Патенты с меткой «пластин»
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6346
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: 111, покрытие, кремниевых, пластин, функциональное, ориентации, полупроводниковых
Текст:
...Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии....
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6345
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: функциональное, покрытие, 111, кремниевых, ориентации, полупроводниковых, пластин
Текст:
...элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание разнотипных элементов-окон и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера,...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6344
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевых, покрытие, полупроводниковых, ориентации, пластин, 111, функциональное
Текст:
...только элементы нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов обоих материалов - нитрида и диоксида кремния - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры,...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6342
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: пластин, ориентации, полупроводниковых, 111, покрытие, кремниевых, функциональное
Текст:
...в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на 5 63422010.06.30 одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать так же, как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния....
Способ изготовления декоративных слоистых клееных пластин с рисунком текстуры древесины из листов шпона
Номер патента: 13067
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Невдах Мария Олеговна, Лежень Светлана Владимировна, Игнатович Людмила Владимировна, Шетько Сергей Васильевич
МПК: B27D 1/00, B32B 21/00
Метки: пластин, листов, рисунком, способ, древесины, клееных, текстуры, изготовления, слоистых, декоративных, шпона
Текст:
...панелей и тому подобное. Задачей предлагаемого изобретения является использование шпона (кускового шпона,шпона из малоценных пород древесины) для получения декоративных пластин с заданным рисунком текстуры древесины в технологическом процессе облицовывания, улучшение эстетических свойств паркетных изделий, облицовочных панелей. Поставленная задача достигается тем, что способ изготовления декоративных слоистых клееных пластин с...
Способ получения пластин кубического нитрида бора
Номер патента: 12406
Опубликовано: 30.10.2009
Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна
МПК: B22F 7/02, C04B 35/583, B01J 3/06...
Метки: пластин, нитрида, кубического, способ, бора, получения
Текст:
...для получения одновременно нескольких изделий за один технологический цикл заготовки разделены прокладками из хлористого натрия, не позволяет максимально использовать полезный объем реакционной камеры, что достигается в предлагаемом способе. Использование для получения пластин монолитных заготовок из пиролитического нитрида бора (ПНБ) позволяет максимально использовать реакционный объем. При этом, как показал опыт, в процессе синтеза...
Алмазосодержащее корпусное устройство для резки полупроводниковых пластин
Номер патента: 12211
Опубликовано: 30.08.2009
Авторы: Антипов Михаил Николаевич, Васильев Валерий Лукич, Ковальчук Геннадий Филиппович, Гаевская Татьяна Васильевна, Гайдук Илья Леонидович, Цыбульская Людмила Сергеевна
МПК: B28D 5/00, H01L 21/02
Метки: корпусное, устройство, резки, пластин, полупроводниковых, алмазосодержащее
Текст:
...С и катодной плотности тока 2,0-3,0 А/дм 2 (фигура). Изготовление алмазосодержащего устройства для резки полупроводниковых пластин из кремния и материалов группы А 3 В 5 по данному изобретению включает следующие операции изготовление корпуса из сплава алюминия Д 16 электрохимическое осаждение тонкого слоя меди для обеспечения хорошего качества сцепления последующих нанесенных алмазосодержащих слоев электрохимическое осаждение внешнего...
Устройство для соединения пластин
Номер патента: U 5197
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Пилько Владимир Владимирович, Мильчанин Олег Владимирович, Комаров Фадей Фадеевич
МПК: B32B 37/00
Метки: устройство, пластин, соединения
Текст:
...и шлюза включает жидкость, а давление в рабочей камере равно атмосферному. Технический результат достигается за счет того, что жидкость служит сорбирующим пыль веществом в рабочей камере и шлюзе. Одновременно жидкость служит защитой от проникновения пыли через шлюз в камеру и смывает с поверхности пластин пылевидные и иные загрязнения. Наличие в рабочей камере атмосферного давления приводит к отсутствию перепада давлений между внутренним...
Стабилизирующая добавка для абразивных суспензий на основе оксида алюминия для шлифовки пластин монокристаллического кремния
Номер патента: 10513
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Гайшун Владимир Евгеньевич, Тюленкова Ольга Ивановна, Косенок Янина Александровна, Мельниченко Игорь Михайлович
МПК: C09G 1/00
Метки: шлифовки, суспензий, кремния, основе, стабилизирующая, пластин, алюминия, абразивных, добавка, оксида, монокристаллического
Текст:
...и эксплутационных характеристик абразивной суспензии. Известен также состав, включающий в себя глицерин, дистиллированную воду, карбоксиполиметилен и триэтаноламин 3. Однако данный состав не обеспечивает необходимое качество шлифования пластин монокристаллического кремния, поскольку содержит до 25 глицерина. Заявляемое изобретение решает задачу получения высокоэффективной стабилизирующей добавки для абразивной суспензии на...
Способ покадрового экспонирования пластин
Номер патента: 9959
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Матюшков Владимир Егорович, Агейченко Александр Степанович, Чарлз Као, Моррисон Лянг
МПК: G03B 27/52, G02B 15/00
Метки: экспонирования, покадрового, способ, пластин
Текст:
...изменяют масштаб проекционного объектива, устраняют ошибки смещения и разворота и производят экспонирование пластины по кадрам полем в виде полосы, длину и ширину которой выбирают равными целому числу топологических модулей, причем максимальную ширину полосыопределяют из выражения где Е - допустимая погрешность совмещения, мкм- максимально возможная разница масштаба пластин по осям Х и , . Суть способа заключается в следующем....
Устройство для поверхностного ультразвукового упрочнения пластин рессор
Номер патента: U 3992
Опубликовано: 30.10.2007
Авторы: Хрущев Евгений Викторович, Лаппо Наталья Михайловна, Томило Вячеслав Анатольевич, Клубович Владимир Владимирович
МПК: B24B 39/00
Метки: рессор, пластин, поверхностного, ультразвукового, упрочнения, устройство
Текст:
...пластин рессор. Решение поставленной задачи достигается за счет того, что в устройстве для поверхностного ультразвукового упрочнения пластин рессор, включающем ультразвуковой генератор гармонических сигналов, электроакустический преобразователь с концентратором и закрепленным на его торце деформирующим элементом, выполненным в виде выступающих над торцом концентратора на одинаковую высоту сфер равного диаметра,торец концентратора расположен...
Способ получения двухслойных режущих пластин
Номер патента: 9714
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна, Шипило Виктор Брониславович
МПК: C04B 35/78, B32B 18/00, C22C 29/06...
Метки: получения, двухслойных, режущих, способ, пластин
Текст:
...и твердый сплав при следующем соотнощении компонентов, мас. карбид титана - 1,0-30,0 никель - 1,0-10,0 алюминий - 0,5-10,0 твердый сплав - остальное, а наполнитель в сверхтвердом слое состоит из алюминия и/или карбида титана при следующем соотнощении компонентов, мас. алюминий - 0,5-10,0 карбид титана - 1,0-30,0 кубический нитрид бора - остальное.Кроме того, спрессованная смесь порощков подложки перед термобарическим спеканием...
Установка разделения пластин
Номер патента: U 3736
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Школык Святослав Борисович, Белолипецкий Сергей Александрович, Ковальчук Геннадий Филиппович, Нейман Александр Федорович, Бондарчук Виталий Сидорович
МПК: H01L 21/00, B28D 1/00
Метки: разделения, пластин, установка
Текст:
...4, а каретка координаты 4 установлена на основании 1 в аэростатических подшипниках. Такая конструкция позволяет обеспечить совмещение движения планшайбы 2 по координатамив одной плоскости, а также дает возможность закрепления корпуса электрошпинделя 5 таким образом, чтобы исключить консольность и максимально снизить вибрацию. В верхней части установки расположены устройства, обеспечивающие выполнение технологической операции резки и...
Устройство для бесконтактного измерения толщины пластин
Номер патента: U 3298
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Корнелюк Александр Иванович, Самохвалов Валерий Константинович, Чухлиб Владимир Иванович
МПК: G01B 11/06
Метки: устройство, пластин, бесконтактного, измерения, толщины
Текст:
...и повышение точности измерений толщины при наличии шероховатых поверхностей измеряемых пластин.Поставленная задача достигается тем, что устройство для бесконтактного измерения толщины пластин выполнено в виде двух идентичных детектирующих головок, подключенных к электронному блоку и расположенных по обе стороны измеряемой пластины,закрепленной в держателе, каждая из которых содержит первый объектив, оптически связанный системой зеркал с...
Устройство для шлифования пластин
Номер патента: 8319
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Школык Святослав Борисович, Лашин Александр Владимирович, Колядко Николай Сергеевич, Завада Константин Иванович, Масленков Виталий Федорович
МПК: B24B 7/00
Метки: пластин, устройство, шлифования
Текст:
...независимое регулирование предметных столов по высоте для изменения расстояния между поверхностями этих столов и кольцеобразным торцом шлифовального инструмента позволяет повысить качество шлифования и увеличить стойкость инструмента. Возможность вращения поверхностей предметных столов одновременно с возвратнопоступательным перемещением каретки и взаимодействия с кольцеобразным торцом шлифовального инструмента также повышает качество...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния
Номер патента: 7946
Опубликовано: 30.04.2006
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/304, H01L 21/302, H01L 21/02...
Метки: изготовления, кремния, способ, полупроводниковых, пластин
Текст:
...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...
Кокиль для литья пластин под прокатку
Номер патента: U 2603
Опубликовано: 30.04.2006
Авторы: Короткин Григорий Петрович, Барановский Эдуард Федорович, Ильюшенко Валерий Михайлович
МПК: B22D 15/00
Метки: кокиль, прокатку, пластин, литья
Текст:
...конической части составляет 1,21,7, ширина литника-прибыли составляет 1,82,2, а толщина разделительной перегородки составляет 0,350,45 - все параметры рассчитываются от базовой величины ширина рабочей полости формы. Только указанная совокупность соотношений обеспечивает стабильное получение литых пластин высокого качества. Любое изменение одного из соотношений не позволяет достичь поставленной цели. Сущность изобретения поясняется...
Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин
Номер патента: 5639
Опубликовано: 30.12.2003
Авторы: Гранько Владимир Ильич, Сугакова Татьяна Евгеньевна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/306
Метки: очистки, пластин, состав, поверхности, полупроводниковых
Текст:
...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...
Устройство интерференционного контроля геометрических параметров полупроводниковых пластин
Номер патента: 5616
Опубликовано: 30.12.2003
Авторы: Матюшков Владимир Егорович, Чухлиб Владимир Иванович, Колесников Вячеслав Михайлович, Самохвалов Валерий Константинович, Стецик Виктор Михайлович
МПК: G01B 11/30, G01B 11/24
Метки: геометрических, пластин, интерференционного, контроля, полупроводниковых, параметров, устройство
Текст:
...- упрощение конструкции устройства Суть изобретения поясняется чертежом, где изображена оптическая схема предложенного устройства. Устройство содержит инжекционный полупроводниковый лазер 1 с широкой диаграммой направленности излучения, подключенный к источнику тока накачки 2, четвертьволновую пластину 3, первый объектив 4 для освещения в параллельном ходе лучей контролируемого объекта 11, расположенного перпендикулярно оптической оси...
Замок для соединения пластин опалубки
Номер патента: U 622
Опубликовано: 30.09.2002
Авторы: РАЙХЛЕ, Эрхард, ОРЗЕЛОВСКИ, Кржиштоф
МПК: E04G 17/04
Метки: замок, пластин, соединения, опалубки
Текст:
...в систему опалубки с требуемой большой площадью поверхности, кромки щитов соединяют за счет сжатия их этими связующими элементами. Соединение пластин опалубки с помощью замков, имеющих закрытый с трех сторон профиль, влечет за собой риск заполнения полостей, образующихся в замке, бетоном, и разборка такого соединения будет представлять трудности. Технической задачей настоящей полезной модели является устранение недостатков известных решений и...
Устройство для замены режущих пластин резца
Номер патента: 3107
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Михайлов Михаил Иванович, Жабинский Александр Владимирович.
МПК: B23B 27/16
Метки: устройство, замены, режущих, резца, пластин
Текст:
...паза, продольный из которых имеет контактирующие с режущей пластиной базовые угловые поверхности, одна из которых составляет с продольной осью угол 35, а во втором пазу,имеющем ступенчатую форму, размещен указанный механизм удаления и зажима пластин, выполненный в виде одностороннего клина с пазом, угловая рабочая грань которого расположена под углом 5 к оси этого паза, а прямая рабочая грань расположена со стороны режущей пластины,...
Устройство для электрохимической обработки кремниевых пластин
Номер патента: 2358
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Баранов Игорь Ливерьевич, Тюлин Олег Владимирович
МПК: H01L 21/306
Метки: пластин, кремниевых, электрохимической, обработки, устройство
Текст:
...прижимаются уплотнительными кольцами 6, 6 с помощью их резьбового соединения с держателями 3, 3. Это обеспечивает надежный электрический контакт электродовкремниевых пластин 5,5 с токопроводами 4,4 и изоляцию последних от электролита 2. В электролит 2 между электродами-кремниевыми пластинами 5, 5 помещен держатель 7, изолирующий от электролита 2 и помещенных в него обрабатываемых кремниевых пластин 9, цилиндрический электрод 8. К кремниевым...
Способ удаления фоторезиста с поверхности кремниевых пластин
Номер патента: 1688
Опубликовано: 30.06.1997
Авторы: Роговой Владимир Иванович, Солодуха Виталий Александрович, Сергеев Виктор Петрович
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, поверхности, способ, фоторезиста, удаления, пластин
Текст:
...опасностью растрескивания пластин вследствие большого перепада температуры при последующей промывке пластин в деионизованной воде с температурой 5010. Деионизованная вода, в которой отмываются пластины от остатков серной кислоты, содержит примеси органического происхождения, как-то частицы ионообменных смол, микроорганизмы. Для их разложения вводится путем барботирования озоносодержащий газ. Органические примеси при концентрации озона 3, 12...
Токопроводящая паста для металлизации обожженной керамики, преимущественно пластин однослойных конденсаторов методом трафаретной печати
Номер патента: 829
Опубликовано: 15.08.1995
Авторы: Широков М. Ф., Семочкин В. И., Головина К. И., Самойлов В. В., Макарова Н. Г., Демчук И. Н., Коломайнен В. В.
МПК: H01B 1/02
Метки: керамики, пластин, конденсаторов, методом, металлизации, печати, паста, трафаретной, токопроводящая, обожженной, преимущественно, однослойных
Текст:
...годных надет путмс оптимизации фонетически. печатных н тещ логически свойств пасты при одновременном сщехщ е. стошоотн п повншешп производительности работы. .Сущность изобретения еантпочается в том, что в заявленной токопрц вопящей пасте для металлизации обогащнной трешки. прешуществешо пда тив однослойных конденсаторов методом трафаретной печати, содержащей мс кодпсперсное серебро. стекпофрпттудтэтидщещщгхову н сосновое масло, воща...
Способ получения диэлектрических пластин для керамических конденсаторов
Номер патента: 276
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Короткевич Л. Н., Кабакова Г. В., Фомина Б. И.
МПК: H01G 4/12
Метки: конденсаторов, диэлектрических, способ, пластин, керамических, получения
Текст:
...известным образом.менена смесЬ.этилового спирта с ДН метнлформамидом при соотношении 75 н 25 мас. соответственно. П р и м е р 5. В отходы пленки в количестве 10 кг добавляют 4,5 кг растворителя поливииилбутираля (сочотношение 1 О 45) в виде смеси этн НОВОГО СПИРТН МЛН С бУТЪ/КПОВЬШ, ИЛИ С амиповым или с изоаммловым афиром,взятых в количествах 3,825 кг и 0,675 кг (соотношение 85 и 15 мас.) соответственно. Затем путем переме шивания в течение...