Патенты с меткой «резистивных»
Способ изготовления резистивных мишеней
Номер патента: 15572
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Резчикова Инесса Игоревна, Лученок Андрей Алексеевич, Лученок Алексей Романович, Горюнов Алексей Владимирович, Киршина Наталья Васильевна, Ильющенко Александр Федорович, Федулаева Людмила Витальевна
МПК: C01B 33/06, B22F 3/08
Метки: способ, изготовления, мишеней, резистивных
Текст:
...Распыляемая мишень для лазерного или электронного распыления представляет собой мозаичную конструкцию из одного или нескольких слитков дисилицида тугоплавкого металла цилиндрического или прямоугольного сечения, закрепленных на медном основании ультразвуковой пайкой. Слитки дисилицида тугоплавкого металла имеют высокую чистоту, обусловленную применением вакуумно-металлургических процессов очистки и эвтектическое содержание кремния,...
Способ изготовления резистивных мишеней
Номер патента: 15571
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Ильющенко Александр Федорович, Лученок Алексей Романович, Резчикова Инесса Игоревна, Лученок Андрей Алексеевич, Шац Леонид Соломонович, Федулаева Людмила Витальевна, Киршина Наталья Васильевна
МПК: B22F 3/16, B22F 3/08, C04B 35/58...
Метки: способ, мишеней, резистивных, изготовления
Текст:
...расплаве с использованием вакуумно-металлургических процессов. При этом используют измельченные монокристаллы компонентов, прошедших глубокое вакуумное рафинирование многократным переплавом, затем изготовление слитков дисилицидов тугоплавких металлов проводят с помощью плавки во взвешенном состоянии, производя затвердевание расплава в медных изложницах нужной формы. Распыляемая мишень для лазерного или электронного распыления представляет...
Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем
Номер патента: 14648
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна
МПК: H01C 7/00, C22C 28/00
Метки: интегральных, тонкопленочных, элементов, микросхем, резистивных, материал
Текст:
...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...