Ефименко Сергей Афанасьевич
Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 18136
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Наливайко Олег Юрьевич, Малый Игорь Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 27/04, H01L 21/77
Метки: микросхемы, способ, изготовления, интегральной, кремниевой
Текст:
...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...
Транзисторно-транзисторный инвертор
Номер патента: 2337
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Шпаковский Василий Глебович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Малькович Петр Петрович
МПК: H03K 19/088
Метки: инвертор, транзисторно-транзисторный
Текст:
...Тддд 7 ток коллектора второго транзистора в режиме насыщенияд В -.коэффицнент усиления тока второго транзистора макснальный вьшодной ток эмиттерного повторителя 55 о- время пролета носителей через базу транзистора,В результате время Ердуменьшается.При подаче на вход уровня логической единицы, транзисторы 1, 3 открыты и на вьшоде инвертора, благодарянасыщенному-траненсТ 0 РУ 3, поддержи , вается низкий потенциал т.е. уровенъ логического...