H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 6285

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Поляков Вадим Витальевич, Скубилин Михаил Демьянович, Скубилин Игорь Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Метки: пирометр

Текст:

...и расстояниях между объектом, температура поверхности которого измеряется, и датчиками пирометра,повышение точности, исключение субъективизма в результатах измерения и снижение инерционности. Технический результат достигается тем, что в пирометр, содержащий вход, из прозрачного в рабочем спектральном диапазоне материала, оптической связи и датчик излучения нагретого тела, расположенный на оптической оси с входом, введены, взамен датчика...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Пеньков Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Ухов Виктор Анатольевич, Чигирь Григорий Григорьевич

МПК: H01L 21/66

Метки: измерения, пластины, глубины, кремниевой, поверхности, нарушенного, полупроводниковой, слоя, способ

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...

Номер патента: 6044

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Письменов Дмитрий Александрович, Скубилин Михаил Демьянович

МПК: G01J 5/58, H01L 21/66

Метки: дистанционного, измерения, способ, температуры

Текст:

...алгоритмическая сложность определения температуры и, как результат, значительная аппаратурная избыточность, низкая надежность в работе и значительная эксплуатационная сложность. Кроме того, известные способы бесконтактного измерения температуры и пирометры обладают общим недостатком, состоящим в критичности к углам визирования, расстоя 2 6044 1 нию от объекта до приемника излучений, неприменимостью для измерения температуры в широком, от...

Номер патента: 4853

Опубликовано: 30.12.2002

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: имплантации, способ, оптической, ионной, дозиметрии

Текст:

...калибровочные функции известного способа, взятого за прототип, для ионов мышьяка с энергией Е 50 кэВ (кривая 1) и фосфора с энергией Е 80 кэВ (кривая 2) при длине волны зондирующего излучения 632,8 нм. На фиг. 2 - зависимости показателя преломления нелегированного поликремния (кривая 3) и монокристаллического кремния (кривая 4) от длины волны зондирующего излучения. На фиг. 3 - зависимости коэффициента поглощения нелегированного...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/66, G01N 15/08

Метки: пористости, покрытий, способ, контроля, подложках, ашвv, полупроводников

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....

Номер патента: 1700

Опубликовано: 30.09.1997

Авторы: Покотило Юрий Мефодьевич, Уренев Валерий Иванович, Литвинов Валентин Вадимович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/35

Метки: заряда, концентрации, определения, свободных, носителей, способ, кремнии

Текст:

...р-типа (1) с удельным сопротивлением р 0,3 и 12 Ом.см и -типа (р 1 и 4,4 Ом.см) (2) от длины волны. На фиг.2 изображены профили распределения концентрации свободных носителей заряда вдоль оси роста слитков кремния типа КДБ-12 диаметром 100 (1) и 150 (2) мм. Для реализации неразрушающего метода определения концентрации свободных носителей заряда в предлагаемом способе измеряют отношение коэффициентов пропускания Т 1/Т 2 двух пучков...