Фекешгази Иштван Винцеевич

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01B 25/08, C30B 29/10, C30B 23/00...

Метки: способ, повышенной, получения, тетрагональной, монокристаллов, кадмия, оптической, модификации, прочности, дифосфида

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Номер патента: 16496

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: G02F 1/01, G02B 5/30

Метки: излучения, поляризатор, спектра, ик-области, света, ближней

Текст:

...3,030 3,010 2,973 2,960 2,947 2,943 2,940 2,937 2,935 2,930 2,920 2,920 0 0,738 0,742 0,744 0,748 0,751 0,753 0,754 0,755 0,756 0,757 0,758 0,759 0,760 0,761 е 3,000 2,960 2,940 2,920 2,900 2,890 2,880 2,870 2,873 2,868 2,863 2,858 2,853 2,848 е 0,751 0,756 0,758 0,760 0,761 0,762 0,763 0,764 0,765 0,766 0,767 0,768 0,769 0,770 Из приведенных в табл. 1 и на фиг. 1 сравнительных характеристик показателей преломления обыкновенного и...

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович, Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 11/00

Метки: монокристалла, цинка, способ, получения, диарсенида

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 23/00

Метки: дифосфида, модификации, тетрагональной, способ, кадмия, получения, монокристалла

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Мица Александр Владимирович

МПК: G02B 5/28, G02B 1/10

Метки: ахроматическое, модификации, оптического, дифосфида, тетрагональной, просветляющее, двухкомпонентное, покрытие, кадмия, элемента, монокристаллического

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...