Рубан Геннадий Иосифович

Номер патента: 358

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Свиридович Олег Григорьевич, Рубан Геннадий Иосифович, Точицкий Эдуард Иванович

МПК: C23C 14/28

Метки: металлооксидных, сверхпроводников, получения, способ, высокотемпературных, пленок

Текст:

...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...

Номер патента: 360

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Буравцев А. Т., Обухов В. Е., Рубан Геннадий Иосифович

МПК: C23C 14/26

Метки: нанесения, покрытий, вакууме, устройство

Текст:

...каналов уменьшаются к периферии формирователя. Удлиненные стенки центральных КЗНЗЛОБ ОТКЛОНЯЮТ часть потока к периферии подложки. Повышение козффициента использования-материала покрытия обеспечивается за сиет 25 того, что каналы формирователя фонусируют поток пара в основном на подложку, а Не вне ее.КОГДЗ ОСИ КЗНЭПОВ направлены В зону подложкодержателя, расположеннуюзо на расстоянии ближе 0,63 от его цент ра, то перекрытие потоков пара...