Унучек Денис Николаевич
Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS
Номер патента: 15451
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович, Унучек Денис Николаевич, Иванов Василий Алексеевич
МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 28/00...
Метки: получения, основе, тонкопленочной, структуры, солнечных, способ, элементов
Текст:
...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...