G30B 1/00 — G30B 1/00
Способ выращивания монокристалла купрата иттрия-бария
Номер патента: 12020
Опубликовано: 30.06.2009
Автор: Каланда Николай Александрович
МПК: G30B 1/00
Метки: купрата, иттрия-бария, способ, монокристалла, выращивания
Текст:
...нагревают таблетку до температуры ее плавления,охлаждают до температуры начала кристаллизации со скоростью 15 К/ч, затем охлаждают до температуры 1240 К со скоростью 0,5 К/ч, а затем - до температуры 1210 К со скоростью 1,2 К/ч до получения указанного монокристалла. Сущность изобретения заключается в использовании в качестве исходных реагентов фаз 439- и ВаС 22 для проведения прямого синтеза без промежуточных фаз, ликвидации неравновесности...