Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/225

Метки: получения, твердых, бора, приборов, изготовлении, полупроводниковых, композиция, источников, пленкообразующая

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/263, H01L 21/322, H01L 21/26...

Метки: радиационной, кремниевых, способ, обработки, приборов, полупроводниковых

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/02, H01L 21/304, H01L 21/302...

Метки: изготовления, способ, пластин, полупроводниковых, кремния

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: геттером, кремниевых, способ, изготовления, полупроводниковых, структур

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Гранько Владимир Ильич, Сугакова Татьяна Евгеньевна

МПК: H01L 21/306

Метки: очистки, состав, поверхности, полупроводниковых, пластин

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...

Номер патента: 5616

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Матюшков Владимир Егорович, Самохвалов Валерий Константинович, Чухлиб Владимир Иванович, Стецик Виктор Михайлович, Колесников Вячеслав Михайлович

МПК: G01B 11/30, G01B 11/24

Метки: устройство, полупроводниковых, пластин, геометрических, параметров, контроля, интерференционного

Текст:

...- упрощение конструкции устройства Суть изобретения поясняется чертежом, где изображена оптическая схема предложенного устройства. Устройство содержит инжекционный полупроводниковый лазер 1 с широкой диаграммой направленности излучения, подключенный к источнику тока накачки 2, четвертьволновую пластину 3, первый объектив 4 для освещения в параллельном ходе лучей контролируемого объекта 11, расположенного перпендикулярно оптической оси...

Номер патента: 3985

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Алипчиков Сергей Михайлович, Галиев Рахимян Сафуанович, Галиева Жанетта Николаевна, Степаненко Валерий Николаевич, Щурин Валерий Николаевич

МПК: C01G 15/00, C22B 58/00

Метки: полупроводниковых, отходов, соединений, способ, а3в5, переработки, типа, производства, мелкодисперсных

Текст:

...105 до постоянного веса и подвергли термовакуумному разложению в режиме опыта 1-2. Результаты эксперимента представлены в табл. 2. Опыт 4. Фракцию опилок арсенида галлия 1,5 мм обрабатывали 5 -ным раствором азотной кислоты при 40 и ТЖ 13 в течение 20 мин., промывной раствор декантировали, осадок отмывали водой до нейтральной реакции, сушили до постоянного веса при 105 С и подвергали вакуум-термическому разложению в режиме опытов 1-2....

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Юшкевич Геннадий Иосифович, Бордодынов Александр Петрович

МПК: H01L 21/308

Метки: способ, интегральных, полупроводниковых, изготовления, схем

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Пилипенко Владимир Александрович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 21/324

Метки: создания, полупроводниковых, металлизации, интегральных, способ, приборов, схем

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Номер патента: 2146

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Калиберда Эмма Федоровна, Ковалевский Александр Адамович, Лях Николай Иванович

МПК: H01L 23/48

Метки: обработки, металлами, приборов, железо-никелевого, покрытием, выводной, микроэлектронных, рамки, способ, полупроводниковых, сплава, драгоценными

Текст:

...полученной смешиванием азотной и уксусной кислот в соотношении 37, введением 8 - 10 мл хлористо-водородной кислоты на 1 л смеси и растворения никеля металлического до его концентрации 0,05 - 5 г/л в совокупности указанных признаков, позволяют исключить наличие железа на поверхности выводной рамки под золочение или серебрение, тем самым исключив его диффузию в процессе сборочных операций, создать сплошной блестящий слой никеля химическим...

Номер патента: 1676

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Апанович Леонтий Васильевич, Фазлеев Ким Фахруллович, Верниковский Станислав Антонович

МПК: H01L 21/314

Метки: способ, структур, полупроводниковых, пассивирующего, создания, покрытия

Текст:

...5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе...

Номер патента: 1467

Опубликовано: 16.12.1996

Автор: Кужелев Валентин Иванович

МПК: H01L 21/30, H01L 21/00, H01G 13/04...

Метки: маркированных, приборов, полупроводниковых, устройство, сушки

Текст:

...одною механизма в прорези другого при повышенных рабочих скоростях механизмов.Основная задача изобретения - создание надежного в эксгшуатации устройства с расширенными функциональными возможностями.Поставленная задача достигается тем, что устройство содержит магнитную систему, формирующую по длине устройства однородное магнитное поле в плоскости перемещения приборов, а перемещение приборов осуществляется гладкой непрерывной лентой с...

Номер патента: 668

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Зеленин В. А., Кульгачев В. И., Ластовский С. Б., Лашицкий Э. К., Сенько С. Ф., Пилипенко В. А.

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, геттерирования, пластинах, способ, лазерного, примесей

Текст:

...заполнения линиями скольжения(КЗЛС) рабочей стороны в используемых режимах генерирования (например при мощности лазерных лучей 80 Вт, шаге сканирования 200 мкм) достигает 0,З-О,4. Это означает, что ЗО-4 О площади рабочей поверхности пластины становится усеянной дислокациями с плотностью до 105 см 2 . При таком качестве рабочей поверхности получить годные приборы практически невозможно.В основу изобретения положена задача создания способа...