Патенты с меткой «ионный»
Ионный источник
Номер патента: 15032
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович
МПК: H01J 27/02, H01J 27/00, H01H 1/00...
Текст:
...и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием 11, в которое введен анод 1, а в зазор(на фигурах не показано) контрагирующего отверстия 11, образованного фланцем полого катода и анодом, помещен керамический изолятор 12. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 13, снабженная корпусом 14. Внешняя магнитная...
Ионный источник
Номер патента: 13847
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович
МПК: H01L 3/00, H01J 27/02, H01J 27/00...
Текст:
...7, изолятор 8 между анодом 1 и фланцем 9 и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием (на чертеже не показано), в которое введен анод 1. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 11, снабженная корпусом 12. Внешняя магнитная система 5 и дополнительная магнитная система 6 ориентированы одноименными...
Ионный источник
Номер патента: 11305
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович
МПК: H01J 27/00
Текст:
...друг другу. Для обеспечения рабочих режимов ионного источника магнитные системы достаточно собрать из ферритовых постоянных магнитов (на чертеже не показаны) с величиной магнитной индукции каждого не менее 15 мТл и размерами, обеспечивающими объем в 12 см 3 каждого, потом равномерно их расположить друг от друга внутри каждой магнитной системы с зазорами между магнитами, не превышающими их характерного поперечного размера. Возле боковой...
Ионный источник
Номер патента: 2603
Опубликовано: 30.12.1998
Авторы: Касинский Николай Константинович, Суприянович Владимир Федорович, Томаль Владимир Степанович
МПК: H05H 1/24, H05H 15/00
Текст:
...атомов вольфрама не только при термическом испарении, но также и в результате распыления ионным пучком источника, так как она находится в зоне ионного пучка с высокой плотностью тока. Этот механизм является дополнительным источником вносимых загрязнений в напыляемые оптические покрытия, сокращает время жизни катода, вызывает необходимость постоянного подрегулирования эмиссионной способности катода. Наличие вышеупомянутых источников...
Низкоэнергетичный ионный источник
Номер патента: 2013
Опубликовано: 30.12.1997
Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Стогний Александр Иванович
МПК: H05H 1/00
Метки: источник, низкоэнергетичный, ионный
Текст:
...устройства 2 больше коэффициента преобразования прототипа 1, т.к. в предлагаемом ИИ длина разрядного промежутка больше примерно на высоту конической вставки, поэтому время нахождения нейтралей в области ионообразования больше и, следовательно, больше вероятность ионизации, а из образовавшихся внутри вставки ионов лишь незначительное количество уходит на ее стенки, т.к. вставка находится под плавающим потенциалом, подавляющая часть ионов...