C30B 11/00 — Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 11/00

Метки: диарсенида, способ, монокристалла, цинка, получения

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...