Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 10513

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Гайшун Владимир Евгеньевич, Мельниченко Игорь Михайлович, Тюленкова Ольга Ивановна, Косенок Янина Александровна

МПК: C09G 1/00

Метки: суспензий, добавка, шлифовки, абразивных, монокристаллического, основе, оксида, пластин, стабилизирующая, алюминия, кремния

Текст:

...и эксплутационных характеристик абразивной суспензии. Известен также состав, включающий в себя глицерин, дистиллированную воду, карбоксиполиметилен и триэтаноламин 3. Однако данный состав не обеспечивает необходимое качество шлифования пластин монокристаллического кремния, поскольку содержит до 25 глицерина. Заявляемое изобретение решает задачу получения высокоэффективной стабилизирующей добавки для абразивной суспензии на...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: кремния, стойкости, приборов, способ, радиационной, полупроводниковых, отбраковки, основе

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шкуратов Александр Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/365, C23C 16/24

Метки: слоев, способ, формирования, поликристаллического, кремния

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Лысюк Анатолий Александрович, Кукреш Анна Брониславовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/306, C09K 13/08

Метки: приготовления, раствора, кремния, травления, пленки, способ, диоксида

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: B28D 5/02, H01L 21/302, H01L 21/304...

Метки: резки, слитков, пластины, кремния, способ

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/304, H01L 21/02, H01L 21/302...

Метки: изготовления, полупроводниковых, способ, пластин, кремния

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 7978

Опубликовано: 30.04.2006

Автор: Манкевич Эдуард Александрович

МПК: F02C 7/00

Метки: котел, энерготехнологический, сжигания, контактный, кремния

Текст:

...выполнена в виде трехзвенного перфорированного и закрепленного в плоскости разъема верхнего и нижнего элементов блока, охватывающего диафрагму с направляющим аппаратом так, что каждое его звено расположено против соответствующего яруса направляющего аппарата, отделяет их друг от друга со стороны диафрагмы и сообщает через отверстия-форсунки с реакционной камерой, ведущий и ведомый диски рабочего органа выполнены симметрично друг другу, а...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/308

Метки: травитель, травления, ориентации, 100, кремния, анизотропного

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Номер патента: 5886

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Аугуст Альтенбухнер, Марио Хейнеманн, Херберт Бартель, Франц Херрманн

МПК: C09C 3/12, C09C 1/30, C01B 33/18...

Метки: кремния, двуокиси, гидрофобирования, неорганических, окисей, способ, преимущественно

Текст:

...неполярная или высоконеполярная. Получаемая предлагаемым способом кремневая кислота характеризуется тем, что она обеспечивает высокий эффект сгущения, в частности в полярных системах, таких как, например, водные растворы, например в смесях воды с низшими спиртами, такими как, например, метанол и этанол, изо-н-пропанол, в частности в смесях с водосодержанием более 50 вес. , в водных дисперсиях и эмульсиях, но также и в других полярных системах,...

Номер патента: 3251

Опубликовано: 30.03.2000

Авторы: Ханс Эрик Иоханссон, Бу Вальдемар Ларссон

МПК: C01B 33/141

Метки: способ, получения, кремния, диоксида, золь

Текст:

...0,51-2001, предпочтительно 21-1001. Предлагаемые в соответствии с изобретением золи диоксида кремния могут, естественно, использоваться в производстве бумаги в комбинации с обычно используемыми при получении бумаги химикатами такими, как гидрофобные добавки, агенты, повышающие прочность волокон в сухом или во влажном состоянии и т.п. Целесообразно, в частности, использовать предлагаемые золи и катионные полимеры в комбинации с соединениями...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, способ, изготовления, обкладки, кремния, поликристаллического

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...