Цивако Алексей Александрович

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/02, H01L 21/02

Метки: кремния, после, удаления, фоторезиста, поликристаллического, травления, способ, плазмохимического

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки

Загрузка...

Номер патента: U 9421

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Бордусов Сергей Валентинович, Мадвейко Сергей Игоревич, Цивако Алексей Александрович, Достанко Анатолий Павлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Полыко Валерий Владимирович

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмообразующей, проведения, оптимального, система, давления, плазмохимической, обработки, определения, свч, процессов, среды

Текст:

...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...