Патенты с меткой «датчиком»
Опора скольжения с электромагнитным датчиком износа
Номер патента: U 10059
Опубликовано: 30.04.2014
Автор: Скадорва Андрей Феликсович
МПК: F16D 66/00
Метки: электромагнитным, датчиком, скольжения, опора, износа
Текст:
...износа. Электрическая схема опоры скольжения с электромагнитным датчиком износа состоит из корпуса 1, внутри которого установлен стержень 2, выполненный из износостойкого металла. Внутри корпуса 1 также установлен контакт 3 в виде шайбы, который изолирован от корпуса диэлектрической прокладкой 4. На стержне 2 установлены контакт 5 и винтовой ограничитель 6 контакта, которым регулируется возможная величина износа а. Сверху контакт 5...
Педаль с датчиком угла поворота
Номер патента: U 4193
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Красневский Леонид Григорьевич, Ковенский Вячеслав Евгеньевич, Луцкий Василий Иванович, Шестопалов Сергей Иванович, Белевич Александр Владимирович
МПК: G05G 1/14
Метки: угла, датчиком, педаль, поворота
Текст:
...углом поворота педальной пластины в вертикальной плоскости. Данное устройство исключает механическую связь водителя с системой топливоподачи и не требует регулировки в процессе эксплуатации. К недостаткам конструкции относится заложенный в конструкции принцип задания режима работы за счет угла нажатия педали, что требует постоянного мышечного напряжения ноги для удержания заданного угла наклона стопы оператора в вертикальной плоскости....
Способ измерения напряженности магнитного поля магниторезистивным датчиком
Номер патента: 7944
Опубликовано: 30.04.2006
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Лукашевич Сергей Михайлович, Лукашевич Михаил Григорьевич, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: G01R 33/09
Метки: напряженности, магниторезистивным, датчиком, измерения, магнитного, поля, способ
Текст:
...полей в узких зазорах. Задачей предлагаемого способа является расширение температурного диапазона измерения напряженности магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина поля определяется по градуировочному графику суммы относительного уменьшения и увеличения сопротивления датчика магнитным полем, а также упрощение способа путем исключения операции вращения датчика в магнитном поле. Решение поставленной задачи...
Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком
Номер патента: 5306
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Холденрид Мирко, Рубин Стефан, Скрипка Дмитрий Алексеевич, Миклиц Ганс, Лукашевич Михаил Григорьевич
МПК: G01R 33/02
Метки: измерения, датчиком, способ, магниторезистивным, магнитного, поля
Текст:
...датчиком, в котором величина поля определяется по сумме уменьшения и увеличения сопротивления датчика в магнитном поле и увеличение электрической стабильности измерений. Решение поставленной задачи расширения температурного диапазона измерений до 100 К достигается тем, что в способе измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина магнитного поля определяется по сумме относительных изменений сопротивления,...
Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком
Номер патента: 5050
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Лукашевич Михаил Григорьевич, Скрипка Дмитрий Алексеевич, Мазаник Александр Александрович
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитного, измерения, способ, магниторезистивным, поля, датчиком
Текст:
...ниже 10 К, что при практической реализации требует сложных и громоздких криогенных устройств. Задачей предлагаемого способа является расширение температурного диапазона измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина поля определяется по сумме уменьшения и увеличения сопротивления датчика магнитным полем, а также упрощение способа путем использования датчика, работающего при комнатной температуре. Решение...
Способ измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком
Номер патента: 1409
Опубликовано: 16.12.1996
Авторы: Мамаду Сануси Камара, Лукашевич Михаил Григорьевич, Мацукевич Виталий Григорьевич, Подоксик Эдуард Ефимович
МПК: G01R 33/02
Метки: поля, датчиком, способ, магниторезистивным, магнитного, измерения
Текст:
...при параллельной и перпендикулярНОЙ ориентациях МЗГНИТНОГО ПОЛЯ относительно датчика, имеющего тшитрину не менее длины, а тошпину не более 0,1 длштьт,причем, матниторезистттвньш даттшк запитьваегся электрическим полем, меньцшм поля ПРОбОЯ, ЧТО ИСКЛЮЧЗСТ ВОЗМОЗКНОСТЬ ВОЗНИкновения генераЦионно-рекомбинатшонной неустойчивости и перегрева датсшка.Физической основой предлагаемого способа Измерения матнитното поля является НВЗНВИСИМОСТЪ...