H01S 3/0941 — полупроводникового лазера, например инжекционного лазера
Способ определения суммарных потерь в активной области полупроводникового лазера
Номер патента: 17171
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Ушаков Дмитрий Владимирович, Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович
МПК: H01S 3/0941, H01S 3/08
Метки: потерь, полупроводникового, активной, области, определения, суммарных, способ, лазера
Текст:
...инв и пороговую плотность тока генерации ген полупроводникового лазера, имеет вид 1 генинв 1,п где п - коэффициент потерь в активной области лазера, -1 - коэффициент пропорциональности,1. Из приведенного выражения следует, что в идеальной по качеству активной области,коэффициент потерь которой равен нулю п 0, пороговый ток генерации ген будет равен пороговому току инверсии инв. Если качество активной области неидеально, т.е. суммарное...
Способ определения порогового тока генерации полупроводникового лазера
Номер патента: 16544
Опубликовано: 30.12.2012
Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович
МПК: H01S 3/08, H01S 3/0941
Метки: тока, лазера, определения, генерации, порогового, способ, полупроводникового
Текст:
...На фиг. 1 представлена функциональная схема, реализующая предлагаемый способ измерения порогового тока генерации полупроводникового лазера, а на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие его работу. Система содержит измеряемый полупроводниковый лазер 1, блок питания лазера 2, светоделитель 3, зеркало 4, первый анализатор 5,второй анализатор 6, первый фотоприемник 7, второй фотоприемник 8, дифференциальный усилитель 9, измерительный...
Способ определения порогового тока инверсии полупроводникового лазера
Номер патента: 11935
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович
МПК: H01S 3/0941, H01S 3/08
Метки: порогового, способ, определения, тока, инверсии, полупроводникового, лазера
Текст:
...обеспечивается согласованием спектра излучения,вводимого в активную область измеряемого лазера со спектром контура усиления активной области, за счет того, что для этого используется часть излучения, генерируемого в самой активной области. На фиг. 1 представлена функциональная схема, реализующая предлагаемый способ. Система содержит измеряемый полупроводниковый лазер 1, зеркало 2, фотоприемник 3,блок питания лазера 4, измерительный блок 5....