Патенты с меткой «изготовления»

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремния, ориентации, полупроводниковых, способ, 001, изготовления, пластин

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15555

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Гольдаде Виктор Антонович, Дворник Александр Михайлович, Цветкова Елена Александровна, Пинчук Леонид Семенович, Бондаренко Павел Игоревич

МПК: C08J 3/075

Метки: поливинилового, изготовления, способ, криогеля, спирта

Текст:

...криогеля ПВС по критериям прочности и эластичности обеспечить экономию энергоресурсов в процессе получения криогеля ПВС. Поставленные задачи решаются тем, что известный способ получения криогеля ПВС,заключающийся в приготовлении раствора ПВС, замораживании его до температуры от 15 до 30 С, выдерживании в замороженном состоянии 1-24 ч, оттаивании и заключительной обработке криогеля, дополнен следующими новыми операциями. Водный раствор...

Номер патента: 15340

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Эмелло Галина Геннадьевна, Драпеза Андрей Анатольевич, Колесников Виталий Леонидович, Костюкевич Андрей Валентинович, Черная Наталья Викторовна

МПК: D21H 17/68, D21H 21/10, D21H 17/44...

Метки: картона, способ, изготовления, или, бумаги, удержания, системы, бинарной, применением

Текст:

...3 15340 1 2012.02.28 Допускается использование в качестве наполнителя бумажной массы бланфикса, бентонита, талька, двуокиси титана и карбоната кальция. В качестве первого компонента бинарной системы удержания используются полиакриламиды средней и сильной катионной активности (сополимеры акриламида с ,диэтиламиноэтил-метакрилатом и его четвертичной солью). Молекулярная масса таких полимеров составляет от 6 до 9 млн. г/моль, количество...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, H01L 33/00...

Метки: прозрачного, омического, контакта, нитрида, эпитаксиальному, способ, галлия, p-gan, слою, изготовления

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Номер патента: 15061

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Клушин Валерий Александрович, Овчинников Владимир Васильевич, Волочко Александр Тихонович, Изобелло Александр Юрьевич

МПК: B21D 53/18, F02F 3/16

Метки: охлаждающего, сгорания, поршня, двигателя, изготовления, внутреннего, способ, канала

Текст:

...канал формируется методом тепловой сборки, характеризующейся малой трудоемкостью. Причем тепловая сборка колец осуществляется с натягами в радиальном и осевом направлениях, что способствует надежному соединению двух колец и исключению возможности затекания алюминиевого расплава на стадиях алитирования и литья поршня. Натяг колец в радиальном и осевом направлениях менее 0,2 и 0,3 мм соответственно может привести к затеканию металла...

Номер патента: 15265

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Ефремов Василий Андреевич, Нелаев Владислав Викторович, Снитовский Юрий Павлович

МПК: H01L 21/331

Метки: способ, транзистора, изготовления

Текст:

...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...

Номер патента: 15206

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Баран Анатолий Александрович

МПК: B24D 5/14, B24D 18/00

Метки: изготовления, алмазосодержащего, инструмента, способ, абразивный, элемента, инструмент, абразивного

Текст:

...с известными вариантами послойного его изготовления, создавая при этом требуемый технический эффект - более легкую истираемость центральной зоны,испытывающей в процессе резания существенно меньшие силовые и тепловые нагрузки,чем боковые зоны абразивного элемента. Последние при предложенном способе изготовления имеют низкую пористость связки и более высокую концентрацию алмазов по сравнению с недоуплотненной центральной зоной, имеющей...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, преобразователя, солнечной, изготовления, энергии, способ

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: солнечного, термоэлектрического, способ, холодильника, изготовления

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: изготовления, термоэлектрического, холодильника, способ, солнечного

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Номер патента: U 7835

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Чирук Виталий Александрович, Омельянюк Олег Валерьевич, Есавкин Вячеслав Иванович, Есавкин Артур Эдуардович, Есавкин Сергей Вячеславович

МПК: B28B 1/44

Метки: бетонных, каналами, изделий, изготовления, устройство

Текст:

...модели является снижение энергозатрат, повышение качества изделий и расширение технических возможностей устройства. Технический результат достигается тем, что в устройстве для изготовления бетонных изделий с каналами, содержащем грузовую тягу с грузом, проходящую через блок, и прикрепленный к ней каналообразователь с конической насадкой и силовой установкой, каналообразователь снабжен кинематически связанными между собой электродвигателем...

Номер патента: 15285

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Велюго Юрий Владимирович, Марукович Александр Иванович, Сморыго Олег Львович, Леонов Андрей Николаевич, Дечко Михаил Михайлович

МПК: C04B 38/06

Метки: способ, изготовления, изделий, пенокерамики

Текст:

...по уравнению (1), исходя из средней плотности активированных ППУзаготовок этой подгруппы, позволяет снизить разброс изделий в партии по плотности, что положительно отражается на стабильности эксплуатационных параметров готовых изделий из пенокерамики. Кроме того, формула (1), являющаяся новым и существенным признаком предлагаемого способа, универсальна и позволяет управлять процессом формования пенокерамики различного состава, а...

Номер патента: 15284

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Марукович Александр Иванович, Ильющенко Александр Федорович, Микуцкий Виталий Анатольевич, Сморыго Олег Львович, Велюго Юрий Владимирович

МПК: A61L 27/58

Метки: способ, биорезорбируемого, пористого, материала, изготовления, имплантации

Текст:

...пор точно регулируется диаметром парафиновых гранул. Поры распределены по объему материала равномерно. Недостатком способа является необходимость использования в технологии растворителей пиридина, циклогексана и т.п. Использование токсичных растворителей требует проведения многоступенчатой продолжительной операции их удаления из конечного материала, которая может продолжаться до нескольких суток. Сушка при повышенных температурах для...

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, 111, изготовления, ориентации, способ, кремния, полупроводниковых

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, пластин, полупроводниковых, ориентации, способ, изготовления, кремния

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, полупроводниковых, ориентации, способ, 111, изготовления, пластин

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, кремния, способ, изготовления, полупроводниковых, пластин, 111

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 111, кремниевой, способ, эпитаксиальной, структуры, ориентации, изготовления

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевой, ориентации, изготовления, способ, 111, структуры, эпитаксиальной

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 001, способ, структуры, изготовления, кремниевой, эпитаксиальной, ориентации

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: изготовления, пластины, способ, кремниевой, ориентации, 111, полупроводниковой

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 15158

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Игнатович Людмила Владимировна, Шишов Андрей Витальевич, Шетько Сергей Васильевич

МПК: B27M 3/06, E04F 15/022

Метки: шпона, многослойных, досок, паркетных, способ, изготовления

Текст:

...или карбамидоформальдегидными смолами для получения паркетных досок с повышенными физико-механическими свойствами. Шпон лицевого слоя может быть пропитан прозрачными пропиточными меламиноформальдегидными или карбамидоформальдегидными смолами для получения паркетных досок с повышенными физико-механическими свойствами. Изобретение поясняется фигурами чертежей. На фиг. 1 изображена фанерная плита с лицевым слоем в виде полос. Пунктирными...

Номер патента: 14852

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Изобелло Александр Юрьевич, Овчинников Владимир Васильевич, Волочко Александр Тихонович, Клушин Валерий Александрович

МПК: F02F 5/00

Метки: канала, двигателя, сгорания, изготовления, способ, внутреннего, охлаждающего, поршня

Текст:

...способа критерию изобретательский уровень. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где фиг. 1 - сборочный чертеж армированной вставки поршня ДВС фиг. 2 - наружное кольцо армированной вставки фиг. 3 - разрезное внутреннее кольцо в исходном состоянии фиг. 4 - разрезное внутреннее кольцо, предварительно напряженное в радиальном направлении фиг. 5 - увеличенное изображение концов разрезного внутреннего кольца, совмещенных друг с другом...

Номер патента: 14784

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Пилипенко Владимир Митрофанович, Осипов Сергей Николаевич

МПК: F28D 15/00

Метки: изготовления, способ, теплообменнника

Текст:

...быть меньше, чем в горячем тракте. При использовании в качестве холодного теплоносителя жидкости с высокой теплопроводностью, например воды, слои (4) холодной части теплообменника можно оставлять свободными от заполнения высокопористым материалом с высокой удельной теплопроводностью. Для повышения интенсивности теплопередачи от теплоносителя к поверхности капилляра или канала необходимо использовать особенность начального участка...

Номер патента: 14857

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: КРОГМАНН, Йорг, КЛАССЕН, Йоханн

МПК: E04B 1/78, F16L 59/065

Метки: вакуумных, изоляционных, способ, изготовления, панелей

Текст:

...имеют функциональность от 2 до 8, в частности от 4 до 8. В частности в качестве полигидроксильных соединений используются простые полиэфирполиолы, которые получают известными способами, например анионной полимеризацией алкиленоксидов в присутствии гидроксидов щелочных металлов. В качестве алкиленоксидов используют чаще всего этиленоксид и 1,2-пропиленоксид. Алкиленоксиды могут применяться по отдельности, последовательно друг за другом или в...

Номер патента: U 7694

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Омельянюк Олег Валерьевич, Есавкин Сергей Вячеславович, Есавкин Артур Эдуардович, Есавкин Вячеслав Иванович, Чирук Виталий Александрович

МПК: B28B 1/44

Метки: изделий, каналами, изготовления, устройство, бетонных

Текст:

...слое при движении каналообразователя. Задачей настоящей полезной модели является снижение энергозатрат и повышение качества изделий. Технический результат достигается тем, что в устройстве для изготовления бетонных изделий с каналами, содержащих каретку, прикрепленный к ней на держателе-ноже каналообразователь, выполненный из корпуса с конической насадкой на переднем по ходу каретки конце, и уплотняющий каток, каналообразователь снабжен...

Номер патента: U 7615

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Аухеменя Александр Викторович, Трасковский Збигнев Михайлович, Савко Сергей Янович, Антипов Иван Николаевич, Рочев Олег Олегович

МПК: B21D 31/02, B21D 31/00

Метки: устройство, прокладок, крупногабаритных, технологической, изготовления, уплотнительных, оснастки

Текст:

...врезанию пуансоном и которые не затупляют последний. Однако прототип требует наличия специального прессового или станочного оборудования. Просечные работы осуществляются на пневмопрессах или кривошипных прессах. Следовательно, исключается возможность автономного использования устройства, в том числе и в полевых условиях, при ремонте уплотнительных соединений водяной и газовой арматуры и др. Решаемая полезной моделью задача характеризуется...

Номер патента: 14842

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Стаховская Нэлли Эмануиловна, Васильев Игорь Юрьевич, Гарнашевич Галина Степановна, Сергейчик Виктор Эдуардович, Брановец Анатолий Владимирович, Подлузский Евгений Яковлевич, Стаховский Алексей Владимирович

МПК: C08J 9/224

Метки: способ, изготовления, изделий, теплопроводности, пониженной, пенополистирольных

Текст:

...изделия проводят при температуре 90-100 С. При осуществлении способа изготовления пенополистирольных изделий пониженной теплопроводности используют следующие сырьевые материалы гранулы вспенивающегося полистирола производства ОАО Концерн Стирол,г. Горловка Донецкой обл., Украина, или ОАО Ангарский завод полимеров, Россия углерод технический - продукт промышленного производства в соответствии с ГОСТ 7885-86, представляющий собой аморфное...

Номер патента: 15019

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Дьячкова Лариса Николаевна, Волчек Анатолий Яковлевич, Глуховский Игорь Анатольевич

МПК: B22F 7/02, B22F 3/16, C22C 9/02...

Метки: изделия, слоистого, изготовления, способ, антифрикционного, композиционного

Текст:

...присоединения антифрикционного слоя к стальной основе. Техническая задача - повышение адгезионной прочности и триботехнических свойств антифрикционного слоя слоистого композиционного материала при снижении энергоемкости его изготовления. Поставленная техническая задача достигается тем, в способе изготовления слоистого композиционного антифрикционного изделия, включающем приготовление шихты антифрикционного слоя на основе меди, ее...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Ковальчук Наталья Станиславовна, Солодуха Виталий Александрович, Бармин Михаил Дмитриевич, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, способ, диода, изготовления

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Номер патента: 14841

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Дьячкова Лариса Николаевна, Воронецкая Леонора Яковлевна

МПК: C22C 9/01, B22F 3/26

Метки: состав, материала, антифрикционного, порошковых, изделий, изготовления, назначения, пропитки

Текст:

...стеарата цинка, графита и меди, дополнительно содержит ультрадисперсный порошок оксида алюминия с размером частиц 0,5-1,5 мкм при следующем соотношении компонентов, мас.алюминий - 0,5 железо - 5,0 стеарат цинка - 0,5 графит - 0,5 оксид алюминия - 3-7 медь - остальное. Экспериментально установлено, что введение в состав пропитывающего материала ультрадисперсного порошка оксида алюминия в количестве 3-7 обеспечивает повышение...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Кривчик Петр Петрович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: кремниевых, структур, способ, эпитаксиальных, изготовления

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Керенцев Анатолий Федорович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Зубович Анатолий Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/12

Метки: изготовления, мощного, прибора, способ, полупроводникового

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: структур, кремниевых, ориентации, эпитаксиальных, способ, изготовления, 111

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Лабан Эдуард Казимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/28, H01L 21/02...

Метки: изготовления, соединений, микросхемы, межэлементных, способ

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 14862

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Изобелло Александр Юрьевич, Овчинников Владимир Васильевич, Соколов Владимир Николаевич, Волочко Александр Тихонович, Клушин Валерий Александрович

МПК: F02F 3/16, F02F 5/00

Метки: сгорания, изготовления, внутреннего, поршня, двигателя, способ

Текст:

...счет утонения поперечного сечения при отбортовке. Армирующая вставка по фиг. 3 с охлаждающим каналом 2 включает внутреннее кольцо 3 с отбортованными и осаженными фланцами 4, 5 со степенью деформации 10-30 . 14862 1 2011.10.30 Толщина 1 фланцев 4, 5 в этом варианте исполнения армирующей вставки меньше толщины стенки внутреннего кольца . Армирующая вставка по фиг. 4 с охлаждающим каналом 2 включает внутреннее кольцо 3 с отбортованными фланцами...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевой, способ, 001, пластины, изготовления, полупроводниковой, ориентации

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Номер патента: 14975

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Иваницкий Денис Михайлович, Костенко Глеб Владимирович, Березнев Леонид Михайлович, Сидоренко Михаил Иванович, Король Владимир Андреевич, Исаевич Леонид Александрович, Сидоренко Андрей Николаевич

МПК: B21H 8/00, B21B 1/38

Метки: устройство, изделия, профилем, длине, изготовления, заготовки, переменным

Текст:

...известного устройства показал нестабильность теплового режима при работе, что приводит к преждевременному выходу из строя оправки и необходимости изготовления большого количества ее дублеров. Задачей изобретения является обеспечение возможности восстановления первоначальных размеров оправки после перешлифовки ее изношенных рабочих поверхностей,расширение технологических возможностей оправки, обеспечение оптимального теплового режима ее...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович, Сивец Василий Иосифович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: изготовления, способ, фотодиода

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Номер патента: 14722

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Корнейчик Анатолий Константинович, Шевчук Михаил Олегович, Овчинников Владимир Васильевич, Шишаков Евгений Павлович, Чернягов Андрей Мечиславович

МПК: B22C 1/20

Метки: литейных, получения, изготовления, связующего, способ, оснастке, стержней, нагреваемой

Текст:

...к его потерям. Дополнительное введение 5-15 фурфурилового спирта от массы олигомера позволяет снизить вязкость связующего, повысить его однородность и увеличить срок хранения. При снижении количества фурфурилового спирта менее 5 от массы олигомера его оказывается недостаточно для снижения вязкости до требуемых технологических показателей (30-70 с по вискозиметру ВЗ-246). При увеличении количества фурфурилового спирта более 15 от массы...