Чекан Николай Михайлович

Номер патента: 17461

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Чекан Николай Михайлович, Акула Игорь Петрович, Акулич Валерий Владимирович

МПК: G02B 5/22, C23C 16/26

Метки: корпусной, детали, способ, получения, оптического, светопоглощающее, излучения, углеродосодержащее, приемника, покрытие

Текст:

...поглощения 0,95-0,97, обеспечивающего повышение срока эксплуатации оптических приборов, работающих в различных условиях окружающей среды. Наиболее распространенным способом получения алмазоподобных углеродных покрытий является радиочастотное (РЧ) плазмохимическое осаждение из паровой фазы 6, 7. В качестве исходного материала обычно используется смесь газов (22, 4, , 2 и др.) в определенной пропорции. Типичными условиями осаждения при этом...

Номер патента: 15493

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Багаев Сергей Игоревич, Чекан Николай Михайлович, Куликов Иван Семенович

МПК: C25F 3/24

Метки: способ, электролитно-плазменного, нержавеющих, закаленных, изделий, хромистых, поверхности, полирования, сталей

Текст:

...режиме в водном растворе, содержащем сульфат аммония 1-3 мас. , фтористый аммоний 1-3 мас. , щавелевую кислоту 0,5-2 мас. , воду остальное, при напряжении 240-320 В и температуре 65-80 С. Недостатком способа является появление локальных темных пятен на поверхности при обработке изделий из закаленных сталей 2013, 3013, 4013,410,420, к тому же раствор из-за содержания щавелевой кислоты обладает высокой химической ак 2 15493 1 2012.02.28...

Номер патента: U 5669

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Чекан Николай Михайлович, Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: технологический, импульсный, вакуумно-дуговой, плазмы, источник

Текст:

...расходуется 1,22,5 мм высоты подлежащего расходованию участка катода, при этом радиус катода из-за наличия конусности уменьшается на 0,10,2 мм при угле уклона 5 и на 0,71,4 мм при угле уклона 30. Поскольку величина зазора между катодом и электродом-экраном ограничена значением 2,5 мм, а исходное ее значение равно 1,5 мм, высота израсходованной части материала катода составляет максимум 2 мм при угле уклона 30 и 12 мм при угле уклона 5. В...

Номер патента: U 4887

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович, Чекан Николай Михайлович

МПК: H05H 1/00, C23C 14/24

Метки: плазмы, импульсный, технологический, источник, вакуумно-дуговой

Текст:

...увеличение межпрофилактического ресурса высоконадежного функционирования технологического импульсного вакуумно-дугового источника плазмы с высокой равномерностью выработки расходуемого торца катода. Поставленная задача достигается тем, что в известном технологическом импульсном вакуумно-дуговом источнике плазмы, содержащем охлаждаемый кольцевой нерасходуемый анод, установленный соосно с ним и выполненный с возможностью осевого перемещения...

Номер патента: 9794

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Акула Игорь Петрович, Логуновская Нина Валентиновна, Чекан Николай Михайлович, Шпак Екатерина Петровна

МПК: B29C 33/56, C23C 14/06

Метки: литья, форма, пластмасс, способ, изготовления, изделий

Текст:

...2007.10.30 На рис. 2 представлен фрагмент литейной формы с упрочняющим химически стойким покрытием. На рис. 3 представлена схема источника плазмы импульсного катодно-дугового разряда. Тетраэдрический аморфный углерод относится к классу безводородных алмазоподобных материалов с высоким содержанием 3-гибридизированных связей углерода (порядка 85 ), характеризующийся высокой твердостью, близкой к твердости природного алмаза. Такой углеродный...

Номер патента: 5013

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Чекан Николай Михайлович, Точицкий Эдуард Иванович, Свирин Василий Тимофеевич

МПК: H01C 17/04

Метки: резистивного, получения, способ, слоя

Текст:

...и ТКС полупроводников от температуры небольшие изменения вприводят к значительному изменению этих параметров. В то же время механические,химические и иные характеристики пленки и скин-слоя практически совпадают граница пленки и скин-слоя обладает минимальной свободной энергией, обеспечивая тем самым стабильность функционирования такой системы в качестве высокоомного резистора и ус 2 5013 1 тойчивость ее к старению. При типичных...