Канюков Егор Юрьевич
Способ создания высокочастотного микроконденсатора на основе пленки полиимида
Номер патента: 18356
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич
Метки: пленки, полиимида, способ, высокочастотного, основе, создания, микроконденсатора
Текст:
...пФ в частотном диапазоне от 107 до 109 Гц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а главное, с необходимостью использования жесткой металлической подложки на всех стадиях изготовления микроконденсатора. Задачей заявляемого решения является упрощение способа создания высокочастотного микроконденсатора и сокращение числа технологических...
Способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора на основе полиимидной пленки
Номер патента: 16776
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич, Петров Александр Владимирович
МПК: C23C 14/34, C23C 14/04, H01F 27/28...
Метки: создания, полиимидной, пленки, микроиндуктора, обмотки, способ, основе, высокочастотного
Текст:
...мкм. На финишном этапе изготовления подложка кремния, на которой изначально формировалась многослойная структура индуктора, стравливалась,что в конечном итоге обеспечивало гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составила 10-7 Гн, а его добротность - 10 при частоте 0,1 ГГц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а...
Способ создания высокочастотного микротрансформатора
Номер патента: 16422
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Демьянов Сергей Евгеньевич, Петров Александр Владимирович, Канюков Егор Юрьевич
МПК: H01F 41/00, C23C 14/34, C23C 14/04...
Метки: микротрансформатора, создания, высокочастотного, способ
Текст:
...травления с использованием газов 2 и 3 стравливался слой - до поверхности оксида кремния на кремнии. В результате была сформирована первичная обмотка трансформатора спирального типа. Далее удалялся фоторезист и слой 2, расположенный поверх проводника -, после чего напылялся слой 2 толщиной 1,5 мкм для разделения первичной и вторичной обмоток. Аналогично первичной формировалась вторичная обмотка. Созданный таким образом планарный...