Буйкевич Александр Георгиевич

Номер патента: 10017

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Манак Иван Степанович, Буйкевич Александр Георгиевич, Колесников Вячеслав Михайлович

МПК: G01J 4/00

Метки: параметров, поляризационных, полупроводникового, устройство, лазера, определения, излучения

Текст:

...1 показана общая схема устройства измерения поляризационных характеристик излучения полупроводникового лазера. Излучение полупроводникового лазера 1 передается объективом-анаморфотом 2, исправляющим астигматизм в структуре исходного пучка излучения, в коллиматорный объектив 3,расширяющий и коллимирующий излучение до размеров, позволяющих обеспечить устойчивую работу поляризационного блока 4, особенностью которого является то, что в...