Соловьев Ярослав Александрович

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872, H01L 21/329

Метки: шоттки, способ, изготовления, диода

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Номер патента: 8992

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/316, C23C 16/40, C23C 16/455...

Метки: борофосфоросиликатного, получения, стекла, способ, пленки

Текст:

...откачке.Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено.Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Подача в реактор паров ТЭОС, ФСС и БСС после стабилизации их потоков продувкой паров, минуя реактор(сначала по сбросовь 1 м магистралям пары реагентов подаются на скруббер, производится стабилизация их потоков, а затем переключением соответствующих клапанов производится...

Номер патента: 8991

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Шкуратов Александр Георгиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: C23C 16/455, H01L 21/316, C23C 16/40...

Метки: стекла, осаждения, пленки, способ, фосфоросиликатного

Текст:

...реактор, после осаждения пленки фосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу в реактор паров фосфоросодержащего соединения,осаждают адгезионный слой двуокиси кремния толщиной 10-25 нм без изменения температуры реактора и давления и прекращают подачу паров тетраэтоксисилана, при этом в качестве фосфоросодержащего соединения используют диметилфосфит, триэтилфосфит,триметилфосфит или триметилфосфат, дополнительно...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кавунов Андрей Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/60, H01L 23/48, H01L 23/482...

Метки: прибора, металлизация, полупроводникового

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/482, H01L 21/60...

Метки: металлизация, полупроводникового, прибора

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кристаллодержателю, прибора, кристалла, присоединения, способ, полупроводникового, кремниевого

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: полупроводникового, кремниевого, способ, кристалла, кристаллодержателю, прибора, присоединения

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Пеньков Анатолий Петрович

МПК: H01L 29/47, H01L 21/329, H01L 21/328...

Метки: изготовления, шоттки, диода, способ

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...