Патенты опубликованные 30.12.2011

Номер патента: 15225

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Ярусов Анатолий Григорьевич, Бутылин Григорий Владимирович, Швец Дмитрий Александрович

МПК: B60C 23/00

Метки: шин, централизованной, система, накачки

Текст:

...накачки шин. При этом для упрощения изображены только два передних и два задних колеса многоколесного автомобиля. 15225 1 2011.12.30 Предлагаемая система содержит центральный блок 1 управления, установленный в кабине водителя (не показана), первый исполнительный блок 2 оборудования, установленный на раме (не показана), группу исполнительных блоков 3-6, установленных на соответствующих колесах автомобиля. Центральный блок 1...

Номер патента: 15271

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Кононенко Валерий Константинович

МПК: G01R 33/00

Метки: запрещенной, способ, определения, сужения, полупроводника, зоны, параметра

Текст:

...данным , кривая 3 - расчет для постоянных хвостов плотности состояний (ширина хвостов 50 мэВ,5,310-5 мэВсм),на фиг. 4 - кривые зависимости величиныот концентрации носителей 0, кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 4 - учет изменения ширины хвостовот температуры и уровня возбуждения полупроводника (4,110-5 мэВсм),на фиг. 5 - кривые зависимостиот температуры , кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 2...

Номер патента: 15284

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сморыго Олег Львович, Велюго Юрий Владимирович, Ильющенко Александр Федорович, Микуцкий Виталий Анатольевич, Марукович Александр Иванович

МПК: A61L 27/58

Метки: материала, пористого, биорезорбируемого, способ, имплантации, изготовления

Текст:

...пор точно регулируется диаметром парафиновых гранул. Поры распределены по объему материала равномерно. Недостатком способа является необходимость использования в технологии растворителей пиридина, циклогексана и т.п. Использование токсичных растворителей требует проведения многоступенчатой продолжительной операции их удаления из конечного материала, которая может продолжаться до нескольких суток. Сушка при повышенных температурах для...

Номер патента: 15097

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Быков Руслан Викторович, Куренёв Александр Вячеславович, Гейстер Сергей Романович

МПК: G01V 1/16, G01S 3/80

Метки: обнаружения, сейсмических, определением, широкополосных, или, способ, устройство, направления, сигналов, источник, акустических

Текст:

...значения углаНПФВ. Выход каждого -го перемножителя соединяется со вторым входом соответствующего -го сумматора комплексных амплитуд, на первый вход которого поступает-й дискретный элемент спектра с выхода первого устройства АЦП и ДКПФ. С выходовсумматоров комплексные сигналы поступают в соответствующиеформирователей квадратов модулей. Выход каждого -го формирователя квадрата модуля соединен с первым входом -го перемножителя. На второй вход...

Номер патента: 15184

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Мухуров Николай Иванович, Ефремов Георгий Игнатьевич

МПК: H01H 59/00

Метки: микрореле, электротоковое

Текст:

...пазами, выполненными в дне углубления и в подвижном элементе-якоре шириной 1 и расстоянием 2 между ними, при этом пазы выполнены одинаковой длины и со взаимным смещением нечетных и четных пазов в противоположных направлениях относительно продольной оси подвижного элемента-якоря на расстояние , равное (3-5) 2,причем длину ветвиопределяют из математического выражения 1 2 где- модуль упругости держателей,1 - момент инерции сечения...

Номер патента: 15297

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Паркалова Екатерина Ивановна, Гулевич Владимир Викторович, Пушнова Галина Михайловна, Сенчук Наталья Васильевна, Макаревич Анна Владимировна

МПК: C09K 8/508, E21B 33/138

Метки: скважину, нефтяную, акрилового, притока, реагента, способ, ограничения, вод, получения

Текст:

...(Нитрон С) с мольной долей акрилонитрильных звеньев более 90 . Гидролиз отходов волокна проводили в круглодонной трехгорлой стеклянной колбе емкостью 500 мл, снабженной обратным холодильником и термометром. Измельченное резанием (для удобства загрузки) волокно помещали в колбу и заливали раствором натра едкого в питьевой воде. Загрузку ПАН-волокон производили из расчета на а.с.в. С этой целью предварительно определяли влажность волокна...

Номер патента: 15204

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Раханов Константин Яковлевич, Железняк Владимир Кириллович

МПК: G10L 15/00

Метки: речи, разборчивости, способ, определения, максимальной

Текст:

...максимальной разборчивости речи, в котором размещают источник акустического испытательного сигнала в точке размещения источника речевого сигнала, приемник акустического сигнала - в точке приема речевого сигнала, причем в точке приема дополнительно размещают К приемников другихвидов сигналов, образуемых в точке приема испытательным сигналом, например электрического и/или магнитного, и/или виброакустического последовательно...

Номер патента: 15134

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Василенко Зоя Васильевна, Болашенко Татьяна Николаевна, Ромашихин Павел Альбертович

МПК: A23L 1/24

Метки: эмульсия, воде, масло, пищевая, типа

Текст:

...того, диетическими свойствами - не содержит холестерин. Заявляемую пищевую эмульсию масло в воде готовят следующим способом эмульгатор - крахмал модифицированный 12688 и стабилизатор - крахмал модифицированный- 12650 дозируют, смешивают с водой при 202 С до получения однородного клейстера без комков и выдерживают 10 минут для набухания. В подготовленный крахмальный клейстер при скорости вращения мешалки 1200 об/мин тонкой струйкой вливают...

Номер патента: 15152

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Самцов Михаил Петрович, Ермакова Татьяна Сергеевна, Титов Леонид Петрович, Воропай Евгений Семенович, Мельников Дмитрий Георгиевич, Ляшенко Людмила Сергеевна, Луговский Александр Анатольевич, Луговский Анатолий Петрович

МПК: A61P 31/04, A61K 31/404, A61P 31/10...

Метки: активируемое, подавления, активности, стафилококковой, светом, инфракрасным, средство, грибковой

Текст:

...Указанное соединение получают взаимодействием перхлората 1,3,3-триметилиндолия и перхлората 5-диметил амино-32,4-(о-фенилено)-2,4-пентадиен-1-илиден-диметиламмония в уксусном ангидриде с катализатором -метилморфолином. Пример 1. Перхлорат 2-7-1,3,3-триметил-2(1)индолиниден-4-хлор-3,5-(о-фенилено)-1,3,5-гептатриен-1-ил-1,3,3-триметилиндолия. Смесь 0,001 моль перхлората 1,3,3 -триметилиндолия и 0,0005 моль перхлората 5 диметил...

Номер патента: 15276

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Логвин Владимир Александрович, Логвина Екатерина Владимировна

МПК: C23C 8/00, C23C 14/38

Метки: упрочнения, металла, поверхностного, или, сплава, изделий, способ

Текст:

...дефектов 3. При этом ионы материала анода, покидающие анод, внедряются в поверхностный слой упрочняемого изделия с образованием устойчивых связей с кристаллической решеткой материала изделия, изменяя структуру поверхностного слоя упрочняемого изделия особенно в местах с повышенной плотностью дефектов, что препятствует распаду мартенсита. Вследствие увеличения межатомных расстояний в кристаллической решетке и под действием катодного падения...

Номер патента: 15303

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Хайновский Владимир Владимирович, Лой Владимир Николаевич, Данилович Максим Юрьевич, Пищов Сергей Николаевич, Исаченков Владимир Сергеевич, Климчик Геннадий Яковлевич, Мохов Сергей Петрович, Симанович Василий Антонович

МПК: B60P 3/40

Метки: трелевки, средство, древесины, сбора, транспортное

Текст:

...имеющим привод от гидроцилиндра, закрепленного на трелевочном щите, при этом опора качения выполнена в виде колеса, а гидроцилиндр привода опорного устройства закреплен горизонтально в нижней части трелевочного щита, причем корпус гидроцилиндра выполнен с прямыми, а шток гидроцилиндра с винтовыми шлицами, по которым перемещается поршень, а на конце штока гидроцилиндра закреплен рычаг, на противоположном конце которого установлена опора...

Номер патента: 15063

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шипко Алексей Алексеевич, ВОЛОСЮК Василий Васильевич, Жукова Анна Анатольевна, Волочко Александр Тихонович

МПК: C04B 35/66, C04B 41/87

Метки: алюмосиликатных, покрытий, получения, смесь, изделий, огнеупорного, экзотермическая, мертелей, материала, или

Текст:

...образуются трещины из-за высокой скорости разогрева. Оксид магнияявляется одним из компонентов, участвующих в образовании шпинели. Кроме того, оксид магния способен образовывать с диоксидом кремния соединения, которые образуют расплав в ходе СВС и способствуют повышению адгезии материала за счет проникновения расплава в поры основы. Введение оксида магния в количестве менее 30 не обеспечивает повышение температуры применения материала...

Номер патента: 15289

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Рушкевич Юлия Николаевна, Лихачев Сергей Алексеевич, Забродец Глеб Викторович

МПК: A61B 5/0488

Метки: дифференциальной, моторного, невропатии, нижнего, моторной, поражения, способ, аксональной, нейрона, диагностики

Текст:

...фотореакция удовлетворительна. Нистагма, диплопии нет. Наблюдается зыбление языка. Намечены рефлексы орального автоматизма. Нижнечелюстной рефлекс оживлен. Гипотрофии мышц кистей, плечевого пояса, бедер и голеней, более выраженные на правой ноге. Единичные фасцикуляции в области дельтовидных мышц. Диффузная мышечная слабость 3-3,5 балла в руках, преимущественно в кистях, 2,5-3 балла в проксимальных отделах ног,4 балла в стопах....

Номер патента: 15286

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Рушкевич Юлия Николаевна, Лихачев Сергей Алексеевич, Забродец Глеб Викторович

МПК: A61B 5/0488, A61B 8/00

Метки: моторного, болезни, способ, нейрона, диагностики

Текст:

...методикой для большинства учреждений здравоохранения, не требующей использования дорогостоящих расходных материалов, что позволит удешевить диагностический процесс. Изобретение осуществляют следующим образом. При клиническом выявлении признаков сочетанного поражения ВМН и НМН или только НМН проводят ультразвуковое исследование ключевых мышц спинальных сегментов на шейном, грудном и поясничнокрестцовом уровнях пациента дельтовидной и...

Номер патента: 15223

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шкет Александр Павлович, Корнелюк Михаил Николаевич

МПК: A61B 17/00

Метки: марфана, способ, больного, лечения, аневризмы, восходящего, хирургического, аорты, синдромом, отдела

Текст:

...их к протезу восходящей аорты. Предложенный способ позволяет наиболее физиологично адаптировать контактирующие поверхности, усилить и герметизировать место анастомоза за счет собственных тканей, а именно стенки аорты. На рисунках показаны этапы операции. На фиг. 1 - сохраненный участок стенки аорты по всему периметру сосуда на фиг. 2 укрепленный анастомоз. Пример осуществления способа. Больной Б., 46 лет, поступил в кардиохирургическое...

Номер патента: 15096

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Дайнеко Оксана Анатольевна, Агабеков Владимир Енокович, Тарасевич Владимир Александрович, Кулевская Инна Владимировна, Гончарова Инесса Адамовна, Луговнева Александра Павловна

МПК: B27K 3/34, A61L 2/16

Метки: раствор, материалов, целлюлозосодержащих, антисептический, обработки

Текст:

...шаблона на образце оставалась агаровая сетка, представляющая собой тонкий слой питательной среды (высота слоя равна толщине сетки шаблона), разделенный на микроблоки сетью борозд. Чашки инкубировали в термостате с температурой 28 , ежедневно снимая с образцов по 3-4 ячейки агаровой сетки и микроскопируя их в проходящем свете при увеличении в 200-400 раз. Критерием фунгитоксичности служила лаг-фаза тест-культуры, т.е. время от постановки...

Номер патента: 15279

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кудряшов Александр Николаевич, Шадюк Ольга Олеговна, Яцукович Александр Геннадьевич, Радюкевич Павел Иванович

МПК: C09K 21/00, B27K 3/52

Метки: состав, композиции, пропиточной, получения, огнезащитной, трудновымываемой

Текст:

...пропиточной трудновымываемой композиции, включающей 85 -ную ортофосфорную кислоту,крахмал и воду, в который дополнительно вводят гидроксиламин сернокислый, диаммоний фосфат, эмульсию полисилоксановых смол и биоцид, а также изменением технологии его получения. Все компоненты берутся в следующих количествах, мас.85 -ная ортофосфорная кислота 10-50 крахмал 3-10 гидроксиламин сернокислый 15-25 диаммоний фосфат 10-15 эмульсия...

Номер патента: 15095

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Ильющенко Александр Федорович, Петров Игорь Валентинович, Шуганов Александр Дмитриевич, Ильющенко Татьяна Александровна, Шевцов Александр Иванович

МПК: B22F 9/02, B01J 3/08, C04B 35/626...

Метки: покрытий, нанесения, или, способ, керамического, газотермических, нанопорошка, металлического, получения

Текст:

...ее в реактор, создают вакуум или среду необходимого газа, осуществляют взрыв шихты и извлекают нанопорошок. Изобретение дает возможность снизить затраты времени на получение нанопорошка за счет исключения поэтапных операций механического измельчения спека для формирования частиц. Кроме того, повышается содержание наноразмерной фракции порошка за счет сверхбыстрой конденсации частиц из паровой фазы. Металлические и керамические...

Номер патента: 15112

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Гончаров Виктор Константинович, Шиман Дмитрий Иванович, Козадаев Константин Владимирович

МПК: B82B 1/00, B22F 9/06, B22F 9/00...

Метки: пленки, серебра, полимерной, способ, содержащей, размером, частицы, менее, формирования

Текст:

...лазерного излучения высокой интенсивности 108-109 Вт/см 2 образуется эрозионный лазерный факел, который состоит из паров,плазмы и жидкокапельной фазы материала мишени. При этом в факеле содержатся мелкие(40-50 нм) жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5, 6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути...

Номер патента: 15198

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Протасов Семен Корнеевич, Боровик Андрей Александрович

МПК: B01D 46/06

Метки: разделения, парогазожидкостных, систем, каплеотбойник

Текст:

...корпус, в котором расположены друг над другом горизонтальные отбойные пластины таким образом, что они образуют по меньшей мере две двухскатные крыши, расположенные по всему сечению корпуса, а в каждом зазоре между нижними отбойными пластинами соседних скатов установлены вертикальные перегородки с горизонтальными сливными пластинами внизу. Такое конструктивное решение позволяет за счет установки двух и более двухскатных крыш по всему...

Номер патента: 15142

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сеньков Гераклит Максимилианович, Сидоренко Александр Юрьевич, Жаврид Александр Степанович, Агабеков Владимир Енокович

МПК: B01J 21/12, C07C 13/40, C07C 5/29...

Метки: способ, получения, камфена

Текст:

...Лесохимик состава (ГОСТ 1571-82) 78,2 мас.-пинена, 28,7 мас.3 карена и небольшое количество камфена и дипентена. Состав скипидара приведен в табл. 1. Скипидар подвергали ректификации на колонке диаметром 1,2 см и высотой 1,5 м с насадкой из колец Рашига. После трехкратной перегонки получена фракция, содержащая 97,5 мас.-пинена. Ее состав приведен в табл. 1. Таблица 1 Углеводородный состав образцов скипидара и -пинена Углеводородный состав,...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 23/06, C01G 28/00...

Метки: способ, материалов, полупроводниковых, основе, получения, гетероструктуры

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 15100

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Коротеев Артур Олегович, Цумарев Юрий Алексеевич, Емельянов Светозар Николаевич, Александров Валерий Михайлович, Березиенко Валерий Петрович

МПК: B23K 11/11

Метки: контактной, сварки, способ, точечной, деталей, оцинкованной, стали

Текст:

...ее во времени. Это обеспечивает сохранность защитного цинкового покрытия и сводит к минимуму взаимодействие рабочих поверхностей электродов с нагретым покрытием. Благодаря тому что продолжительность проковки определяют по формуле ков 2, электроды и защитное цинковое покрытие к моменту окончания проковки и св начала подъема подвижного электрода успевают охладиться и затвердеть в достаточной мере, чтобы не разрушать элементы покрытия за...

Номер патента: 15122

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кончиц Виктор Владимирович, Докучаева Светлана Ивановна, Радько Михаил Михайлович

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, европейского, сома, сеголетков, пруду, способ

Текст:

...тем, что способ выращивания сеголетков европейского сома осуществляется в пруду, при котором в пруд высаживают 8-9-суточные личинки европейского сома в количестве 1,0-1,5 тыс. экз./га и выращивают в поликультуре с карпом, причем 3-суточные личинки карпа в количестве 100 тыс. экз./га или мальки карпа в количестве 50 тыс. экз./га высаживают одновременно с личинками европейского сома или спустя 1-2 суток. Заявленные признаки в формуле изобретения...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: покрытие, функциональное, пластины, кремниевой, полупроводниковой, 111, ориентации

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Номер патента: 15080

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, функциональное, кремниевых, покрытие, ориентации, полупроводниковых, пластин

Текст:

...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, кремниевой, полупроводниковой, функциональное, покрытие, пластины, 111

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Номер патента: 15079

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функциональное, кремниевых, 111, покрытие, ориентации, пластин, полупроводниковых

Текст:

...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, пластин, 111, изготовления, полупроводниковых, ориентации, способ

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, полупроводниковых, способ, ориентации, 111, пластин, кремния

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15191

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, пластинах, покрытия, формирования, способ, полупроводниковых, кремниевых, 111, функционального

Текст:

...основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, пластин, изготовления, 111, полупроводниковых, ориентации, способ

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, полупроводниковых, изготовления, 111, ориентации, кремния, пластин

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 15078

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, покрытия, функционального, 111, формирования, способ, пластин, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное...

Номер патента: 15189

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функционального, способ, формирования, кремниевых, 111, пластинах, ориентации, полупроводниковых, покрытия

Текст:

...первичного элемента окна или островка нитрида кремния принципиального значения не имеет. Важно, чтобы все вновь вписываемые элементы рисунка были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые островки не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе...

Номер патента: 15188

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, 111, полупроводниковых, ориентации, покрытия, способ, функционального, формирования, пластинах

Текст:

...плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересе 5 15188 1 2011.12.30 чения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: изготовления, 111, структуры, способ, кремниевой, эпитаксиальной, ориентации

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15260

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, 111, полупроводниковая, ориентации, пластина

Текст:

...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...

Номер патента: 15305

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, пластина, ориентации, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...

Номер патента: 15278

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Юркштович Татьяна Лукинична, Бутрим Наталья Степановна, Бильдюкевич Татьяна Дмитриевна, Бутрим Сергей Михайлович

МПК: A61K 9/08, A61K 47/36, C08B 31/06...

Метки: натриевой, частично, соли, сульфоэфиры, замещенные, лекарственных, пролонгирующего, качестве, карбоксикрахмала, водных, агента, инъекционных, форм

Текст:

...методом 3 после десульфатирования в 6 растворев течение 2 ч на кипящей водяной бане. Степень замещения по сульфоэфирным группам рассчитывали по формуле,3200102 где 162,1 - молекулярная масса АГЗ СЗ- степень замещения по карбоксилатным группам- содержание серы, мас. . Молекулярную массу иводорастворимых производных крахмала изучали методом высокоэффективной эксклюзионной хроматографии хроматограф 1200, колонка- 40 8 ,...