Патенты с меткой «кремниевых»

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Гуринович Валентина Артемовна, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: термообработки, структур, способ, кремниевых

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: системы, металлизации, кремниевых, изготовления, полупроводниковых, приборов, способ

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10299

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Мурин Леонид Иванович, Комаров Борис Анатольевич

МПК: H01L 21/66, G01L 27/00

Метки: определения, глубоких, методом, железа, емкостной, концентрации, способ, p+-n-структурах, уровней, спектроскопии, кремниевых

Текст:

...неразрушающего контроля к промышленным диффузионным переходам, в особенности к кремнию -типа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения концентрации железа в кремниевых рструктурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней кремниевые рструктуры облучают при комнатной температуре высокоэнергетическими частицами с энергиями частиц больше граничной энергии для образования пар Френкеля в кремнии и такой дозой,...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: кремниевых, пленочная, токопроводящая, полупроводниковых, приборов, система

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: интегральных, остатков, микросхем, полимерных, изготовлении, состав, удаления, металло-кремнийорганических, кремниевых

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: способ, металлизации, полупроводниковых, кремниевых, изготовления, приборов, системы

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/322, H01L 21/26, H01L 21/263...

Метки: приборов, обработки, полупроводниковых, радиационной, способ, кремниевых

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/26

Метки: схем, способ, интегральных, кремниевых, изготовления, мдп

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, кремниевых, изготовления, геттером, способ, полупроводниковых

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Аношин Валерий Михайлович, Захарик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/316

Метки: планаризации, способ, кремниевых, структур

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....

Номер патента: 2358

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Тюлин Олег Владимирович, Баранов Игорь Ливерьевич

МПК: H01L 21/306

Метки: устройство, обработки, пластин, электрохимической, кремниевых

Текст:

...прижимаются уплотнительными кольцами 6, 6 с помощью их резьбового соединения с держателями 3, 3. Это обеспечивает надежный электрический контакт электродовкремниевых пластин 5,5 с токопроводами 4,4 и изоляцию последних от электролита 2. В электролит 2 между электродами-кремниевыми пластинами 5, 5 помещен держатель 7, изолирующий от электролита 2 и помещенных в него обрабатываемых кремниевых пластин 9, цилиндрический электрод 8. К кремниевым...

Номер патента: 1688

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Сергеев Виктор Петрович, Солодуха Виталий Александрович, Роговой Владимир Иванович

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, кремниевых, способ, удаления, поверхности, фоторезиста

Текст:

...опасностью растрескивания пластин вследствие большого перепада температуры при последующей промывке пластин в деионизованной воде с температурой 5010. Деионизованная вода, в которой отмываются пластины от остатков серной кислоты, содержит примеси органического происхождения, как-то частицы ионообменных смол, микроорганизмы. Для их разложения вводится путем барботирования озоносодержащий газ. Органические примеси при концентрации озона 3, 12...