Самохвалов Валерий Константинович

Номер патента: 12908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Постоялко Игорь Иосифович, Самохвалов Валерий Константинович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: H01S 03/08

Метки: режима, лазера, одномодового, контроля, полупроводникового, работы, способ

Текст:

...точность измерения системы контроля одномодового режима работы полупроводникового лазера. Предложенный способ поясняется чертежами, где на фиг. 1 представлена функциональная схема реализации способа на фиг. 2 приведена диаграмма, поясняющая ее работу. Суть способа контроля одномодового режима работы полупроводникового лазера заключается в следующем. Определяют ток накачки лазера, при котором длину волны генерации выбирают в середине участка...

Номер патента: U 3298

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Чухлиб Владимир Иванович, Самохвалов Валерий Константинович, Корнелюк Александр Иванович

МПК: G01B 11/06

Метки: устройство, пластин, толщины, бесконтактного, измерения

Текст:

...и повышение точности измерений толщины при наличии шероховатых поверхностей измеряемых пластин.Поставленная задача достигается тем, что устройство для бесконтактного измерения толщины пластин выполнено в виде двух идентичных детектирующих головок, подключенных к электронному блоку и расположенных по обе стороны измеряемой пластины,закрепленной в держателе, каждая из которых содержит первый объектив, оптически связанный системой зеркал с...

Номер патента: 5616

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Чухлиб Владимир Иванович, Матюшков Владимир Егорович, Стецик Виктор Михайлович, Самохвалов Валерий Константинович, Колесников Вячеслав Михайлович

МПК: G01B 11/24, G01B 11/30

Метки: полупроводниковых, геометрических, интерференционного, пластин, контроля, устройство, параметров

Текст:

...- упрощение конструкции устройства Суть изобретения поясняется чертежом, где изображена оптическая схема предложенного устройства. Устройство содержит инжекционный полупроводниковый лазер 1 с широкой диаграммой направленности излучения, подключенный к источнику тока накачки 2, четвертьволновую пластину 3, первый объектив 4 для освещения в параллельном ходе лучей контролируемого объекта 11, расположенного перпендикулярно оптической оси...