H05H — Плазменная техника

Номер патента: U 10210

Опубликовано: 30.08.2014

Автор: Оковитый Василий Вячеславович

МПК: H05H 1/00

Метки: нанесения, покрытия, плазмотрон

Текст:

...расширения металла основы и керамического слоя, а также неравномерности распределения температурного поля в покрытии. Термомеханические напряжения усугубляются действием остаточных напряжений, возникающих в покрытии при напылении, и ослабляются эффектами пластичности и ползучести, реализующимися в металлическом подслое. Многослойное покрытие формируется из порошков(фракция 40-50 мкм,плотность 8100 кг/м 3) и 2-7 23 (фракция менее 40,...

Номер патента: 17727

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Ажаронок Виктор Васильевич, Чубрик Николай Иванович, Филатова Ирина Ивановна, Трухачёв Федор Михайлович

МПК: H05H 15/00

Метки: ускорения, послесвечении, наноразмерных, способ, газоразрядной, микро, частиц, пылевых, плазмы, заряженных

Текст:

...для исследований параметров пылевой плазмы высокочастотного емкостного разряда приведена на фиг. 1, где 1 - вакуумная камера, 2 - верхний электрод, 3 - нижний электрод, 4 - кварцевые пластины, 5 - излучатель, 6 - высокочастотный генератор, 7 - индуктор, 8 - вольтметр, 9 -вольтметр, 10 проходной конденсатор, 11 - источник питания постоянного тока, 12 -электрический пе 2 17727 1 2013.12.30 реключатель, 2 - электрическая емкость между...

Номер патента: U 9421

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Полыко Валерий Владимирович, Бордусов Сергей Валентинович, Мадвейко Сергей Игоревич, Достанко Анатолий Павлович, Цивако Алексей Александрович

МПК: H05H 1/00

Метки: среды, обработки, свч, система, определения, проведения, плазмообразующей, плазмохимической, оптимального, процессов, давления

Текст:

...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...

Номер патента: U 9472

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: H05H 1/54, C23C 14/24

Метки: плазмы, импульсный, генератор, нанесения, покрытий, электроэрозионной, алмазоподобных

Текст:

...импульсный вакуумно-дуговой разряд, факел плазмы которого распространяется от рабочей конической поверхности катода в сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом генератора,которые связаны между собой электрической цепью, включающей последовательно соединенные соленоид и основную конденсаторную батарею, отрицательный полюс которой...

Номер патента: U 9423

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Оковитый Василий Вячеславович

МПК: H05H 1/00

Метки: покрытия, нанесения, плазмотрон

Текст:

...ввода порошка в область установившегося плазменного потока следует отнести периодическое заплавление порошком с высокой температурой плавления плазменного канала, из-за чего приходится прерывать технологический процесс для чистки канала. Подача порошка на срез плазмотрона снижает время пребывания частиц порошка в плазменной струе (на порядок в сравнении с вводом порошка в начальную область). Однако при достаточной мощности плазменной струи и...

Номер патента: U 8930

Опубликовано: 28.02.2013

Автор: Оковитый Василий Вячеславович

МПК: H05H 1/00

Метки: деталей, внутренние, плазмотрон, покрытия, поверхности, нанесения

Текст:

...Катодный узел 1 состоит из катода 5, ко 2 89302013.02.28 торый с помощью резьбового соединения закреплен в корпусе 6. Резьбовой способ крепления катода 5, изготовленного из лантанированного вольфрама, обеспечивает его надежное крепление и при необходимости быструю регулировку за счет изменения зазора между катодом 5 и водоохлаждаемым анодом 7 в процессе эксплуатации плазмотрона по мере износа катода 5 при вкручивании пробки 8 (фиг. 2)....

Номер патента: 16787

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Шараховский Леонид Иванович, Шараховский Александр Иванович

МПК: B01J 19/08, H05H 1/00

Метки: межэлектродная, плазмотрона, вставка

Текст:

...холодный газ вводится ниже по потоку, чем более горячий. Благодаря оттеснению по ходу потока горячего газа к оси более холодным вводимым ниже газом, в таком потоке формируется пограничный слой с радиальным температурным градиентом, характеризующимся понижением температуры и, соответственно, повышением плотности по направлению к стенке. В интенсивном поле центростремительных ускорений, достигающих в вихревом потоке многих десятков , такой...

Номер патента: U 8893

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Купрацевич Юрий Николаевич, Голозубов Андрей Леонидович, Голозубова Анна Алексеевна, Ворончук Виталий Александрович

МПК: H05H 1/26, C23C 4/00

Метки: анод, покрытий, наненсения, плазмотрона, плазмохимического

Текст:

...счет повышения стабильности процесса путем создания условий, обеспечивающих поддержание заданной концентрации реагентов в плазменной струе, что приведет к снижению себестоимости изготовления деталей и получению за счет этого экономического эффекта. Для решения поставленной задачи в конструкцию анода плазмотрона внесены изменения. Анод плазмотрона для плазмохимического нанесения покрытий, выполненный в виде детали цилиндрической формы, которая...

Номер патента: U 8424

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Архипенко Валерий Иванович, Згировский Сергей Михайлович, Симончик Леонид Васильевич

МПК: B01J 19/00, H05H 1/24

Метки: атмосферном, давлении, разряда, конверсии, газового, неравновесной, топлива, углеводородного, плазме, устройство

Текст:

...камеру с секциямии , три электрода, два источника питания постоянного тока, систему подачи газа, систему подачи реакционной смеси, систему отвода продуктов конверсии секции выполнены разделенными средним электродом с центральным отверстием порядка 2 мм электроды секций выполнены разноудаленными от среднего электрода и подключены к источникам питания, при этом минус первого источника питания соединен через первый балластный резистор с...

Номер патента: 16199

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05H 1/24, C23C 14/24

Метки: источник, импульсный, плазмы, технологический, вакуумно-дуговой

Текст:

...если каждый узел первичного плазмообразования содержит от 2 до 10 изоляторов. Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков импульсного вакуумно-дугового технологического источника плазмы,подтверждает новизну предлагаемого изобретения. Признать же отличительные признаки существенными позволяет наличие ряда нижеперечисленных положительных факторов,способствующих решению задачи,...

Номер патента: 16022

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Минько Дмитрий Вацлавович, Кузнечик Олег Ольгердович

МПК: H05H 1/26

Метки: плазмотрон, импульсно-периодический

Текст:

...блок импульсно-периодического питания и разрядное устройство с последовательно расположенными ускорительным каналом в виде установленных коаксиально электродов анода и катода, подключенных к блоку импульсно-периодического питания, и блоком генерации и ввода плазмы, установленным в глухом торце ускорительного канала и выполненным в виде диска с размещенными по периметру плазмотронами непрерывного действия, выходные отверстия которых...

Номер патента: 15523

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шараховский Леонид Иванович, Шараховский Александр Иванович

МПК: H05H 1/42, C23C 4/00

Метки: напыления, сверхзвуковой, внешним, плазменного, расширением, термического, струи, способ

Текст:

...с помощью кольцевой конически сходящейся двухфазной струи, окружающей плазменную струю, истекающую из плазмотрона, размещенного на оси потока. После смешения двухфазной струи с плазменной струей образовавшийся смешанный поток авторы предлагают ускорять с помощью сопла Лаваля, которое еще может быть дополнительно оборудовано, согласно предложению авторов, смесительной предкамерой вверх по потоку. Недостатком такого устройства являются очень...

Номер патента: 15554

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Архипенко Валерий Иванович, Симончик Леонид Васильевич, Усаченок Максим Сергеевич, Гусаков Евгений Зиновьевич

МПК: H05H 1/46

Метки: параметрической, способ, неоднородной, устройство, реализации, неустойчивости, плазмы, абсолютной, подавления

Текст:

...дополнительной СВЧ волны, выход которого через подводящий волновод соединен с объемом с неоднородной плазмой, соединенным через принимающий волновод с третьим ферритовым вентилем, подключенным через узкополосный фильтр ко входу СВЧ детектора. Генератор дополнительной СВЧ волны выполнен с частотой генерации больше или меньше частоты 2 15554 1 2012.02.28 генерации СВЧ волны накачки на величину от 0,95 до 1 МГц и мощностью меньше пороговой...

Номер патента: 15519

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Акула Игорь Петрович, Зеленковский Эдуард Михайлович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: электроэрозионной, пленки, алмазоподобной, нанесения, тонкой, генератор, импульсный, плазмы

Текст:

...сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом генератора, которые связаны между собой электрической цепью, подключенной к основной конденсаторной батарее, отрицательный полюс которой соединен с катодом, а положительный - с анодом генератора. Зона возбуждения инициирующего импульсного дугового разряда перемещается от импульса к импульсу, что...

Номер патента: 14906

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Оковитый Василий Вячеславович, Девойно Олег Георгиевич, Шевцов Александр Иванович, Оковитый Вячеслав Александрович

МПК: H05H 1/00

Метки: покрытия, плазмотрон, нанесения

Текст:

...его в плазменную струю затруднено из-за максимальной энергетической плотности плазмы и неустановившейся турбулентности плазмообразующего газа. Кроме того, впрыскивание порошка в плазменную струю производится транспортирующим газом с температурой окружающей среды, в результате чего в этой области происходит его быстрый нагрев и расширение. Указанное явление препятствует проникновению частиц порошка в сечение плазменной струи. Из-за...

Номер патента: U 7416

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Минько Дмитрий Вацлавович, Кузнечик Олег Ольгердович

МПК: B23K 10/00, H05H 1/26

Метки: импульсно-периодический, плазмотрон

Текст:

...и стабильность его энергетических характеристик на выходе, что обеспечит равномерную модификацию свойств поверхности материалов и покрытий. Технический результат достигается тем, что в импульсно-периодическом плазмотроне, содержащем импульсно-периодический блок питания и разрядное устройство,включающее последовательно расположенные ускорительный канал в виде коаксиально расположенных электродов анода и катода, которые подключены к...

Номер патента: U 7362

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Старовойтов Александр Михайлович, Голозубов Андрей Леонидович, Голозубова Анна Алексеевна

МПК: H05H 1/26

Метки: нанесения, плазмотрона, анода, покрытий, плазмохимического, конструкция

Текст:

...входной поверхностью,внутренним коаксиальным каналом для стабилизации плазменной струи и наружным коаксиальным каналом для ламинеризации плазменной струи. Внутренний коаксиальный канал дополнительно снабжен проходными отверстиями для подачи паров реагента. В предлагаемой конструкции анода плазмотрона для плазмохимического нанесения покрытий, ввод реагента в паровой фазе осуществляется раздельно с плазмообразующим газом и происходит не в...

Номер патента: 14068

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Симончик Леонид Васильевич, Архипенко Валерий Иванович, Сафронов Евгений Александрович

МПК: H05H 1/24

Метки: устройство, трехэлектродной, системе, способ, молекулярных, атмосферном, неравновесной, газах, давлении, получения, объемной, реализации, плазмы

Текст:

...плазмы при атмосферном давлении в молекулярных газах в трехэлектродной системе, заключающийся в том, что обеспечивает проток инертного газа, например гелия или неона, или аргона, через отверстие в среднем 2 14068 1 2011.02.28 электроде из первой во вторую секцию разрядной камеры, с зажиганием самостоятельного нормального тлеющего разряда между средним электродом и электродом-катодом первой секции посредством сведения до касания и...

Номер патента: 14060

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: источник, сильноточный, вакуумно-дуговой, импульсный, плазмы, технологический

Текст:

...запасенной во вспомогательной конденсаторной батарее и сопровождается интенсификацией процесса получения инициирующей плазмы. Под действием бомбардировки электронами, извлекаемыми из плазмы разряда, происходит локальный разогрев материала катода в отдельных микровыступах,всегда имеющихся на расходуемом торце катода. В то же время инициирующая плазма перемыкает вакуумный промежуток, образованный электродом-экраном и поджигающим...

Номер патента: 13847

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01J 27/00, H01L 3/00, H01J 27/02...

Метки: источник, ионный

Текст:

...7, изолятор 8 между анодом 1 и фланцем 9 и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием (на чертеже не показано), в которое введен анод 1. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 11, снабженная корпусом 12. Внешняя магнитная система 5 и дополнительная магнитная система 6 ориентированы одноименными...

Номер патента: U 6837

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: плазмы, импульсный, вакуумно-дуговой, источник, технологический

Текст:

...Предпочтительно, если количество узлов первичного плазмообразования выбрано из интервала 2-8, а количество конденсаторных блоков - из интервала 2-4. Лучше, если каждый узел первичного плазмообразования оснащен, по меньшей мере,еще одним изолятором с инициирующим тонкопленочным токопроводом, а инициирующий электрод выполнен с возможностью обеспечения плотного прижима каждого изолятора к соответствующему поджигающему электроду. Удобно,...

Номер патента: U 6279

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Страх Николай Федорович, Богданов Юрий Сергеевич

МПК: H05H 1/24

Метки: плазмотрон, покрытий, нанесения

Текст:

...деталей, которые имеют сложную форму, что увеличивает трудоемкость изготовления и усложняет операции по замене элементов. Для замены стержневого электронноэмиссионного элемента необходимо разобрать катод, а для замены сопла - анод. Кроме того, система охлаждения включает четыре штуцера и корпусные рубашки, что усложняет конструкцию плазмотрона, а также повышает материалоемкость. Задачей полезной модели является упрощение...

Номер патента: U 6312

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Зеленковский Эдуард Михайлович, Акула Игорь Петрович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: импульсный, нанесения, генератор, покрытий, плазмы, алмазоподобных, электроэрозионной

Текст:

...поверхности катода возникают локальные катодные пятна и между электродом поджига и рабочей конической 3 63122010.06.30 поверхностью катода происходит предварительный импульсный вакуумно-дуговой разряд, факел плазмы которого распространяется от рабочей конической поверхности катода в сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом...

Номер патента: U 5669

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович, Чекан Николай Михайлович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: плазмы, источник, вакуумно-дуговой, технологический, импульсный

Текст:

...расходуется 1,22,5 мм высоты подлежащего расходованию участка катода, при этом радиус катода из-за наличия конусности уменьшается на 0,10,2 мм при угле уклона 5 и на 0,71,4 мм при угле уклона 30. Поскольку величина зазора между катодом и электродом-экраном ограничена значением 2,5 мм, а исходное ее значение равно 1,5 мм, высота израсходованной части материала катода составляет максимум 2 мм при угле уклона 30 и 12 мм при угле уклона 5. В...

Номер патента: U 5165

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Кириллов Андрей Алексеевич, Симончик Леонид Васильевич, Згировский Сергей Михайлович, Архипенко Валерий Иванович

МПК: H05H 1/24

Метки: водорода, атмосферного, неравновесной, диссоциации, давления, получения, соединений, водородосодержащих, плазме, газообразных, устройство

Текст:

...разряде в камере. Устройство содержит систему подачи газовой смеси 1, систему электропитания 2, камеру 3 для получения плазмы ТРАД между стержневым анодом 4 и плоским катодом 5 со сквозными отверстиями для отвода газов. Система подачи газов 1 в камеру 3 состоит из баллонов с газами 6, 7 (инертным и водородосодержащим соответственно), ротаметров 8,9 и газопровода 10. Система электропитания 2 состоит из нестабилизированного источника...

Номер патента: U 4887

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович, Чекан Николай Михайлович

МПК: H05H 1/00, C23C 14/24

Метки: импульсный, вакуумно-дуговой, источник, плазмы, технологический

Текст:

...увеличение межпрофилактического ресурса высоконадежного функционирования технологического импульсного вакуумно-дугового источника плазмы с высокой равномерностью выработки расходуемого торца катода. Поставленная задача достигается тем, что в известном технологическом импульсном вакуумно-дуговом источнике плазмы, содержащем охлаждаемый кольцевой нерасходуемый анод, установленный соосно с ним и выполненный с возможностью осевого перемещения...

Номер патента: U 4905

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Кузмицкий Антон Михайлович, Авраменко Владимир Борисович

МПК: H05H 1/00

Метки: генерации, потоков, плазменных, устройство

Текст:

...разряда составляет 1-2 мм, при этом диэлектрические выступы канала разряда над замкнутыми электродами больше 2 мм. Совокупность указанных признаков позволяет решить поставленную техническую задачу за счет того, что электроды, выполненные с осевыми отверстиями и расположенные симметрично каналу разряда, утоплены в корпус на глубину, превышающую два диаметра плазменных струй из электродных пятен (больше 2 мм), что предотвращает их...

Номер патента: 11283

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Бублиевский Александр Федорович, Скоморохов Дмитрий Сергеевич, Жданок Сергей Александрович, Горбунов Андрей Васильевич, Галиновский Антон Александрович, Коваль Виталий Александрович

МПК: B82B 3/00, B01J 19/08, C01B 31/00...

Метки: наноструктур, углеродных, способ, получения

Текст:

..., причем соотношение концентраций этилена и ацетилена в пирогазе - 0,4-2,0. В ходе работы реактора (аналогично тому, как это реализуется в процессе 2) в нижней части его канала в непрерывном режиме производится закалка высокотемпературного потока (закалочный реагент - жидкое дизельное топливо или другие жидкие углеводороды) путем затопления высокотемпературной азотно-углеводородной струи пирогаза со скоростью 5104-5105 К/с в барботажном...

Номер патента: U 4757

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Ермолаева Елена Михайловна, Кнак Александр Николаевич, Горбунов Андрей Васильевич, Баранышин Евгений Александрович, Галиновский Антон Александрович

МПК: H05H 1/24

Метки: плазмотрон, электродуговой

Текст:

...камеры. Между катодом и анодом прикладывают напряжение холостого хода. Затем с помощью устройства поджига пробивают межэлектродный промежуток, после чего загорается дуга, которая выдувается плазмообразующим газом в разрядную камеру. Для охлаждения катода и анода в штуцеры подвода хладоагента вводят воду к внутренним полостям корпусных рубашек охлаждения. Отвод хладоагента осуществляют через штуцеры отвода. Недостатком электродугового...

Номер патента: 10941

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Белявин Климентий Евгеньевич, Хроленок Валерий Васильевич, Минько Дмитрий Вацлавович, Кузнечик Олег Ольгердович

МПК: H05H 1/00, H05H 1/24

Метки: плазмы, ускоритель

Текст:

...только от отношения площади выходного сечения к площади его критического сечения и не зависит в широких пределах от изменения давления перед соплом. Конфигурация внешнего электрода в данном ускорителе является постоянной, поэтому для изменения параметров потока на выходе из ускорителя необходимо заменять электрод. Техническая задача, решаемая изобретением, - расширение технологических возможностей ускорителя плазмы за счет регулирования...

Номер патента: U 4557

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Архипенко Валерий Иванович, Гусаков Евгений Зиновьевич, Трухачев Федор Михайлович, Симончик Леонид Васильевич

МПК: H05H 1/24

Метки: параметрической, устройство, неустойчивости, подавления, плазме

Текст:

...плазмой в магнитном поле 1, подводящий волновод 2, принимающий волновод 3, свип-генератор 4, генератор зондирующей волны 5,узкополосный фильтр 6, СВЧ детектор 7, СВЧ тройник 8, ферритовые вентили 9, 10, 11. Согласно полезной модели выход генератора зондирующей волны 5 через вентиль 9 подключен ко входу А СВЧ тройника 8. Выход СВЧ тройника соединен с волноводом 2,который подводит СВЧ излучение к плазменному объему 1. Принимающий...

Номер патента: U 4567

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: технологический, импульсный, генератор, вакуумно-дуговой, плазмы

Текст:

...конусной поверхности расходуемого электрода выбран из интервала 520 . Отличием предлагаемого технологического импульсного вакуумно-дугового генератора плазмы является и то, что экран выполнен с возможностью подвода к нему электрического напряжения. Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового генератора плазмы,подтверждает новизну полезной модели....

Номер патента: 10612

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гутько Владимир Иванович, Хильманович Анатолий Мартынович, Хильманович Дмитрий Анатольевич

МПК: H05H 3/00, G21G 4/00

Метки: быстрых, нейтронов, генератор

Текст:

...с источником высокого напряжения 6 с помощью потенциаловводов 7, делителей напряжения 8 и земляного электрода 9 обеспечивают ускорение дейтронов при движении от источников 1 и 3, находящихся под высоким потенциалом, и электродом 9 в середине ионопровода, заземленным с помощью шины 10. Соленоид 11 препятствует попаданию дейтронов на стенку ионопровода. Ввод в генератор нейтронов электронных пучков 12 компенсирует кулоновское поле...

Номер патента: 10686

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Смягликов Игорь Петрович, Золотовский Анатолий Иванович

МПК: H05H 1/26, C23C 4/12, B23K 9/04...

Метки: покрытий, нанесения, устройство

Текст:

...с металлургической связью на металлические изделия без использования защитной камеры при подаче в качестве транспортирующего газа аргона и позволяет использовать как мелкодисперсные порошки, так и порошки с низкой плотностью частиц. Снижение начальной скорости частиц, поступающих в приэлектродную область дуги, достигается наличием в плазменном сопле нижней кольцевой распределительной полости, связанной с каналами локальной подачи порошка...

Номер патента: U 4435

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Биленко Эдуард Григорьевич, Ших Сергей Константинович, Белый Алексей Владимирович

МПК: C23C 14/48, H05H 1/00

Метки: анодным, слоем, ускоритель, протяженный

Текст:

...ионно-лучевой обработки и расширение технологических возможностей за счет возможности обработки двух поверхностей листовых деталей за одну установку. Поставленная задача решается за счет того, что в протяженном ускорителе с анодным слоем, включающем корпус с постоянными магнитами, катод и анод, ускоряющие щели ускорителя расположены оппозитно друг к другу и направлены во внутрь ускорителя. Сущность предложенной полезной модели поясняется...

Номер патента: 10597

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Згировский Сергей Михайлович, Симончик Леонид Васильевич, Архипенко Валерий Иванович

МПК: H05H 1/24, H05B 7/144

Метки: неравновесной, получения, атмосферном, давлении, плазмы, разряда, тлеющего, устройство

Текст:

...узлы, системы охлаждения, подачи-отвода газа и электропитания. Новым, по мнению авторов, является то, что система электропитания дополнительно содержит источник питания пульсирующего напряжения, подключенный параллельно к стабилизированному источнику питания, причем положительные полюса источников соединены через балластные резисторы с анодом, отрицательные полюса соединены с катодом, а развязка источников осуществляется с помощью диода. Общий...

Номер патента: 10555

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: вакуумно-дуговой, плазмы, импульсный, источник

Текст:

...в направлении какой-нибудь образующей вышеупомянутых конусно-сопряженных поверхностей. Более того, такое техническое решение обеспечивает частичное залечивание электроэрозионной выработки за счет осаждения в ней части плазмы основного импульсного вакуумно-дугового разряда. Выполнение схемы питания с возможностью обеспечения второго вспомогательного разряда между расходуемым электродом и кольцевым экраном, охватывающим боковую...

Номер патента: U 4357

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Бублиевский Александр Федорович, Галиновский Антон Александрович, Кухарчук Игорь Григорьевич, Баранышин Евгений Александрович, Долголенко Григорий Васильевич, Ермолаева Елена Михайловна, Никончук Александр Николаевич, Горбунов Андрей Васильевич, Коваль Виталий Александрович

МПК: H05H 1/26, B23K 10/00, H05H 1/24...

Метки: реактор, плазменный, основе, сырья, пестицидов, жидкого, веществ, переработки, взрывчатых

Текст:

...установлена форсунка, выполненная в виде пневматического распылителя. Кроме того, электродуговой плазмотрон постоянного тока выполнен с двумя электродами и одним газовым кольцом и генерирует струю воздушной плазмы со среднемассовой температурой на выходе из плазмотрона в диапазоне 3000-4000 К, корневой угол раскрытия факела распыла капель жидкого сырья пневматического распылителя составляет 0,20,4 радиана, длина дополнительно введенной...

Номер патента: 9264

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05H 1/24, H05H 1/48, C23C 14/24...

Метки: технологический, вакуумно-дуговой, плазменный, ускоритель, импульсный

Текст:

...Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового плазменного ускорителя, подтверждает новизну предлагаемого изобретения. Вышеуказанная форма выполнения внутренней поверхности кольцевого изолятора при имеющем место отсутствии заметных следов ее повреждения в процессе достаточно продолжительной эксплуатации ускорителя позволяет эффективно использовать...

Номер патента: U 3683

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Минько Дмитрий Вацлавович, Хроленок Валерий Васильевич, Кузнечик Олег Ольгердович, Белявин Климентий Евгеньевич

МПК: H05H 1/00

Метки: ускоритель, плазмы

Текст:

...сечения и не зависит в широких пределах от изменения давления перед соплом. Конфигурация внешнего электрода в данном ускорителе является постоянной, поэтому для изменения параметров потока на выходе из ускорителя необходимо заменять электрод. Техническая задача, решаемая полезной моделью, - расширение технологических возможностей ускорителя плазмы за счет регулирования скорости потока плазмы на выходе из ускорителя. Технический результат...