C01G 28/00 — Соединения мышьяка
Способ получения магнитного полупроводникового материала
Номер патента: 15345
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович
МПК: C30B 29/10, C01G 28/00, H01F 1/40...
Метки: полупроводникового, магнитного, способ, получения, материала
Текст:
...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...
Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов
Номер патента: 15120
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович
МПК: C30B 29/10, C01G 28/00, C30B 23/06...
Метки: гетероструктуры, получения, способ, материалов, основе, полупроводниковых
Текст:
...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...