Лукашевич Михаил Григорьевич

Номер патента: 15041

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Ивановская Мария Ивановна, Сидоренко Юлия Владимировна, Лукашевич Михаил Григорьевич, Котиков Дмитрий Анатольевич, Горбачук Николай Иванович, Оджаев Владимир Борисович

МПК: G01N 27/02

Метки: среды, влажности, определения, способ, окружающей

Текст:

...характеристика датчика влажности, представляющего собой аморфную пленку диоксида кремния с открытой пористостью, в порах которой находятся кластеры -23, а на фиг. 2 - градуировочный график зависимости суммы сопротивлений датчика, измеренных при напряжении, меньшем и большем критического, от влажности. Такой датчик имеет вольтамперную характеристику сверхлинейного вида и отрицательный температурный коэффициент сопротивления при...

Номер патента: 8129

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Милитц Ганс, Лукашевич Михаил Григорьевич, Скрипка Дмитрий Алексеевич

МПК: G01R 33/028, G01R 33/02

Метки: способ, линеаризации, датчика, градуировочной, магниторезистивного, кривой

Текст:

...датчика при упрощении способа линеаризации магниторезистивного датчика и устройства для его реализации. Решение поставленной задачи достигается тем, что магниторезистивный датчик охлаждают до температуры ниже 100 К и прикладывают к нему периодическое напряжение,величина которого меньше и больше критического напряжения, при котором выделяемая в магниторезистивном датчике электрическая мощность приводит к его нагреву и переводу из состояния с...

Номер патента: 7944

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Лукашевич Сергей Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Лукашевич Михаил Григорьевич

МПК: G01R 33/09

Метки: магнитного, датчиком, способ, напряженности, магниторезистивным, измерения, поля

Текст:

...полей в узких зазорах. Задачей предлагаемого способа является расширение температурного диапазона измерения напряженности магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина поля определяется по градуировочному графику суммы относительного уменьшения и увеличения сопротивления датчика магнитным полем, а также упрощение способа путем исключения операции вращения датчика в магнитном поле. Решение поставленной задачи...

Номер патента: 7502

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Капуцкий Федор Николаевич, Тихонова Татьяна Федоровна, Башмаков Игорь Аркадьевич, Лукашевич Михаил Григорьевич, Лукашевич Сергей Михайлович, Доросинец Владимир Адамович

МПК: D01F 11/02

Метки: получения, углеродного, волокна, способ, модифицированного

Текст:

...воздуха целлюлозной матрицы с потерей массы за счет образования летучих низкомолекулярных соединений. Это позволяет увеличить количество металлосодержащей фазы в продукте низкотемпературного термоокислительного разложения солевой формы карбоксилированной целлюлозы. Ограничение концентрации катионов металла до 3,5 ммоль/г обусловлено тем, что при больших концентрациях происходит нарушение волокнистой структуры исходного целлюлозного материала....

Номер патента: U 1205

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Лукашевич Сергей Михайлович, Белоус Анатолий Иванович, Лукашевич Михаил Григорьевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитометр

Текст:

...любых дестабилизирующих факторов на измеряемую величину магнитного поля, а также расширение температурного диапазона измерения магнитного поля до комнатных температур. Решение поставленной задачи достигается тем, что в магнитометре, содержащем магниторезистивный датчик магнитного поля, источник питания, коммутатор, суммирующий блок и блок регистрации, подключенные к общей шине, один из входов коммутатора подключен к источнику питания, а выход...

Номер патента: 5306

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Миклиц Ганс, Холденрид Мирко, Рубин Стефан, Лукашевич Михаил Григорьевич, Скрипка Дмитрий Алексеевич

МПК: G01R 33/02

Метки: измерения, поля, магнитного, способ, магниторезистивным, датчиком

Текст:

...датчиком, в котором величина поля определяется по сумме уменьшения и увеличения сопротивления датчика в магнитном поле и увеличение электрической стабильности измерений. Решение поставленной задачи расширения температурного диапазона измерений до 100 К достигается тем, что в способе измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина магнитного поля определяется по сумме относительных изменений сопротивления,...

Номер патента: 5050

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Лукашевич Михаил Григорьевич, Скрипка Дмитрий Алексеевич, Мазаник Александр Александрович

МПК: G01R 33/02

Метки: измерения, магнитного, магниторезистивным, поля, датчиком, способ

Текст:

...ниже 10 К, что при практической реализации требует сложных и громоздких криогенных устройств. Задачей предлагаемого способа является расширение температурного диапазона измерения магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина поля определяется по сумме уменьшения и увеличения сопротивления датчика магнитным полем, а также упрощение способа путем использования датчика, работающего при комнатной температуре. Решение...

Номер патента: 3002

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Лукашевич Михаил Григорьевич, Миклитц Ганс

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитометр

Текст:

...выход постоянного напряжения блока питания соединен с омическими контактами датчика, а выход периодического напряжения блока питания соединен с управляющим контактом, выполненным в виде барьера Шоттки, вход суммирующего блока подключен к омическим контактам, а вход блока регистрации подключен к выходу суммирующего блока. На фиг. 1 схематически изображен вариант выполнения принципиального элемента магнитометра - датчика магнитного поля, на...

Номер патента: 2086

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Лукашевич Михаил Григорьевич, Мамаду Сануси Камара

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитометр

Текст:

...магнитного поля, на фиг.2 - разрез по А-А, на фиг.3 - градуировочный график и на фиг.4 - функциональная схема магнитометра. Датчик магнитного поля представляет собой подложку из полуизолирующего арсенида галлия 1 с сопротивлением 108 Ом см, на которой известными методами (например, эпитаксией) выращен магниточувствительный слой с концентрацией электронов 1016-1018 см-3 и изготовлены (например, фотолитографией) два магниточувствительные...

Номер патента: 1409

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Мацукевич Виталий Григорьевич, Лукашевич Михаил Григорьевич, Подоксик Эдуард Ефимович, Мамаду Сануси Камара

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, способ, магниторезистивным, измерения, датчиком, поля

Текст:

...при параллельной и перпендикулярНОЙ ориентациях МЗГНИТНОГО ПОЛЯ относительно датчика, имеющего тшитрину не менее длины, а тошпину не более 0,1 длштьт,причем, матниторезистттвньш даттшк запитьваегся электрическим полем, меньцшм поля ПРОбОЯ, ЧТО ИСКЛЮЧЗСТ ВОЗМОЗКНОСТЬ ВОЗНИкновения генераЦионно-рекомбинатшонной неустойчивости и перегрева датсшка.Физической основой предлагаемого способа Измерения матнитното поля является НВЗНВИСИМОСТЪ...