Стецик Виктор Михайлович

Номер патента: 18653

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Кугейко Михаил Михайлович, Стецик Виктор Михайлович, Лысенко Сергей Александрович

МПК: A61B 5/1455, G01N 21/00

Метки: гемоглобина, ткани, общего, концентрации, биологической, определения, способ

Текст:

..., карбоксигемоглобини метгемоглобин . Исходя из анализа спектров поглощения , 2,и 6, для определения концентрации общего гемоглобинавыбраны длины волн 1524 нм,2578 нм, 3662 нм (или 3773 нм). Длина волны 2 соответствует максимуму поглощения 2 (( 2 )0,22 г/л) и в то же время является изобестической точ 2 койи 2)(2)0,14 г/л). Причем даже при низком содержании 2 в крови, равном 60 , его поглощение в 2,3 раза превосходит суммарное поглоще 4...

Номер патента: 18652

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Лысенко Сергей Александрович, Стецик Виктор Михайлович, Кугейко Михаил Михайлович

МПК: G01N 21/00, A61B 5/1455

Метки: коже, человека, концентрации, абсолютной, билирубина, определения, способ

Текст:

...всех фотонов рассчитывается функция поверхностного распределения коэффициента направленного рассеяния, где- интенсивность излучения, выходящего из элементарной площадки на расстоянииот начала координат в телесном угле 2, описанном вокруг направления- поток излучения, падающего на среду в точке 0 в направлении нормали к ее поверхности. Для канала регистрации, расположенного на расстоянииот канала возбуждения, измеряемой величиной является...

Номер патента: 17171

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович, Ушаков Дмитрий Владимирович

МПК: H01S 3/08, H01S 3/0941

Метки: способ, полупроводникового, определения, потерь, области, суммарных, лазера, активной

Текст:

...инв и пороговую плотность тока генерации ген полупроводникового лазера, имеет вид 1 генинв 1,п где п - коэффициент потерь в активной области лазера, -1 - коэффициент пропорциональности,1. Из приведенного выражения следует, что в идеальной по качеству активной области,коэффициент потерь которой равен нулю п 0, пороговый ток генерации ген будет равен пороговому току инверсии инв. Если качество активной области неидеально, т.е. суммарное...

Номер патента: 16544

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/0941, H01S 3/08

Метки: полупроводникового, способ, генерации, определения, тока, порогового, лазера

Текст:

...На фиг. 1 представлена функциональная схема, реализующая предлагаемый способ измерения порогового тока генерации полупроводникового лазера, а на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие его работу. Система содержит измеряемый полупроводниковый лазер 1, блок питания лазера 2, светоделитель 3, зеркало 4, первый анализатор 5,второй анализатор 6, первый фотоприемник 7, второй фотоприемник 8, дифференциальный усилитель 9, измерительный...

Номер патента: U 7253

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/08

Метки: полупроводникового, работы, контроля, режима, одномодового, устройство, лазера

Текст:

...на фиг. 2 представлены диаграммы, поясняющие работу устройства. Устройство содержит полупроводниковый лазер 1, блок питания лазера 2,светоделитель 3, зеркало 4, линзу 5, анализатор 6, первый фотоприемник 7, второй фотоприемник 8, дифференциальный усилитель 9, измерительный блок 10. Устройство работает следующим образом. Ток накачки перестраиваемого полупроводникового лазера 1 регулируется блоком питания лазера 2. Излучение лазера 1 с...

Номер патента: 13951

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Казак Николай Станиславович, Фираго Владимир Александрович, Никонович Федор Никифорович, Старовойтов Владимир Сергеевич, Горелик Александр Владимирович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: G01N 21/00

Метки: оптико-акустический, газоанализатор

Текст:

...для непрерывного впуска и выпуска исследуемой газовой среды. Каналы расположены в боковых стенках 5 камеры 2. Точки 15 отображают места соединения с внутренней полостью камеры для каждого из каналов. Каждая точка расположена вблизи точки соприкосновения между внутренней поверхностью камеры, плоскостью, задаваемой оптической осью 7 и нормалью к внутренним плоским поверхностям окна 6, и узловой поверхностью 12 акустической моды 2. Диаметр...

Номер патента: 12908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Постоялко Игорь Иосифович, Козлов Владимир Леонидович, Самохвалов Валерий Константинович

МПК: H01S 03/08

Метки: способ, работы, контроля, одномодового, лазера, режима, полупроводникового

Текст:

...точность измерения системы контроля одномодового режима работы полупроводникового лазера. Предложенный способ поясняется чертежами, где на фиг. 1 представлена функциональная схема реализации способа на фиг. 2 приведена диаграмма, поясняющая ее работу. Суть способа контроля одномодового режима работы полупроводникового лазера заключается в следующем. Определяют ток накачки лазера, при котором длину волны генерации выбирают в середине участка...

Номер патента: 12531

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: G01P 3/36, G01P 5/00

Метки: доплеровского, оптическая, лазерного, измерителя, система

Текст:

...грани резонатора лазера излучения, используемого в качестве опорного сигнала для фотогетеродинирования, а линза установлена так, что ее фокус расположен на задней грани резонатора для обеспечения согласования волновых фронтов отраженного от объекта излучения и опорного сигнала. На фигуре представлена функциональная схема оптической системы лазерного доплеровского измерителя. Устройство содержит полупроводниковый лазер 1, линзу 2, гетеродинный...

Номер патента: 12411

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Фираго Владимир Александрович, Полонецкий Александр Леонидович, Стецик Виктор Михайлович, Старовойтов Владимир Сергеевич

МПК: G01N 21/00

Метки: оптико-акустический, сенсор

Текст:

...и мультиплексора обратно в ячейку. Свойство, появляющееся у заявляемого технического решения, - повышение чувствительности или крутизны преобразования газового сенсора за счет увеличения средней мощности излучения, проходящего через оптико-акустическую ячейку, что соответственно улучшает пороговую чувствительность определения концентрации контролируемого газового компонента. Сущность изобретения поясняют фиг. 1 и 2. На фиг. 1 приведена...

Номер патента: 11935

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/08, H01S 3/0941

Метки: полупроводникового, тока, порогового, способ, инверсии, лазера, определения

Текст:

...обеспечивается согласованием спектра излучения,вводимого в активную область измеряемого лазера со спектром контура усиления активной области, за счет того, что для этого используется часть излучения, генерируемого в самой активной области. На фиг. 1 представлена функциональная схема, реализующая предлагаемый способ. Система содержит измеряемый полупроводниковый лазер 1, зеркало 2, фотоприемник 3,блок питания лазера 4, измерительный блок 5....

Номер патента: 11971

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: G01J 5/00, G01K 11/00

Метки: температуры, определения, области, полупроводникового, активной, способ, лазера, изменения

Текст:

...5, где выделяется сигнал фазового рассогласования. 2 11971 1 2009.06.30 Известно, что протекание тока через активную область полупроводникового лазера вызывает повышение температуры активной области, что в свою очередь вызывает изменение длины волны (частоты) генерации лазера. Коэффициент К, определяющий величину девиации частоты излучения лазера в зависимости от температуры активной области,известен 1 и имеет значение, например, для лазерана...

Номер патента: 11199

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: G01P 5/00, G01P 3/36, G01H 9/00...

Метки: измерителя, лазерного, оптическая, система, доплеровского

Текст:

...от объекта излучения на фотоприемник, где осуществляется гетеродинное выделение доплеровского сигнала. На фигуре представлена функциональная схема оптической системы лазерного доплеровского измерителя. Устройство содержит источник лазерного излучения 1, первую линзу 2, гетеродинный фотоприемник 3, вторую линзу 4, измеряемый объект 5. Система работает следующим образом. Лазер 1 излучает оптическое излучение частотой . В качестве...

Номер патента: U 4585

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: H01S 3/08

Метки: измерения, лазера, излучения, полупроводникового, частоты, устройство, девиации

Текст:

...Сущность полезной модели поясняется с помощью фиг. 1 и фиг. 2. На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства, а на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие его работу. Устройство содержит полупроводниковый лазер 1, светоделитель 2,первое неподвижное зеркало 3, второе подвижное зеркало 4, фотоприемник 5, компаратор 6, счетчик 7, вычислительный блок 8, блок перемещения зеркала 9. 2 45852008.08.30 Устройство работает следующим...

Номер патента: 10240

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: G01H 9/00

Метки: способ, вибрации, измерения, амплитуды, частоты

Текст:

...гетеродинный фотоприемник 5,вычислительный блок 6. Система работает следующим образом. Лазер 2 излучает оптическое излучение частотой . Часть излучения отделяется светоделителем 3 и подается на гетеродинный фотоприемник 5 в качестве опорного сигнала для оптического гетеродинирования. Другая часть излучения лазера направляется к вибрирующей поверхности. В результате эффекта Доплера отраженное от вибрирующей поверхности излучение приобретает...

Номер патента: U 3886

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: G01P 5/00

Метки: доплеровского, лазерного, устройство, измерителя, приемно-передающее

Текст:

...достигается за счет того, что осуществляется автоматическая фокусировка второй линзы по максимуму амплитуды сигнала на выходе приемника излучения, что улучшает отношение сигнал/шум упрощение конструкции оптической схемы достигается вследствие исключения из нее зеркал кольцеобразователя и светоделительной пластины, что также значительно упрощает процесс юстировки. На фигуре представлена функциональная схема приемно-передающего устройства...

Номер патента: 5616

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Самохвалов Валерий Константинович, Стецик Виктор Михайлович, Матюшков Владимир Егорович, Чухлиб Владимир Иванович, Колесников Вячеслав Михайлович

МПК: G01B 11/30, G01B 11/24

Метки: контроля, интерференционного, пластин, полупроводниковых, геометрических, устройство, параметров

Текст:

...- упрощение конструкции устройства Суть изобретения поясняется чертежом, где изображена оптическая схема предложенного устройства. Устройство содержит инжекционный полупроводниковый лазер 1 с широкой диаграммой направленности излучения, подключенный к источнику тока накачки 2, четвертьволновую пластину 3, первый объектив 4 для освещения в параллельном ходе лучей контролируемого объекта 11, расположенного перпендикулярно оптической оси...