Патенты опубликованные 28.02.2012

Номер патента: 15564

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Фурманчук Лариса Александровна, Суслова Валентина Адамовна, Косенко Ирина Александровна, Литвинова Татьяна Михайловна

МПК: A61N 5/10

Метки: способ, рака, брахитерапии, матки, шейки

Текст:

...3 фракции расщепленного курса сочетанной лучевой терапии (РК СЛТ). Преимущества предлагаемого способа брахитерапии больной РШМ 1. Способ позволяет проводить оптимизацию дозы в критических органах при проведении расчетов сеанса облучения. 2. Возможность проведения лечения в амбулаторных условиях. 3. Снижение количества поздних лучевых осложнений. Отличительные признаки предлагаемого способа от известных аналогов 1. Наличие ночного перерыва...

Номер патента: 15496

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Федулов Владимир Николаевич

МПК: C23C 8/72

Метки: диффузионного, состав, обмазки, карбонитрирования

Текст:

...изделий. Решение задачи достигается тем, что в составе обмазки для диффузионного карбонитрирования стального изделия, включающем калий железистосинеродистый, окись кремния и натрий хлористый, дополнительно содержится кальций фтористый при следующем соотношении компонентов, мас.калий железистосинеродистый 45-55 окись кремния 35-45 натрий хлористый 4-6 кальций фтористый 4-6. Замена бентонита и шунгита фтористым кальцием и увеличение содержания...

Номер патента: 15482

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Копытков Владимир Васильевич, Охлопкова Наталья Петровна

МПК: C05F 11/02, C05F 17/00, C05F 3/00...

Метки: получения, основе, композиция, компоста, лиственной, коры

Текст:

...почве, а ниже оптимальной концентрации уменьшает выход стандартных сеянцев. Введение куриного помета выше оптимальной концентрации способствует снижению выхода стандартных сеянцев, а ниже оптимальной концентрации снижает содержание гумуса в почве. Дополнительное введение растительных полисахаридов в состав выше оптимальной концентрации снижает содержание гумуса в почве, а ниже оптимальной концентрации уменьшает выход стандартных сеянцев с...

Номер патента: 15342

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Мурашкевич Анна Николаевна, Горжанов Вадим Валерьевич, Жарский Иван Михайлович

МПК: D21H 17/68

Метки: бумаги, способ, получения, наполнителя, кремнеземсодержащего

Текст:

...выше допустимых значений. Поставленная задача достигается тем, что в способе получения кремне-земсодержащего наполнителя бумаги путем обработки кремнегеля - отхода производства фторида алюминия - известью готовят суспензию кремнегеля и негашеной извести в воде при соотношении кремнегеля, воды и негашеной извести 1(0,50,6)(0,050,09), суспензию выдерживают при постоянном перемешивании при температуре 20-70 С в течение 1-3 часов, а затем...

Номер патента: 15503

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Асташинский Валентин Миронович, Оковитый Василий Вячеславович, Оковитый Вячеслав Александрович, Пантелеенко Федор Иванович, Шевцов Александр Иванович

МПК: C23C 4/18, A61L 27/00

Метки: способ, нанесения, покрытий, плазменного, биокерамических

Текст:

...неоплавленных микрообъемов оплавление слоев по всей толщине покрытия отсутствие признаков разрушения обработанных слоев (развития трещин) формирование двухслойного покрытия в переходном слое ГА-2 с градиентным изменением (уменьшением) процентного содержания аморфной фазы от подслоя к наружному слою. Оптимизация по указанным критериям осуществлялась при варьировании дистанции(энергетического уровня) воздействий импульсами плазмы и...

Номер патента: 15329

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: C30B 29/22, C01G 29/00, C04B 35/26...

Метки: материал, основе, пьезоэлектрический, висмута, оксида

Текст:

...параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). На фиг. 2 представлены результаты измерения при комнатной температуре линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,860,140,103,отожженного при 250 С в течение 30 мин. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе феррита висмута при частичном замещении трехвалентных ионов висмута двухвалентными ионами кальция возникают...

Номер патента: 15481

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Голуб Наталья Васильевна, Ковальчук Татьяна Вячеславовна, Чернявская Анна Анатольевна, Юркштович Татьяна Лукинична, Логинова Наталья Васильевна, Костерова Раиса Ивановна, Полозов Генрих Иванович

МПК: A61K 31/28, A61K 9/06, A61K 31/192...

Метки: обладающий, антимикробным, препарат, действием, антигерпетическим

Текст:

...полного растворения полимера. 5,3 г ПВП растворяют в 25 г воды для инъекций. Полученные растворы сливают при перемешивании до получения однородной массы. 1 г комплексарастирают с частью мазевой основы в коллоидной мельнице до образования однородной массы и перемешивают с оставшейся частью основы. Мазь расфасовывают в темные флаконы, которые герметично закрывают резиновыми пробками и хранят при температуре 4 С. Пример 2. 2,0 г КМЦ при...

Номер патента: 15381

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Круль Леонид Петрович, Егорова Елена Леонидовна, Бутовская Галина Васильевна, Якимцова Людмила Борисовна, Матусевич Юрий Иванович, Матусевич Андрей Юрьевич

МПК: G03C 1/73

Метки: записи, полимерный, материал, голограмм, фазовых

Текст:

...сополимера с 9,10-фенантренхиноном при высушивании из раствора с полосой стеклоткани такого же размера с площадью склейки 100 мм 2. Перед испытанием стеклоткань для увеличения ее прочности дублируют с двух сторон скотчем до места склейки. Испытания проводят на разрывной машине по ГОСТ 14759-69. Таблица 1 Термические и адгезионные параметры полимеров, использующихся в качестве основы голографического материала усд,Полимер, С МПа Прототип...

Номер патента: 15391

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Томсон Алексей Эммануилович, Овчинникова Татьяна Феликсовна, Наумова Галина Васильевна, Лиштван Иван Иванович, Жмакова Надежда Анатольевна, Макарова Наталья Леонидовна

МПК: A01N 61/00

Метки: способ, получения, регулятора, роста, растений

Текст:

...целевой продукт (жидкая фаза) от твердого остатка. Выход препарата составляет 84,0 от ОМ исходного сырья при концентрации действующих веществ 8,8 . Пример 2. В реактор-автоклав, снабженный паровой рубашкой и мешалкой с электроприводом,загружают 1,1 кг предварительно измельченной лузги гречневой с влажностью 6,2 и 2 15391 1 2012.02.28 зольностью 1,3 , 2,1 л 10 -ного раствора гидроксида аммония, 0,3 л 33 -ного раствора пероксида...

Номер патента: 15443

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ГОРОДЕЦКИЙ Данила Андреевич, Супрун Валерий Павлович

МПК: G06F 7/38

Метки: сумматор, модулю, три, унитарных, кодов

Текст:

...-1. Вход сумматора равно нулю первого операнда соединен с первым и вторым входами второго элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два, третий и четвертый входы которого соединены с входом сумматора равно нулю второго операнда и с первым входом первого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два. Второй и третий входы первого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два соединены с входом сумматора равно двум первого операнда и с пятым входом второго элемента...

Номер патента: 15510

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сандомирский Сергей Григорьевич

МПК: G01R 33/12

Метки: стального, намагниченности, определения, способ, материала, остаточной, изделия

Текст:

...насыщения. Сплошные линии определяют достоверный диапазон возможного изменения Мг при известном значениисталей. На фиг. 2 изображена зависимость результатовизмерения остаточной намагниченностисталей от их коэрцитивной силы . Сплошные линии определяют достоверный диапазон возможного измененияпри известном значениисталей. На фиг. 3 справочные данные для зависимости магнитных параметров ,и цементированной стали 12 Х 2 Н 4 А от...

Номер патента: 15403

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Яшин Константин Дмитриевич, Савич Вадим Викторович, Пилиневич Леонид Петрович, Тарайкович Александр Михайлович

МПК: B01D 71/36, B01D 71/02

Метки: фильтрующего, сепарации, жидкостей, материала, получения, способ, газов

Текст:

...жидкостей и газов путем нанесения на поверхность частиц, образующих поровое пространство, пористой подложки мембранного слоя, состоящего из наночастиц оксида титана и наночастиц фторопласта с размерами 15-60 нм, и последующей термообработки. В способе получения фильтрующего материала для сепарации жидкостей и газов технический результат достигается за счет получения на поверхности пористой заготовки пористого слоя путем нанесения на...

Номер патента: 15372

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Попова Татьяна Яковлевна

МПК: B44D 2/00

Метки: изображения, художественного, способ, нанесения

Текст:

...пескоструйной обработки поверхности изделия и последующих стадий промывки и сушки изделия. Для создания художественного изображения на поверхности стеклянного изделия на подготовительном этапе осуществляют выбор рисунка и его цветовое решение, разраба 2 15372 1 2012.02.28 тывают эскиз и при необходимости изготавливают трафарет в соответствии с поставленной задачей, подготавливают необходимые инструменты и материалы, добавляют в краски...

Номер патента: 15563

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ЕРОШЕВСКАЯ Людмила Анатольевна, Шахбазов Антон Валерьевич, Зинченко Анатолий Иванович, Картель Николай Александрович, Квач Сергей Вячеславович

МПК: C12N 15/54, C12N 1/21

Метки: продуцирующий, штамм, escherichia, бактерий, уридинфосфорилазу, coli

Текст:

...слабо выпуклые, легко сливающиеся. Цвет колоний желтый. Поверхность блестящая, рельеф однородный. Края колоний слегка волнистые. Культуральные признаки и физиолого-биохимические свойства Растет на простых питательных средах, содержащих канамицин в количестве 25-100 мкг/мл. 15563 1 2012.02.28 Диапазон температуры роста бактерий - 8-40 С с оптимумом - 37 С. -оптимум роста находится в зоне 7,2-7,4. Факультативный анаэроб. Клетки 17 могут в...

Номер патента: 15495

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ГОРОДЕЦКИЙ Данила Андреевич, Супрун Валерий Павлович

МПК: G06F 7/38

Метки: кодов, вычислительное, устройство, унитарных, три, модулю

Текст:

...Вход устройства равно двум первого операнда соединен с третьим и четвертым входами элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом три, пятый и шестой входы которого соединены со входом устройства равно двум второго операнда. Вход устройства равно нулю третьего операнда соединен со вторым и третьим входами второго элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два и со вторым входом третьего элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два. Вход устройства равно единице...

Номер патента: 15524

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Кураев Александр Александрович, Рудницкий Антон Сергеевич, Синицын Анатолий Константинович

МПК: H01J 25/34

Метки: лампа, бегущей, волны

Текст:

...проницаемости и параметра поперечного сечения неоднородных диэлектрических опор. Электронно-оптическая система 1 формирует электронный поток. Однородные диэлектрические опоры 5 расположены между спиралью входной секции замедляющей системы 4 и экраном 14 неоднородные диэлектрические опоры 8 расположены между спиралью выходной секции замедляющей системы 7 и экраном 14. Входной 2 и выходной 10 волноводы согласованы с антеннами 3 и 11...

Номер патента: 15446

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Ярмолович Вячеслав Алексеевич

МПК: G01R 19/00, G01R 15/20

Метки: клещи, токовые, измерительные

Текст:

...обеспечивают возможность многократного увеличения экранирования электромагнитных полей практически без наращивания массы экрана, что является кардинальным решением поставленной задачи или сверхэффектом. Поэтому указанные отличительные признаки являются существенными и находятся в прямой причинно-следственной связи с достигаемым техническим результатом. Из уровня техники не выявлено технических решений, отличительные признаки которых в...

Номер патента: 15387

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Грибковская Евгения Михайловна, Томашевич Светлана Евгеньевна, Кондратова Ирина Ивановна, Гершончик Ксения Николаевна, Шевчук Алла Адольфовна

МПК: A23G 3/48

Метки: начинкой, витаминизированной, карамели, ингредиентов, получения, композиция

Текст:

...100 г карамели с начинкой по продукта карамели с начинпримеру кой по примеру 1 2 3 1 2 3 7,22 Изобретение реализуется следующим образом. Подготовка компонентов включает следующие операции. Сахар-песок просеивают через сито с ячейками размером не более 3 мм, пропускают через магнитоуловители. Патоку подогревают до 40-45 С для снижения вязкости и фильтруют через сито с диаметром отверстий не более 3,0 мм. Яблочное пюре десульфитируют и при...

Номер патента: 15457

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Симончик Леонид Васильевич, Усаченок Максим Сергеевич, Архипенко Валерий Иванович

МПК: H01P 1/00

Метки: полосовым, способ, реализации, управления, волноводным, фильтром, устройство

Текст:

...ламп от 0 до 100 мА. Концентрация электронов в плазменных столбах порядка 1013 см-3, что более чем на порядок величины превышает критическую концентрацию электронов для СВЧ-излучения 10-сантиметрового диапазона длин волн. При изменении тока разряда изменяют концентрацию электронов в плазменном столбе, что приводит к изменению пропускания полосового волноводного фильтра от 0 до 20-30 дБ. Способ управления волноводным полосовым...

Номер патента: 15477

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шарко Елена Евгеньевна, Шалькевич Леонид Валентинович

МПК: A61B 5/0476

Метки: диагностики, ребенка, способ, эпилепсией, гидроцефалии

Текст:

...в том, что с интервалом в три месяца проводят компьютерную электроэнцефалографию и определяют отношение индекса тета-1 ритма к индексу альфа-2 ритма, а гидроцефалию диагностируют при увеличении отношения индексов через три месяца более чем в 1,5 раза. 15477 1 2012.02.28 Пример 1. Больной М 3 года. Диагноз Эпилептический синдром с наличием полиморфных припадков. Жалобы на приступы тонико-клонических судорог, больше в левых...

Номер патента: 15311

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Рогачев Александр Александрович, Рогачев Александр Владимирович, Ярмоленко Максим Анатольевич, Горбачев Дмитрий Леонидович

МПК: C08G 73/00, C23C 14/12, C23C 14/30...

Метки: способ, полианилинового, электропроводящего, электронно-лучевого, покрытия, формирования

Текст:

...эмеральдина. Одновременно с процессами окисления протекают процессы полимеризации фрагментов эмеральдина как в газовой фазе, так и на подложках, внесенных в активную газовую фазу, на которых продукты диспергирования конденсируют. Формируемые покрытия представляют окисленную форму полианилина. Специалисту в данной области техники известно, что выбор кислоты определяет область наиболее интенсивного взаимодействия продуктов...

Номер патента: 15548

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Жолобов Александр Алексеевич, Логвин Владимир Александрович, Логвина Екатерина Владимировна

МПК: C23C 14/38, C23C 8/00

Метки: способ, изделия, упрочнения

Текст:

...действием катодного падения потенциала энергия ионов, исходящих из анода и образующихся в межкатодном пространстве, увеличивается. Подвергая изделие воздействию высокочастотного постоянного тока, в процессе обработки можно значительно повысить энергетический потенциал атомов кристаллической решетки материала упрочняемого изделия, тем самым создать условия для проведения структурных изменений в приповерхностных слоях материала упрочняемого...

Номер патента: 15569

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Логвина Екатерина Владимировна, Жолобов Александр Алексеевич, Логвин Владимир Александрович

МПК: C23C 8/00, C23C 14/38

Метки: упрочнения, способ, изделий

Текст:

...из циркония, титана, ниобия, хрома и тантала, а упрочняемые изделия - из твердого сплава и стали, в вакуумную камеру осуществляют напуск азота и углеродсодержащих газов, используют анод, выполненный из вольфрама. Между анодом и катодом размещают дополнительно упрочняемые изделия из сверхтвердых материалов. Используют анод, выполненный из титана со вставками по периметру из вольфрама. Используют анод, выполненный сборным из титана,...

Номер патента: 15310

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Левицкий Иван Адамович, Дяденко Михаил Васильевич

МПК: G02B 6/04, C03C 13/04

Метки: волоконно-оптический, элемент

Текст:

...влажности 3-5 с целью предотвращения пыления, после чего смесь тщательно перемешивают. Стекла для сердцевины варят в электрической печи в платиновом тигле при температуре 125010 С и вырабатывают способами свободного формования. Стекла для оболочек варят в газовой печи в корундизовых тиглях при температуре 160020 С для прозрачной и 148020 С для окрашенной оболочки и вырабатывают способами свободного формования (стекломассу отливают в формы...

Номер патента: 15415

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Яхновец Жанна Александровна, Скиба Сергей Леонович, Ветров Владимир Степанович, Чернявская Лилия Александровна, Ступак Олег Олегович

МПК: A23K 1/14, A23K 1/18, A23K 1/10...

Метки: гранулированного, кошек, ингредиентов, получения, корма, сухого, варианты, композиция

Текст:

...компонентов, обеспечивает композицию необходимой пищевой и биологической ценностью. Композиция ингредиентов для получения корма сухого гранулированного для кошек по варианту содержит зерносмесь, отходы переработки мяса, птицу и птичьи субпродукты, кровяную муку, сухое обезжиренное молоко, мясокостную муку, рыбную муку, овощи сухие измельченные, зелень сухую измельченную, дрожжи пивные или хлебопекарные,масло растительное, премикс для...

Номер патента: 15442

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ГОРОДЕЦКИЙ Данила Андреевич, Супрун Валерий Павлович

МПК: G06F 7/38

Метки: кодов, унитарных, сумматор, три, модулю

Текст:

...нулю первого операнда. Вход сумматора равно единице первого операнда соединен с первым входом четвертого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два и со вторым и третьим входами пятого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два. Вход сумматора равно двум первого операнда соединен со вторым и третьим входами четвертого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом два. Вход сумматора равно нулю второго операнда соединен с четвертым и пятым входами четвертого и...

Номер патента: 15402

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Емельянович Игорь Вячеславович, Дудецкая Лариса Романовна

МПК: C22C 38/44

Метки: сталь

Текст:

...обрабатываемости деталей из стали, легированной молибденом. Титан по своему влиянию на структуру и свойства стали дополняет ниобий, позволяя не увеличивать его содержание выше 0,04 мас. . Преимуществом титана является достижение необходимого положительного влияния на размеры зерна, формирующегося в стали при термической и химико-термической обработке, при малых концентрациях. При содержании титана менее 0,004 мас.эффект измельчения структуры...

Номер патента: 15476

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: ориентации, формирования, полупроводниковых, покрытия, 001, кремниевых, функционального, пластин, способ

Текст:

...в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими 5 15476 1 2012.02.28 дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон в нитриде кремния (или островков диоксида кремния, что то же самое) можно рассматривать как...

Номер патента: 15475

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: функционального, ориентации, покрытия, 001, пластин, кремниевых, формирования, полупроводниковых, способ

Текст:

...и 2) с размером сторонына 9 равных частей квадратной формы и замена центральной части на контрастную по отношению к данному элементу приводят к возникновению нового элемента (34 в случае выбора в качестве первичного элемента 2 и, соответственно, 2 в случае выбора 34) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение но 5 15475 1 2012.02.28...

Номер патента: 15474

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: 001, полупроводниковых, ориентации, кремниевых, пластин, функциональное, покрытие

Текст:

...равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно...

Номер патента: 15473

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: 001, полупроводниковых, покрытие, пластин, ориентации, функциональное, кремниевых

Текст:

...второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: 15472

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: структур, ориентации, 001, способ, кремниевых, изготовления, эпитаксиальных

Текст:

...пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена...

Номер патента: 15465

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: структура, эпитаксиальная, кремниевая, ориентации, 001

Текст:

...структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что при...

Номер патента: 15471

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: ориентации, кремниевых, эпитаксиальных, 001, способ, изготовления, структур

Текст:

...дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. 15471 1 2012.02.28 С каждым новым этапом формирования элементов возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо...

Номер патента: 15463

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: кремниевых, функциональное, 001, полупроводниковых, покрытие, пластин, ориентации

Текст:

...на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов покрытия возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер рисунка в слое 34 обеспечивает...

Номер патента: 15470

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: покрытие, функциональное, кремниевых, 001, ориентации, пластин, полупроводниковых

Текст:

...разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена центральной части на дополнительный диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, пластин, полупроводниковых, 001, изготовления, кремния, способ

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15536

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Пчелина Татьяна Вячеславовна, Пчелин Вячеслав Николаевич, Морилова Наталья Леонидовна, Драган Вячеслав Игнатьевич

МПК: E04B 1/58

Метки: полых, соединения, пространственного, стержней, каркаса, узел

Текст:

...позволяет исключить из конструкции узла наружные втулки, силовые и стопорные гайки, что снижает материалоемкость узла. В процессе сборки узла вкручивание болтов в гайки полых стержней производится посредством вращения втулок до полной выборки зазоров (между головками болтов и внутренними шайбами, между наружными и внутренними шайбами и шаром, между втулками и гайками 2 15536 1 2012.02.28 стержней), при этом узлы со стержнями...

Номер патента: 15393

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Улащик Владимир Сергеевич, Нежута Алла Юрьевна, Мелик-Касумов Тигран Беглярович

МПК: A61N 5/067, A61N 2/08, A61N 1/06...

Метки: способ, лабораторной, давления, снижения, артериального, крысы

Текст:

...животным -й группы для сравнения вводили гипотензивный препарат(0,1 мл 25 -ного раствора магния сульфата). Контроль артериального давления у животных в динамике осуществляли манжеточным способом с помощью тонометра на хвостовой артерии. Результаты исследований, обработанные вариационно-статистическим методом,приведены в таблице. Дни эксперимента (число процедур) До воздействия 1-й 5-й 10-й Из полученных данных видно, что заявляемый способ...

Номер патента: 15494

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ГОРОДЕЦКИЙ Данила Андреевич, Супрун Валерий Павлович

МПК: G06F 7/38

Метки: пять, кодов, модулю, сумматор, унитарных

Текст:

...третьего элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом четыре, с четвертого по седьмой входами четвертого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом четыре и с третьим входом пятого элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом четыре. Вход сумматора равно двум первого операнда соединен со вторыми и третьими входами первого и второго элементов ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом четыре, с шестым и седьмым входами третьего элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ с порогом четыре, с восьмым и...