Бушинский Максим Владиславович
Пьезоэлектрический материал на основе оксида висмута
Номер патента: 15329
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна
МПК: C30B 29/22, C04B 35/26, C01G 29/00...
Метки: материал, оксида, основе, пьезоэлектрический, висмута
Текст:
...параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). На фиг. 2 представлены результаты измерения при комнатной температуре линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,860,140,103,отожженного при 250 С в течение 30 мин. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе феррита висмута при частичном замещении трехвалентных ионов висмута двухвалентными ионами кальция возникают...
Способ получения каталитического материала
Номер патента: 14038
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Чобот Анна Николаевна, Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна
МПК: C04B 35/26, B01J 23/76
Метки: получения, каталитического, материала, способ
Текст:
...двигателях. Поставленная задача решается способом получения каталитического материала, состоящего из приготовления исходной шихты и обжига ее до получения сложного металлооксида со структурой перовскита. Новым, по мнению авторов, является то, что исходную шихту готовят из 611,3, 23 и 23, полученный после обжига сложный металлооксид восстанавливают в присутствии металлического тантала, вторично обжигают при 745-755 С и охлаждают со...
Магнитоэлектрический материал
Номер патента: 12053
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна
МПК: C04B 35/26, C04B 35/462
Метки: магнитоэлектрический, материал
Текст:
...задача решается путем получения магнитоэлектрического материала,содержащего , , О и имеющего орторомбически искаженную кристаллическую решетку. Новым, по мнению авторов, является то, что он дополнительно содержит Са ив соотношении, соответствующем химической формуле (1-)33, где 0,2 х 0,4. Сущность изобретения заключается в том, что в магнитоэлектрическом материале на основе феррита висмута введение катионов Са 3 в узлы 3,4 в позиции 3...
Способ получения магниторезистивного материала на основе манганита лантана с температурой Кюри выше комнатной
Номер патента: 10361
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна
МПК: C01G 45/00, C01F 17/00, C04B 35/50...
Метки: материала, кюри, способ, температурой, магниторезистивного, манганита, основе, комнатной, лантана, получения, выше
Текст:
...формулой(или Са, , , у 2-3,5), в котором КМС может достигать 200(абсолютная величина) при комнатной температуре в поле 6 Т, если тонкую пленку нагреть в окислительной атмосфере, обычно потоке кислорода. Температура термообработки 300850 С, длительность - 10-12 минут 3. Пленка обычно создается на подложке или держателе с буферным слоем. Материалами подложки могут служить , 3 и 3. По своей сущности этот способ наиболее близок к...