани в плоскостях (1 1 0), (110), (20 1 ) и(201), затравку медленно опускают в состоящий из кристаллообразующих окислов и растворителя 6413 раствор-расплав,...

Номер патента: 16825

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Галиевский Виктор Антонович, Сташевский Александр Сергеевич

МПК: C09K 11/06, A61K 31/409, A61K 47/02...

Метки: способ, гибридного, фотосенсибилизатора, получения

Текст:

...На фигуре представлены ИК Фурье-спектры порошка пористого кремния (кривая 1),порошка пористого кремния после выдерживания в растворе порфирина 5,10,15,20 тетрафенилпорфирина (кривая 2) и после последующего облучения образца с порфирином в течение 45 минут светом ксеноновой лампы (кривая 3). Способ реализуется следующим образом. Поликристаллический порошок кремния со средним размером зерен около 5 мкм помещают в раствор для химического...

Номер патента: 16493

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Рыжковский Владимир Михайлович, Говор Геннадий Антонович, Митюк Виктор Иосифович

МПК: C01G 45/00, H01F 1/01, C30B 29/10...

Метки: магнитных, марганца, материал, монокристаллов, основе, рефрижераторов, арсенида

Текст:

...фазового состава были измерены дифрактограммы визлучении на порошковых образцах. Анализ дифрактограмм показал, что образцы являются однофазными. Предварительная ориентация кристаллов, заключающаяся в определении осей легкого и трудного намагничивания, производилась в магнитном поле. После предварительного ориентирования монокристаллов в магнитном поле плоскости легкого и трудного намагничивания выводились рентгеновским методом с точностью в...

Номер патента: 16320

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Рыжковский Владимир Михайлович, Митюк Виктор Иосифович, Ткаченко Тамара Михайловна

МПК: H01F 1/01, C01G 45/00, C30B 29/10...

Метки: материал, магнитный

Текст:

...структуру типа 8 с более высокой температурой магнитного фазового перехода по сравнению с материалом-прототипом. Пример. Получение магнитного материала 1,10,10,9. Замещение сурьмы кремнием в исходном материале проводили из расчета формулы 1,10,10,9. Брали исходную смесь порошков ,ив пропорции 1,10,10,9 грамм-моль. Все исходные реактивы (, , ) имели чистоту 99,99 . Синтез материала был проведен по известной схеме получения соединений со...

Номер патента: 16317

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Рыжковский Владимир Михайлович, Ткаченко Тамара Михайловна

МПК: H01F 1/01, C30B 29/10, C01G 45/00...

Метки: марганца, материал, магнитный, антимонида, основе

Текст:

...24 часов) гомогенной смеси исходных компонентов, взятых в заданных весовых соотношениях, в откачанных до 10-3 мм. рт. ст. кварцевых ампулах до температуры сплавления 900-950 С. 2. Сплавление при 900-950 С в течение 4 часов. 3. Охлаждение в течение нескольких часов от 950 С до 840-860 С (температура образования в системе фазы типа 8). 4. Отжиг при 840-860 С в течение 24 часов. Закалка от отж в воду со льдом. Все исходные реактивы (, , )...

Номер патента: 16118

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сенють Владимир Тадеушевич, Жорник Виктор Иванович, Маркова Людмила Владимировна, Витязь Петр Александрович

МПК: C30B 29/04, B01J 3/06

Метки: получения, материала, сверхтвердого, поликристаллического, способ, наноалмазов, основе

Текст:

...соединений, химически и физически адсорбированной воды, которые препятствуют уплотнению порошка при прессованиии и термобарическом спекании. При давлении вакуумного отжига выше 1,3310-9 ГПа и длительности отжига менее 0,5 ч не происходит достаточно полной десорбции кислородсодержащих соединений с поверхности порошка. Кроме того, при указанном давлении отжига также происходит окисление наноалмазов из-за присутствия остаточного...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна, Якимович Владимир Никифорович, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 29/48, C30B 23/00

Метки: кристаллов, цинка, обработки, способ, термической, выращивания, шихты, селенида

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Желудкевич Александр Ларионович, Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/46

Метки: полупроводниковый, материал

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 23/06, G02B 1/10, C30B 29/48...

Метки: кремнии, выращивания, пленок, селенида, пористом, способ, цинка, эпитаксиальных

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Номер патента: 15704

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Игнатенко Олег Владимирович, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: C01B 21/064, B01J 3/06, C01B 31/06...

Метки: материала, способ, сверхтвердого, получения

Текст:

...мелкозернистой микроструктурой, обладающий повышенными физико-механическими свойствами. Этому же способствует присутствие дисперсноупрочняющей фазы частиц алмаза в композитах на основе кубического нитрида бора при преимущественном содержании в исходной шихте гексагонального нитрида бора или частиц кубического нитрида бора в композитах на основе алмаза при преимущественном содержании в исходной шихте графита. Предлагаемый способ позволяет...

Номер патента: 15410

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ХААСС, Франк

МПК: C30B 29/46, H01L 35/16

Метки: свинца, теллуриды, легированные, применения, термоэлектрического

Текст:

...дробление материала, полученного на этапе (1)(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3). Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье. Еще одним...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Гременок Валерий Феликсович, Унучек Денис Николаевич, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18, C23C 28/00, C30B 29/46...

Метки: способ, структуры, элементов, тонкопленочной, получения, основе, солнечных

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01G 28/00, C30B 29/10, H01F 1/40...

Метки: материала, получения, способ, магнитного, полупроводникового

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C30B 29/10, C01B 25/08, H01F 1/40...

Метки: материала, получения, полупроводникового, способ, магнитного

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Номер патента: 15329

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Бушинский Максим Владиславович

МПК: C01G 29/00, C30B 29/22, C04B 35/26...

Метки: оксида, пьезоэлектрический, материал, основе, висмута

Текст:

...параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). На фиг. 2 представлены результаты измерения при комнатной температуре линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,860,140,103,отожженного при 250 С в течение 30 мин. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе феррита висмута при частичном замещении трехвалентных ионов висмута двухвалентными ионами кальция возникают...

Номер патента: 15237

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Мантыцкая Ольга Станиславовна, Шаповалова Елена Федоровна, Чобот Александра Николаевна

МПК: C01G 29/00, C30B 29/22, C04B 35/26...

Метки: висмута, материал, феррита, пьезоэлектрический, основе

Текст:

...линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0.82180,910,093 при комнатной температуре. Величина 33 превышает 40 / при напряжении до 10 В. На фиг. 4 представлены результаты измерения линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,81190.9050,0953 при комнатной температуре. Величина 33 составляет около 30 / при напряжении до 10 В. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 29/10, C30B 23/06, C01G 28/00...

Метки: гетероструктуры, полупроводниковых, способ, материалов, основе, получения

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кулешов Николай Васильевич, Лугинец Александр Михайлович, Мащенко Александр Георгиевич, Колесова Ирина Михайловна, Кравцов Андрей Валерьевич, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 29/28, C30B 19/02

Метки: выращивания, пленок, монокристаллических, способ, y3al5o12:yb3+

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Номер патента: 14982

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна, Игнатенко Олег Владимирович

МПК: C01B 21/064, B01J 3/06, C30B 29/38...

Метки: бора, нитрида, способ, получения, кубического, поликристаллов

Текст:

...будет поляризоваться, возникающая при этом разность потенциалов может достигать нескольких киловольт. При не очень больших температурах на начальных стадиях превращения ПНБ-Р,Г в плотные модификации, процесс идет при наличии электрического поля в образце, что, по-видимому, позволяет увеличить поляризацию получаемых поликристаллов. Нагрев исходной заготовки осуществляется в две стадии. Сначала до 2400 К со скоростью, не превышающей 600 К/с,...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Кривчик Петр Петрович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Мышук Виктор Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: эпитаксиальных, способ, изготовления, кремниевых, структур

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01L 27/00, C30B 29/32, C30B 23/06...

Метки: получения, способ, пленок, baxsr1-xtio3, наноразмерных

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Соболь Валерий Романович, Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: соединения, полупроводникового, способ, халькопирита, cualte2, получения, структурой

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Номер патента: 14779

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Хотченкова Татьяна Георгиевна, Малашкевич Георгий Ефимович, Гришкова Елена Ивановна, Добродей Александр Олегович, Подденежный Евгений Николаевич

МПК: C30B 29/28, C01F 7/02, C01F 17/00...

Метки: способ, церием, порошка, наноструктурированного, получения, граната, легированного, иттрий-алюминиевого

Текст:

...С и выше(900 С - 6 ч, 1000 С - 2 ч или более). Размол полученного порошка в аттриторе в течение 2-х часов приводит к получению продукта с размером частиц 0,55 мкм. Недостатками процесса является необходимость длительного размола получаемого спека в аттриторе и невозможность получения порошка иттрий-алюминиевого граната нанометрового размера. Наиболее близким к заявляемому является способ получения порошка иттрий-алюминиевого граната с...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/10

Метки: получения, способ, тонких, пленок, олова, сульфоселенида

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 14280

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Барило Сергей Николаевич, Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич

МПК: C30B 29/10, C30B 17/00, C30B 9/00...

Метки: монокристаллов, lamno3+, манганита, выращивания, лантана, способ

Текст:

...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...

Номер патента: 14218

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/10...

Метки: термостабильного, получения, шихта, структурой, перовскита, соединения, висмута, основе, феррита

Текст:

...основе оксидов висмута, магния и ниобия. При введении в шихту, состоящую из оксидов висмута и железа, дополнительно оксидов магния и ниобия в соотношении, соответствующем формуле (2/31/3)3, выше предела растворимости (2/31/3)3 в перовскитной кристаллической решетке феррита висмута в конечном продукте образуются дополнительные фазы на основе висмута магния и ниобия с флюоритоподобной кристаллической структурой (или) со структурой пирохлора....

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C30B 23/00, C01B 25/00

Метки: кадмия, способ, монокристаллов, получения, игольчатых, фосфида

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Номер патента: 13989

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ковалевский Виктор Николаевич, Жук Андрей Евгеньевич, Григорьев Сергей Владимирович, Гордеев Сергей Константинович, Ковалевская Анна Викторовна, Корчагина Светлана Борисовна

МПК: B82B 3/00, B22F 3/08, C30B 29/10...

Метки: получения, изделия, поликристаллического, способ

Текст:

...кремния, в качестве алмазных кристаллов используют ультрадисперсные алмазы с размерами частиц 20-90 нм, кроме того, термообработанную в условиях, обеспечивающих удаление связки, заготовку вакуумируют, уплотняют взрывом и подвергают термобарическому спеканию, а на поверхность ультрадисперсных алмазов путем магнетронного распыления кремния наносят покрытие толщиной 10-20 нм. Заявляемый способ обеспечивает получение пористого...