Сенько Сергей Федорович

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: пластин, кремния, способ, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Номер патента: 15476

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 001, функционального, пластин, полупроводниковых, покрытия, формирования, способ, кремниевых, ориентации

Текст:

...в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими 5 15476 1 2012.02.28 дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон в нитриде кремния (или островков диоксида кремния, что то же самое) можно рассматривать как...

Номер патента: 15475

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: формирования, полупроводниковых, пластин, 001, покрытия, ориентации, кремниевых, функционального, способ

Текст:

...и 2) с размером сторонына 9 равных частей квадратной формы и замена центральной части на контрастную по отношению к данному элементу приводят к возникновению нового элемента (34 в случае выбора в качестве первичного элемента 2 и, соответственно, 2 в случае выбора 34) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение но 5 15475 1 2012.02.28...

Номер патента: 15474

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: функциональное, 001, покрытие, полупроводниковых, пластин, ориентации, кремниевых

Текст:

...равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно...

Номер патента: 15473

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, кремниевых, функциональное, покрытие, ориентации, пластин, 001

Текст:

...второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: 15472

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: способ, ориентации, структур, 001, изготовления, эпитаксиальных, кремниевых

Текст:

...пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена...

Номер патента: 15465

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, эпитаксиальная, ориентации, 001, структура

Текст:

...структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что при...

Номер патента: 15471

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: изготовления, структур, ориентации, 001, эпитаксиальных, кремниевых, способ

Текст:

...дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. 15471 1 2012.02.28 С каждым новым этапом формирования элементов возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо...

Номер патента: 15463

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: пластин, полупроводниковых, покрытие, функциональное, ориентации, кремниевых, 001

Текст:

...на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов покрытия возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер рисунка в слое 34 обеспечивает...

Номер патента: 15470

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: кремниевых, функциональное, полупроводниковых, покрытие, 001, пластин, ориентации

Текст:

...разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена центральной части на дополнительный диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, ориентации, полупроводниковых, 001, способ, кремния, изготовления

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15468

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: пластина, полупроводниковая, 111, кремниевая, ориентации

Текст:

...нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уров 5 15468 1...

Номер патента: 15467

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15361

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, эпитаксиальная, кремниевая, 111, структура

Текст:

...Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости ( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных концами на обратной стороне...

Номер патента: 15360

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевая, 001, ориентации, структура, эпитаксиальная

Текст:

...чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом направлении 100 или 010 приводит к генерации дислокаций в плоскостях (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических...

Номер патента: 15359

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевая, ориентации, 111, полупроводниковая, пластина

Текст:

...1 ) и (01 1 ) под действием термомеханических напряжений в области дефектов на торце пластины, скользят по направлению к центру пластины. На своем пути они встречают дислокации, генерируемые контролируемыми нарушениями и расположенные в плоскостях (110), (11 1 ), (101), (1 1 1),(011), ( 1 11) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины....

Номер патента: 15358

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевая, ориентации, полупроводниковая, пластина, 001

Текст:

...пути встречают дислокации, расположенные в одной из плоскостей (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины. Скольжение дислокаций переходит в другую кристаллографическую плоскость, рост линии скольжения прекращается. В итоге рабочая поверхность пластины сохраняет высокое первоначальное качество. На поверхности...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластины, покрытие, полупроводниковой, функциональное, 111, ориентации, кремниевой

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Номер патента: 15080

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, 111, функциональное, кремниевых, ориентации, пластин, покрытие

Текст:

...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковой, пластины, 111, функциональное, кремниевой, покрытие

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Номер патента: 15079

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, покрытие, пластин, ориентации, 111, функциональное, кремниевых

Текст:

...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, пластин, ориентации, способ, полупроводниковых, изготовления, 111

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, пластин, 111, ориентации, кремния, изготовления, полупроводниковых

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15191

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, способ, 111, пластинах, функционального, формирования, покрытия, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, полупроводниковых, кремния, ориентации, 111, изготовления, пластин

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, кремния, полупроводниковых, способ, изготовления, пластин

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 15078

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковых, 111, функционального, пластин, кремниевых, формирования, способ, покрытия

Текст:

...были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное...

Номер патента: 15189

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, покрытия, 111, функционального, пластинах, формирования, способ, кремниевых, ориентации

Текст:

...первичного элемента окна или островка нитрида кремния принципиального значения не имеет. Важно, чтобы все вновь вписываемые элементы рисунка были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые островки не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе...

Номер патента: 15188

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функционального, покрытия, ориентации, пластинах, формирования, способ, кремниевых, 111, полупроводниковых

Текст:

...плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересе 5 15188 1 2011.12.30 чения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: способ, кремниевой, изготовления, ориентации, 111, эпитаксиальной, структуры

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15260

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, кремниевая, полупроводниковая, пластина, ориентации

Текст:

...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...

Номер патента: 15305

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая, 111, ориентации

Текст:

...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: эпитаксиальной, кремниевой, структуры, изготовления, способ, 111, ориентации

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: способ, ориентации, кремниевой, эпитаксиальной, структуры, 001, изготовления

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: полупроводниковой, изготовления, кремниевой, 111, способ, ориентации, пластины

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 15215

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 28/00

Метки: режущего, упрочнения, инструмента, способ

Текст:

...на основе диоксида титана, циркония и т.п. Планаризирующие покрытия на основе диоксида кремния получают 2 15215 1 2011.12.30 путем окунания инструмента в раствор кремнийорганического соединения, например тетраэтоксисилана, с последующей сушкой и термообработкой. Кремнийорганическое соединение при этом гидролизуется с образованием стекловидной пленки диоксида кремния, обладающей хорошей адгезией к различным упрочняющим покрытиям....

Номер патента: 15274

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/06, B23P 15/28

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...и другие неровности (например, царапины) поверхности инструмента и обладает высокой твердостью. Высокие твердость и хрупкость такого планаризирующего слоя способствуют самозаточке инструмента в процессе его эксплуатации. На его поверхность не налипают загрязнения, что также способствует повышению устойчивости инструмента к абразивному износу. Толщина планаризирующего слоя покрытия зависит от вида и конструктивных особенностей...

Номер патента: 15058

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/24

Метки: абразивного, металлического, способ, частицы, материала, покрытия, порошка, вакуумного, нанесения

Текст:

...лопастей. Винтовое движение перемешивающих лопастей постоянно выталкивает частицы порошка из донной части контейнера. Смещение оси вращения контейнера по отношению к его геометрической оси позволяет интенсифицировать перемещение частиц порошка в горизонтальном направлении за счет постоянного встряхивания всей массы порошка в горизонтальном направлении. Интенсивность такого встряхивания зависит от расстояния между осями. Экспериментально...

Номер патента: 15057

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Устинович Дмитрий Федорович, Сенько Сергей Федорович, Лях Анатолий Александрович

МПК: C23C 14/24

Метки: абразивного, частицы, материала, металлического, нанесения, устройство, вакуумного, покрытия, порошка

Текст:

...перекатыванием их по поверхности абразивной массы, что приводит к уменьшению силового воздействия тел и снижению интенсивности перемешивания порошка. В результате возрастает количество агрегатов в готовом продукте и уменьшается равномерность покрытия. Выбор плотности материала тел качения более 2,6 сопровождается возрастанием ударного действия тел качения на поверхность частиц порошка как непосредственно, так и через слои...

Номер патента: 15056

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Лях Анатолий Александрович, Устинович Дмитрий Федорович

МПК: C23C 14/24

Метки: нанесения, абразивного, способ, порошка, металлического, вакуумного, материала, частицы, покрытия

Текст:

...качения, что сопровождается нарушением сплошности покрытия, дроблением абразивных зерен и выбросом их из контейнера. Выбор плотности материала тел качения менее 1,8, где- плотность абразивного материала, сопровождается преимущественным перекатыванием их по поверхности абразивной массы, что приводит к уменьшению силового воздействия тел и снижению интенсивности перемешивания порошка. В результате возрастает количество агрегатов в готовом...