Ших Сергей Константинович
Изделие, содержащее голографическое изображение
Номер патента: U 10238
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Ших Сергей Константинович, Белый Алексей Владимирович
МПК: B41M 3/00, C23C 28/00
Метки: содержащее, изделие, изображение, голографическое
Текст:
...на поверхности слоя полиметилметакрилата без разрушения его объема обеспечивает как сохранение голографического рельефа, так и формирование предельно тонкого адгезионного слоя. Это обеспечивается использованием разбавленных (до 10 ) растворов кислот или щелочей при температуре не более 60 С. Среду гидролиза и фактические режимы выбирают с учетом конкретного изделия и его химической стойкости. По сути, слой полиметакриловой кислоты является...
Защитное покрытие для голографического изображения
Номер патента: 18554
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович
МПК: B32B 15/00, G02B 5/32
Метки: покрытие, изображения, голографического, защитное
Текст:
...получить сплошные пленки. На планарных участках изделия пленки такой толщины являются сплошными, но на голографическом микрорельефе они являются островковыми, вследствие чего изделие приобретает склонность к локальному расслоению и потере потребительских качеств. При толщине слоя хрома более 20 нм, например 40 нм, он заметно теряет прозрачность и приобретает хрупкость, что заметно ухудшает игру света на голографическом изображении и...
Изделие, содержащее голографическое изображение
Номер патента: 18560
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Белый Алексей Владимирович, Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович
МПК: B32B 15/00, B44F 1/00, B42D 25/328...
Метки: голографическое, содержащее, изделие, изображение
Текст:
...защитного покрытия в целом. Толщина слоя хрома менее 10 нм, например 5 нм, не позволяет получить сплошные пленки. На планарных участках изделия пленки такой толщины являются сплошными, но на голографическом микрорельефе они являются островковыми, вследствие чего изделие приобретает склонность к локальному расслоению и потере потребительских качеств. При толщине слоя хрома более 20 нм, например 40 нм, он заметно теряет прозрачность и...
Способ изготовления изделия с голографическим изображением
Номер патента: 18277
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович, Ших Сергей Константинович
МПК: B42D 15/00, C23C 14/20, B82Y 30/00...
Метки: изображением, изделия, изготовления, голографическим, способ
Текст:
...дисперсию света на голографическом изображении. Диоксид кремния является абсолютно прозрачным, чрезвычайно химически стойким и очень твердым материалом. Он характеризуется высокой адгезией к слою халькогенида и защищает его от воздействия внешних факторов, в частности от окисления влагой воздуха, а также повышает износостойкость защитного покрытия в целом. Дополнительным преимуществом многослойного покрытия является усиление игры света за...
Изделие, содержащее голографическое изображение
Номер патента: U 8833
Опубликовано: 30.12.2012
Авторы: Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович
МПК: C23C 28/00, B41M 3/00, B42D 15/00...
Метки: изображение, голографическое, изделие, содержащее
Текст:
...этого слоя относительно невысока, в связи с чем его необходимо дополнительно защищать слоем инертного материала, в качестве которого выбран диоксид кремния. Диоксид кремния является абсолютно прозрачным, чрезвычайно химически стойким и очень твердым материалом. Он защищает слой сульфида цинка от воздействия внешних факторов, в частности от окисления влагой воздуха, а также повышает износостойкость защитного покрытия в целом....
Защитное покрытие для голографических изображений
Номер патента: U 8832
Опубликовано: 30.12.2012
Авторы: Ших Сергей Константинович, Сенько Сергей Федорович, Белый Алексей Владимирович
МПК: B42D 15/00, C23C 28/00, B41M 3/14...
Метки: голографических, изображений, защитное, покрытие
Текст:
...кремния. Диоксид кремния является прозрачным, химически стойким и очень твердым материалом. Он защищает слой сульфида цинка от воздействия внешних факторов, в частности от окисления влагой воздуха. Толщина слоя хрома менее 10 нм, например 5 нм, не позволяет получить сплошные пленки. На планарных участках изделия пленки такой толщины являются сплошными, но на голографическом микрорельефе они являются островковыми, вследствие чего изделие...
Способ формирования слоя с ферромагнитными свойствами на поверхности хромосодержащей аустенитной стали
Номер патента: 11506
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Белый Алексей Владимирович, Ших Сергей Константинович, Таран Игорь Иванович, Кукареко Владимир Аркадьевич
МПК: C23C 14/48
Метки: свойствами, слоя, ферромагнитными, способ, формирования, аустенитной, стали, хромосодержащей, поверхности
Текст:
...составляло 10-15 мин. Затем осуществляли прогрев образцов резистивным нагревателем до температуры 400-600 С и облучали образец потоком ионов азота, который формируется тем же ионным источником при ускоряющем напряжении 2,5-3,0 кВ с плотностью ионного тока 1,5-2,5 мА/см 2. Время обработки составляло 2 ч, при этом поглощенная доза составляла 31019 ионов/см 2. Затем выключают блок питания, подающий ускоряющее напряжение на ионный источник,...
Протяженный ускоритель с анодным слоем
Номер патента: U 4435
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Белый Алексей Владимирович, Ших Сергей Константинович, Биленко Эдуард Григорьевич
МПК: C23C 14/48, H05H 1/00
Метки: протяженный, ускоритель, слоем, анодным
Текст:
...ионно-лучевой обработки и расширение технологических возможностей за счет возможности обработки двух поверхностей листовых деталей за одну установку. Поставленная задача решается за счет того, что в протяженном ускорителе с анодным слоем, включающем корпус с постоянными магнитами, катод и анод, ускоряющие щели ускорителя расположены оппозитно друг к другу и направлены во внутрь ускорителя. Сущность предложенной полезной модели поясняется...
Способ ионно-лучевой обработки металлических изделий
Номер патента: 8740
Опубликовано: 30.12.2006
Авторы: Кукареко Владимир Аркадьевич, Белый Алексей Владимирович, Лях Анатолий Александрович, Ших Сергей Константинович, Таран Игорь Иванович
МПК: C23C 14/48
Метки: изделий, способ, обработки, металлических, ионно-лучевой
Текст:
...0 малая толщина азотированного слоя 0Задачей изобретения является расширение технологических возможностей обработки за счет повышения твердости обрабатываемой поверхности. исключения разупрочнения материала основы.Задача предлагаемого изобретения решается следующим образом. В способе ионнолучевой обработки металлических изделий. включающем воздействие в условиях вакуума на поверхность заземленного изделия сильноточного низкоэнергетического...
Устройство для сильноточной низкоэнергетической ионно-лучевой обработки
Номер патента: U 1071
Опубликовано: 30.12.2003
Авторы: Белый Алексей Владимирович, Лях Александр Анатольевич, Лях Анатолий Александрович, Ших Сергей Константинович
МПК: C23C 14/48
Метки: устройство, обработки, ионно-лучевой, низкоэнергетической, сильноточной
Текст:
...характеристик обрабатываемой детали, достигнутых предшествующими технологическими операциями. Наиболее близким является устройство для ионной имплантации погружением в плазму, в котором к обрабатываемой детали прикладываются импульсы высокого напряжения 2. Недостатком этого устройства является необходимость для получения достаточной для использования в качестве промышленного источника производительности разогрев детали до...
Устройство для сильноточного низкоэнергетического ионного азотирования
Номер патента: U 443
Опубликовано: 30.03.2002
Авторы: Белый Алексей Владимирович, Лях Анатолий Александрович, Ших Сергей Константинович
МПК: C23C 14/48
Метки: низкоэнергетического, ионного, азотирования, устройство, сильноточного
Текст:
...сильное распыление стенок полого катода, приводящее к неконтролируемому загрязнению ионного потока. Задачей полезной модели является повышение производительности и снижение степени загрязненности поверхности обрабатываемых деталей. Задача решается следующим образом. В устройстве для сильноточного низкоэнергетического ионного азотирования, состоящего из камеры - анода, внутри которого расположен полый катод с экраном и подложка для...