C23C 18/16 — восстановлением или замещением, т.е. неэлектролитическими способами покрытия
Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка
Номер патента: 16930
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович
МПК: C30B 29/16, C23C 18/16
Метки: слоев, формирования, кристаллического, оксида, способ, цинка
Текст:
...стекло, сапфир, ситалл, керамика и другие, напыляют слой алюминия толщиной 0,1-2 мкм. Максимальная толщина слоя алюминия ограничена адгезией к материалу подложки и предельными механическими напряжениями. Минимальная толщина слоя алюминия выбирается исходя из необходимости либо полного преобразования металлического слоя в слой оксида цинка, либо частичного преобразования. Во втором случае непреобразованная часть слоя алюминия может служить в...