Паршуто Александр Александрович
Плата для монтажа электронных компонентов приборов
Номер патента: 18545
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Поболь Игорь Леонидович, Багаев Сергей Игоревич, Соколов Юрий Валентинович
МПК: H05K 1/05
Метки: монтажа, электронных, плата, компонентов, приборов
Текст:
...оксида алюминия 3 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения химической совместимости слоев 3 и 4 размещен интерфейс-слой 6 на основе оксидов переходных металлов тугоплавких группы 6, выполненный преимущественно на основе оксидов вольфрама, или рения, или титана, на котором для улучшения адгезии расположен металлический,инициирующий токопроводящий микрослой 4 (1,0-15 мкм), на котором размещен металлический...
Устройство для высоковольтного оксидирования изделий из алюминия и алюминиевых сплавов
Номер патента: U 9520
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Эрнстович, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Александрович, Соколов Юрий Валентинович
МПК: C25F 7/00
Метки: устройство, алюминиевых, сплавов, изделий, оксидирования, высоковольтного, алюминия
Текст:
...стационарного температурного поля, через которое производится электрохимический массоперенос материала покрытия на поверхность изделия. Для лучшего понимания устройства рассмотрим конкретный пример его исполнения со ссылками на фигуры, где фиг. 1 - общий вид в разрезе устройства для высоковольтного оксидирования изделий из алюминия и алюминиевых сплавов фиг. 2 - аксанометрический вид устройства. Устройство по фиг. 1, 2 для...
Конструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборов
Номер патента: U 8931
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Эрнстович, Томило Вячеслав Анатольевич, Багаев Сергей Игоревич, Соколов Юрий Валентинович, Паршуто Александр Александрович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич
МПК: H05K 3/28, C09D 163/00
Метки: конструкция, полупроводниковых, приборов, плат, заготовки, металлокомпозиционной
Текст:
...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...
Конструкция платы для полупроводниковых приборов
Номер патента: U 8380
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Поболь Игорь Леонидович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Соколов Юрий Валентинович, Багаев Сергей Игоревич, Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович
Метки: платы, приборов, конструкция, полупроводниковых
Текст:
...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...