Подковщиков Николай Николаевич
Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора
Номер патента: 18283
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович
МПК: H01L 21/58, C23C 14/16
Метки: обратной, способ, металлизации, кристалла, полупроводникового, прибора, стороны, формирования
Текст:
...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...