Патенты с меткой «ионный»

Номер патента: 15032

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01J 27/02, H01J 27/00, H01H 1/00...

Метки: источник, ионный

Текст:

...и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием 11, в которое введен анод 1, а в зазор(на фигурах не показано) контрагирующего отверстия 11, образованного фланцем полого катода и анодом, помещен керамический изолятор 12. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 13, снабженная корпусом 14. Внешняя магнитная...

Номер патента: 13847

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 3/00, H01J 27/02, H01J 27/00...

Метки: ионный, источник

Текст:

...7, изолятор 8 между анодом 1 и фланцем 9 и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием (на чертеже не показано), в которое введен анод 1. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 11, снабженная корпусом 12. Внешняя магнитная система 5 и дополнительная магнитная система 6 ориентированы одноименными...

Номер патента: 11305

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01J 27/00

Метки: ионный, источник

Текст:

...друг другу. Для обеспечения рабочих режимов ионного источника магнитные системы достаточно собрать из ферритовых постоянных магнитов (на чертеже не показаны) с величиной магнитной индукции каждого не менее 15 мТл и размерами, обеспечивающими объем в 12 см 3 каждого, потом равномерно их расположить друг от друга внутри каждой магнитной системы с зазорами между магнитами, не превышающими их характерного поперечного размера. Возле боковой...

Номер патента: 2603

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Суприянович Владимир Федорович, Касинский Николай Константинович, Томаль Владимир Степанович

МПК: H05H 15/00, H05H 1/24

Метки: ионный, источник

Текст:

...атомов вольфрама не только при термическом испарении, но также и в результате распыления ионным пучком источника, так как она находится в зоне ионного пучка с высокой плотностью тока. Этот механизм является дополнительным источником вносимых загрязнений в напыляемые оптические покрытия, сокращает время жизни катода, вызывает необходимость постоянного подрегулирования эмиссионной способности катода. Наличие вышеупомянутых источников...

Номер патента: 2013

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Стогний Александр Иванович, Свирин Василий Тимофеевич

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, низкоэнергетичный, ионный

Текст:

...устройства 2 больше коэффициента преобразования прототипа 1, т.к. в предлагаемом ИИ длина разрядного промежутка больше примерно на высоту конической вставки, поэтому время нахождения нейтралей в области ионообразования больше и, следовательно, больше вероятность ионизации, а из образовавшихся внутри вставки ионов лишь незначительное количество уходит на ее стенки, т.к. вставка находится под плавающим потенциалом, подавляющая часть ионов...