C30B 35/00 — Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: U 6573

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич

МПК: C30B 35/00, C30B 7/00

Метки: устройство, выращивания, кристаллов

Текст:

...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...

Номер патента: U 5048

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: устройство, выращивания, кристаллов

Текст:

...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...

Номер патента: 10885

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 13/00, C30B 35/00, C30B 27/00...

Метки: способ, выращивания, зоны, плавающей, монокристалла, методом

Текст:

...к основной и дополнительной жидкости, а индекс 12 относится к границе раздела жидкостей. Рассмотрено также влияние продольного и поперечного постоянного магнитного поля на течение и тепломассоперенос. В патентах Японии 01282184 , МПК С 30 В 15/00,01 21/208, 1989 и 11180798 ,МПК 30 29/06,30 13/30,01 21/208, 1999, - поперечное или продольное магнитное поле предлагается использовать для снижения скорости движения расплава. В патенте США...

Номер патента: 10533

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 35/00

Метки: устройство, полупроводниковых, тройных, синтеза, соединений

Текст:

...стенками труб разного диаметра. Предлагаемое устройство является простым по исполнению и имеет ряд преимуществ. Во-первых, оно позволяет благодаря раздельному размещению металлических и легколетучих компонентов синтезировать вещество в контролируемых условиях, когда исключается вероятность взрыва ампулы вследствие большого давления паров летучих компонентов при высоких температурах. Во-вторых, оно позволяет улучшить однородность...