C30B 13/00 — Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой

Номер патента: 10885

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 13/00, C30B 35/00, C30B 27/00...

Метки: плавающей, зоны, способ, выращивания, монокристалла, методом

Текст:

...к основной и дополнительной жидкости, а индекс 12 относится к границе раздела жидкостей. Рассмотрено также влияние продольного и поперечного постоянного магнитного поля на течение и тепломассоперенос. В патентах Японии 01282184 , МПК С 30 В 15/00,01 21/208, 1989 и 11180798 ,МПК 30 29/06,30 13/30,01 21/208, 1999, - поперечное или продольное магнитное поле предлагается использовать для снижения скорости движения расплава. В патенте США...

Номер патента: 10056

Опубликовано: 30.12.2007

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 13/00, C30B 30/00

Метки: плавающей, устройство, зоны, способ, методом, выращивания, кристалла

Текст:

...ИФЖ. - 2004. - Т. 77. -2. - С. 83-92, - было показано, что стоячие поверхностные волны сильно влияют на структуру течения в жидкой зоне и тепломассоперенос при выращивании кристаллов методом плавающей зоны. Для создания искомого положительного эффекта частота прикладываемой вибрации выбирается таким образом, чтобы на свободной поверхности жидкой зоны укладывалось нужное число периодов стоячей волны. Число периодов инерционно-капиллярных...