Ушаков Дмитрий Владимирович
Способ определения суммарных потерь в активной области полупроводникового лазера
Номер патента: 17171
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Ушаков Дмитрий Владимирович, Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович
МПК: H01S 3/0941, H01S 3/08
Метки: потерь, полупроводникового, определения, области, суммарных, способ, активной, лазера
Текст:
...инв и пороговую плотность тока генерации ген полупроводникового лазера, имеет вид 1 генинв 1,п где п - коэффициент потерь в активной области лазера, -1 - коэффициент пропорциональности,1. Из приведенного выражения следует, что в идеальной по качеству активной области,коэффициент потерь которой равен нулю п 0, пороговый ток генерации ген будет равен пороговому току инверсии инв. Если качество активной области неидеально, т.е. суммарное...
Устройство управления длиной волны излучения терагерцового полупроводникового лазера
Номер патента: U 7198
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Ушаков Дмитрий Владимирович, Козлов Владимир Леонидович
МПК: H01S 3/08
Метки: терагерцового, излучения, волны, полупроводникового, длиной, управления, лазера, устройство
Текст:
...использование двухчастотного полупроводникового лазера в качестве опорного излучателя и выделение разностной частоты из двух излучаемых им сигналов с помощью нелинейного кристалла дают сигнал терагерцового диапазона, обладающий более высокой стабильностью, чем выпускаемые терагерцовые лазеры. Сущность полезной модели поясняется с помощью чертежа, на котором представлена функциональная схема устройства управления длиной волны излучения...