Сенько Сергей Федорович

Номер патента: U 6141

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 28/00

Метки: упрочняющее, покрытие

Текст:

...изделий в раствор кремнийорганического соединения, например тетраэтоксиси 2 61412010.04.30 лана, центрифугированием или иным способом. Раствор растекается по поверхности предшествующего слоя и заполняет все впадины неровностей, за счет чего и достигается планаризация поверхности. Далее проводят сушку и термообработку пленки. Кремнийорганическое соединение при этом гидролизуется с образованием стекловидной пленки диоксида кремния,...

Номер патента: U 5990

Опубликовано: 28.02.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытия, материала, устройство, металлического, абразивного, вакуумного, порошок, нанесения

Текст:

...Перемещение частиц порошка происходит при этом по кругу и вертикали. Использование перемешивающих лопастей, установленных по спирали, позволяет в процессе поворота контейнера дополнительно перемещать частицы в горизонтальном направлении, у них появляется новое направление перемещения. Частицы захватываются лопастями, поднимаются на некоторую высоту и перекатываются по их винтовой поверхности на некоторое расстояние вдоль контейнера за счет...

Номер патента: U 5981

Опубликовано: 28.02.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 43/06

Метки: основе, холла, эффекта, прибор

Текст:

...В результате на исходной подложке одной и той же площади можно изготовить большее количество приборов. Как правило, чувствительный элемент выполняют со сторонами одинакового размера, что позволяет использовать подложки квадратной формы. В этом случае использование заявляемого технического решения максимально эффективно. Заявляемое техническое решение поясняется фигурой, где показано расположение активного элемента на на подложке...

Номер патента: U 5977

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Лях Анатолий Александрович, Устинович Дмитрий Федорович

МПК: C23C 14/00

Метки: устройство, порошок, материала, покрытий, металлических, вакуумного, абразивного, нанесения

Текст:

...абразивного материала, сопровождается преимущественным перекатыванием их по поверхности абразивной массы, что приводит к уменьшению силового воздействия тел и снижению интенсивности перемешивания порошка. В результате возрастает количество агрегатов в готовом продукте и уменьшается равномерность покрытия. Выбор плотности материала тел качения более 2,6 сопровождается возрастанием ударного действия тел качения на поверхность частиц...

Номер патента: U 5480

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: изделий, устройство, контроля, поверхности, качества

Текст:

...источник оптического излучения, держатель образцов и экран, дополнительно содержит расположенную между источником излучения и держателем образцов координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение изображения...

Номер патента: 11502

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01R 33/02

Метки: напряженности, картины, визуальной, поля, распределения, магнитного, постоянного, получения, способ

Текст:

...расчета муаровых картин в настоящее время развиты достаточно хорошо 7,8, а положение цветовых линий и пятен на экране кинескопа можно легко определить путем прямого измерения, что позволяет проводить не только качественный, но и количественный контроль. В связи с этим остановимся на факторах, которые необходимо учитывать при расчетах количественных характеристик магнитных полей. На основании анализа муаровой картины рассчитывается...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, системы, металлизации, полупроводникового, прибора, изготовления

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, изготовления, прибора, способ

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, прибора, металлизации, способ, изготовления, кремниевого, полупроводникового

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Портнов Лев Яковлевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, системы, способ, изготовления, металлизации, прибора

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52, H01L 23/48...

Метки: металлизации, изготовления, полупроводниковых, системы, приборов, кремниевых, способ

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: кремниевой, напряжений, пленка sio2–подложка si, механических, структуре, контроля, способ

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: качества, поверхности, способ, контроля, изделия

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: поверхности, контроля, способ, изделия, качества

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Номер патента: 9545

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, контроля, способ, поверхности, изделий

Текст:

...оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на экран светотеневого изображения 4.При Контроле поверхности согласно способу-прототипу свет от точечного источника направляют на контролируемую поверхность, а отраженный световой поток - на экран. Наличие дефектов поверхности приводит К локальному изменению угла отражения падающего света, что проявляется в изменении интенсивности освещения соответствующих этим дефектам...

Номер патента: 9319

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, G01B 9/00...

Метки: контроля, устройство, изделий, качества, поверхности

Текст:

...Направление отраженного света обусловлено всевозможной пространственной ориентацией граней, приводя к диффузному отражению, т.е. рассеянию света. При больщих углах падения света часть граней неровностей попадает в область тени соседних неровностей поверхности.При этом освещается только часть граней неровностей поверхности, находящаяся вне тени И обращенная К источнику света. При дальнейшем увеличении угла падения света освещается все...

Номер патента: 9318

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: изделий, поверхности, способ, контроля, качества

Текст:

...размер проекции микронеровностей на волновой фронтисточника излучения уменьшается пропорционально косинусу угла падения. При некотором достаточно большом угле этот размер становится меньше четверти длины волны, что приводит К возникновению зеркальной Компоненты в отраженном световом потоке.Совокупность рассмотренных факторов позволяет получить псевдозеркальную компоненту отраженного света, обеспечивающую формирование изображения контролируемой...

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/31

Метки: структуру, способ, пленки, нанесения, полупроводниковую, полипиромеллитимидной

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....

Номер патента: 8716

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: контроля, способ, качества, изделий, поверхности

Текст:

...несовершенства поверхности, являющиеся важным показателем качества контролируемых поверхностей. Они приводят к диффузному рассеянию света и не могут быть идентифицированы.В результате при использовании способа-прототипа контроль качества поверхности в ряде случаев оказывается недостаточно объективным. Причиной этого является недостаточно высокое качество получаемой светотеневой Картины, обусловленное наложением зеркально и диффузно...

Номер патента: 8675

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: изделий, контроля, поверхности, устройство, качества

Текст:

...возможностей устройства за счет пространственного разделения оптических компонент, формирующих изображение контролируемой поверхности.Поставленная задача решается тем, что устройство для контроля качества поверхности изделий, включающее точечный источник оптического излучения, держатель образцов И экран, между источником Излучения И держателем образцов содержит подвижный трафарет, отверстие в котором обеспечивает освещение...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: B24D 5/12, B24D 3/00

Метки: кубической, внутренней, алмазный, круг, сингонии, режущей, монокристаллов, резки, кромкой, пластины

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: B28D 5/02, H01L 21/304, H01L 21/302...

Метки: кремния, пластины, способ, слитков, резки

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Номер патента: 8342

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Пуглаченко Елена Георгиевна, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: качества, поверхностей, контроля, изделий, способ

Текст:

...ямок и бугорков различных размеров и форм. Наличие ямки приводит к фокусировке отраженного света, что на топограмме проявляется в появлении более светлого, по сравнению со средней освещенностью топограммы, пятна. Наличие бугорка, наоборот, приводит к расфокусировке света, что проявляется в появлении на топограмме темного пятна. Интенсивность освещения любой точки на экране отражает локальную кривизну контролируемой поверхности в...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/302, H01L 21/304, H01L 21/02...

Метки: изготовления, способ, полупроводниковых, кремния, пластин

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/00, H01L 21/28...

Метки: системы, интегральных, схем, металлизации, способ, изготовления

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 7255

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30

Метки: поверхности, качества, устройство, контроля, изделий

Текст:

...приведенной на фиг. 3, показано заявляемое устройство, включающее точечный источник света, помещенный в корпус 1, внутри которого установлено выпуклое зеркало. Источник света питается от блока питания 2, установленного вне рабочей зоны контроля. Свет от точечного источника после отражения от выпуклого зеркала попадает на предметный столик 3 с установленной на нем контролируемой пластиной. Отраженный пучок света направляется на экран...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/308

Метки: анизотропного, ориентации, кремния, травления, травитель, 100

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/26

Метки: интегральных, способ, мдп, кремниевых, схем, изготовления

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/76, H01L 21/316

Метки: изготовления, интегральных, схем, способ, межкомпонентной, кмдп, изоляции

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, способ, структур, геттером, кремниевых, изготовления

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Номер патента: 6374

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/66

Метки: контроля, поверхности, способ, изделий, качества

Текст:

...разрешающей способности, глубины резкости, размеров и яркости изображения. 3 6374 1 Поставленная задача решается тем, что в способе контроля качества поверхности изделий путем наблюдения на экране изображения поверхности, полученного отражением света от контролируемого изделия, освещенного точечным источником, освещение проводят расходящимся пучком света. Сущность заявляемого способа заключается в формировании изображения контролируемой...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...

Номер патента: U 1157

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 9/00

Метки: контроля, качества, устройство, изделий, поверхности

Текст:

...изображение наблюдаемой светотеневой картины. Программное обеспечение и стандартная комплектация цифровых фотоаппаратов позволяют тут же ввести изображение в компьютер. Далее следует компьютерная диагностика полученных изображений с помощью специально разработанной программы анализа изображений. Ее суть заключается в измерении яркости каждой точки изображения путем присвоения номера ее цвета в серой цветовой палитре. На основании проведенных...