Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, 111, ориентации, способ, полупроводниковых, кремния, изготовления

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 15078

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, ориентации, функционального, полупроводниковых, пластин, покрытия, способ, формирования, 111

Текст:

...были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное...

Номер патента: 15189

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: формирования, способ, полупроводниковых, кремниевых, пластинах, покрытия, 111, ориентации, функционального

Текст:

...первичного элемента окна или островка нитрида кремния принципиального значения не имеет. Важно, чтобы все вновь вписываемые элементы рисунка были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые островки не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе...

Номер патента: 15188

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, ориентации, покрытия, кремниевых, пластинах, полупроводниковых, формирования, 111, функционального

Текст:

...плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересе 5 15188 1 2011.12.30 чения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластины, акцепторных, изготовления, силовых, способ, кремниевые, диффузии, приборов, примесей

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластин, покрытие, кремниевых, геттерирующее

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Номер патента: U 6787

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Васильев Валерий Лукич, Гайдук Илья Леонидович, Цыбульская Людмила Сергеевна, Гаевская Татьяна Васильевна, Ковальчук Геннадий Филиппович

МПК: H01L 21/02, B28D 5/00

Метки: диск, полупроводниковых, пластин, разделения, корпусной, алмазосодержащий

Текст:

...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальном, полупроводниковых, времени, жизни, регулирования, способ, приборах, неосновных, кремнии, носителей, заряда

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...

Номер патента: U 6682

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, 001, полупроводниковых, функциональное, покрытие, кремниевых, ориентации

Текст:

...рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых...

Номер патента: U 6681

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, покрытие, 001, кремниевых, полупроводниковых, функциональное, ориентации

Текст:

...плоскостей скольжения, генерируемых вновь образован 5 66812010.10.30 ным элементом (окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных окон приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами...

Номер патента: U 6680

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: покрытие, ориентации, пластин, полупроводниковых, функциональное, кремниевых, 001

Текст:

...сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры вновь образованных элементов в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольже 5 66802010.10.30 ния, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких...

Номер патента: U 6679

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластин, покрытие, кремниевых, ориентации, 001, функциональное

Текст:

...элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генериру 5 66792010.10.30 емых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52

Метки: приборов, кремниевых, способ, изготовления, металлизации, системы, полупроводниковых

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: U 6452

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Алексеев Павел Владимирович, Губич Леонид Иосифович

МПК: B08B 3/00

Метки: пластин, изделий, установка, поверхности, полупроводниковых, очистки, преимущественно

Текст:

...планшайба для размещения очищаемой пластины установлена с возможностью вращения в горизонтальной плоскости на валу электродвигателя сопло подачи жидкости и/или газа установлено с возможностью углового перемещения относительно поверхности очищаемой пластины, снабжено нагревательным элементом. На фигуре представлен вид сбоку установки для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, в разрезе. Установка для очистки...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: разбраковки, кремниевых, структур, полупроводниковых, способ, диодных

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Номер патента: U 6346

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластин, функциональное, 111, кремниевых, покрытие, ориентации

Текст:

...Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии....

Номер патента: U 6345

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: покрытие, пластин, 111, функциональное, ориентации, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание разнотипных элементов-окон и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера,...

Номер патента: U 6344

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, 111, полупроводниковых, пластин, покрытие, функциональное, ориентации

Текст:

...только элементы нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов обоих материалов - нитрида и диоксида кремния - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры,...

Номер патента: U 6342

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: функциональное, кремниевых, 111, покрытие, полупроводниковых, ориентации, пластин

Текст:

...в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на 5 63422010.06.30 одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать так же, как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния....

Номер патента: 12883

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Бобученко Дмитрий Степанович, Доманевский Дмитрий Сергеевич, Хорунжий Игорь Анатольевич

МПК: H05K 7/20, H01L 23/34, F28D 15/04...

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, штыревой, охлаждения

Текст:

...перенос тепла от оснований штырьков к их торцам осуществлен с помощью встроенных в штырьки миниатюрных тепловых труб. На чертеже стрелками показано направление потока охлаждающей радиатор внешней среды, например воздушной. В радиаторе 1 внутрь каждого штырька 3 встроена миниатюрная тепловая труба 4,выполненная в виде герметически закрытого контейнера 5, из которого откачан воздух, а на внутренних стенках 6 контейнера 5 размещена...

Номер патента: 12211

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Гаевская Татьяна Васильевна, Цыбульская Людмила Сергеевна, Ковальчук Геннадий Филиппович, Гайдук Илья Леонидович, Антипов Михаил Николаевич, Васильев Валерий Лукич

МПК: H01L 21/02, B28D 5/00

Метки: пластин, алмазосодержащее, резки, корпусное, устройство, полупроводниковых

Текст:

...С и катодной плотности тока 2,0-3,0 А/дм 2 (фигура). Изготовление алмазосодержащего устройства для резки полупроводниковых пластин из кремния и материалов группы А 3 В 5 по данному изобретению включает следующие операции изготовление корпуса из сплава алюминия Д 16 электрохимическое осаждение тонкого слоя меди для обеспечения хорошего качества сцепления последующих нанесенных алмазосодержащих слоев электрохимическое осаждение внешнего...

Номер патента: 12088

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Руховец Владимир Васильевич, Васильева Ирина Владимировна, Батюшков Валентин Вениаминович, Покрышкин Владимир Иванович, Литвяков Сергей Борисович, Красковский Андрей Сергеевич, Титовец Сергей Николаевич

МПК: G02B 27/09, G02B 27/30

Метки: система, оптическая, суммирования, лазеров, излучения, полупроводниковых

Текст:

...друг другу до суммирующего компонента по ходу лучей. Суммирующий компонент может быть выполнен в виде призмы АР-90 и призмы ромб БС-0, склеенных между собой гипотенузными гранями, на одной из которых нанесено поляризационное покрытие. Оптические оси каналов до суммирующего компонента по ходу лучей параллельны между собой и перпендикулярны входным граням призм. Внутри суммирующего компонента оптические оси обоих каналов пересекаются...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: дестабилизирующим, полупроводниковых, отбраковки, ускоренной, способ, повышенной, параметров, воздействиям, приборов, чувствительностью

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, полупроводниковых, интегральных, получения, схем, источников, твердых, приборов, изготовлении, композиция

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: основе, отбраковки, полупроводниковых, кремния, радиационной, способ, приборов, стойкости

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Пуцята Владимир Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, многослойное, покрытие, высоковольтных, пассивирующее, полупроводниковых

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глоба Иван Иванович, Глоба Анастасия Ивановна, Жарская Тамара Александровна, Крутько Эльвира Тихоновна, Галиева Жаннета Николаевна

МПК: C08L 79/00

Метки: схем, интегральных, полупроводниковых, полиимидная, композиция, приборов, кристаллов, защиты

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Номер патента: 11206

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Каменев Анатолий Яковлевич, Куликов Иван Семенович, Климова Людмила Александровна

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, обработки, электролитно-плазменной, полупроводниковых, материалов

Текст:

...по предложенному способу (при указанных температуре, напряжении и электролите) невозможна из-за неустойчивости пароплазменной подушки, возникающей при обработке на поверхности кремния, вследствие чего имеет место быстрый локальный нагрев пластин до 250-700 С и их растрескивание. 2 11206 1 2008.10.30 Использование предложенного состава электролита не обеспечивает процесса полировки поверхности кремния, вследствие преобладания процесса ее...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кресло Сергей Михайлович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, полупроводниковых, акцепторных, кремниевые, приборов, изготовления, примесей, пластины, способ, диффузии

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: кремниевых, стойкости, способ, высоковольтных, отбраковки, радиационной, полупроводниковых, диодов

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, источников, бора, твердых, интегральных, способ, диффузии, приборов, микросхем, изготовлении

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, источников, создании, интегральных, бора, способ, изготовления, твердых, схем, планарных, полупроводниковых

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: высоковольтных, регулирования, способ, полупроводниковых, изготавливаемых, приборах, мощных, жизни, неосновных, быстродействующих, базе, носителей, кремния, ядернолегированного, заряда, времени

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Номер патента: 10533

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 35/00

Метки: устройство, соединений, синтеза, полупроводниковых, тройных

Текст:

...стенками труб разного диаметра. Предлагаемое устройство является простым по исполнению и имеет ряд преимуществ. Во-первых, оно позволяет благодаря раздельному размещению металлических и легколетучих компонентов синтезировать вещество в контролируемых условиях, когда исключается вероятность взрыва ампулы вследствие большого давления паров летучих компонентов при высоких температурах. Во-вторых, оно позволяет улучшить однородность...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 23/52...

Метки: металлизации, приборов, способ, системы, кремниевых, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: способ, основе, радиационной, стойкости, приборов, отбраковки, кремния, полупроводниковых

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: жизни, носителей, способ, времени, заряда, полупроводниковых, регулирования, быстродействующих, неосновных, изготовлении, приборов

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, источник, изготовления, диффузии, интегральных, твердый, приборов, планарный, схем, бора

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/00, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: приборов, система, полупроводниковых, пленочная, токопроводящая, кремниевых

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: металлизации, способ, системы, кремниевых, изготовления, полупроводниковых, приборов

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...