Денисенко Михаил Фёдорович
Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую
Номер патента: 15176
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Сычик Василий Андреевич, Леонов Василий Севастьянович
МПК: H01L 31/04
Метки: солнечной, энергии, преобразователя, способ, изготовления, электрическую
Текст:
...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...
Преобразователь солнечной энергии в электрическую
Номер патента: 15175
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Сычик Василий Андреевич, Леонов Василий Севастьянович
МПК: H01L 31/04
Метки: преобразователь, энергии, солнечной, электрическую
Текст:
...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...