Фадеева Елена Александровна

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович, Фадеева Елена Александровна

МПК: C01B 19/00, C30B 29/46

Метки: соединения, получения, полупроводникового, cualte2, структурой, халькопирита, способ

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Номер патента: 11152

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C01F 7/00, C01G 3/12, C01B 17/00...

Метки: cual5s8, шихта, соединения, синтеза, полупроводникового

Текст:

...синтеза полупроводникового соединения 58 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0,0417 - 0,01710,37500,01020,58330,0069, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2)0,10(А 123)0,90, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2)0,497(А 123)0,503 образуется при кристаллизации полупроводникового соединения 58 из расплава...

Номер патента: 10868

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/10, C01B 19/00

Метки: синтеза, cualte2, полупроводникового, соединения, шихта

Текст:

...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...

Номер патента: 10533

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 35/00

Метки: соединений, синтеза, устройство, тройных, полупроводниковых

Текст:

...стенками труб разного диаметра. Предлагаемое устройство является простым по исполнению и имеет ряд преимуществ. Во-первых, оно позволяет благодаря раздельному размещению металлических и легколетучих компонентов синтезировать вещество в контролируемых условиях, когда исключается вероятность взрыва ампулы вследствие большого давления паров летучих компонентов при высоких температурах. Во-вторых, оно позволяет улучшить однородность...