H01L 21/302 — для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: изготовления, способ, эпитаксиальной, структуры, 001, кремниевой, ориентации

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: пластины, полупроводниковой, способ, кремниевой, ориентации, 111, изготовления

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 14912

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, эпитаксиальная, структура, 111, ориентации

Текст:

...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...

Номер патента: 14949

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, эпитаксиальная, 111, ориентации, кремниевая

Текст:

...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: эпитаксиальных, ориентации, 111, изготовления, кремниевых, структур, способ

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, пластины, изготовления, 001, кремниевой, полупроводниковой, способ

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Номер патента: U 6340

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, 001, эпитаксиальная, ориентации, кремниевая

Текст:

...типа 111, пересекающие рассматриваемые кристаллографические плоскости генерации дислокаций под углом 3516, не могут препятствовать прорастанию дислокаций на рабочую поверхность в связи с тем, что они наклонены к поверхности пластины, и энергия образования дислокаций в этих плоскостях выше, чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: B28D 5/02, H01L 21/304, H01L 21/302...

Метки: слитков, пластины, кремния, способ, резки

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/304, H01L 21/02, H01L 21/302...

Метки: пластин, способ, изготовления, кремния, полупроводниковых

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 7025

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Бордусов Сергей Валентинович, Достанко Анатолий Павлович, Варатницкий Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/302

Метки: устройство, материалов, обработки, плазменной

Текст:

...устройство содержит диэлектрическую разрядную камеру, выполненную в виде вертикально расположенного и герметично закрытого с обоих торцов полого кварцевого цилиндра с размещенными внутри верхним и нижним плоскопараллельными электродами, а магнитная система выполнена в виде двух соленоидов, расположенных друг над другом вокруг кварцевого цилиндра, обмотки которых расположены между ограничительными стальными дисками-магнитопроводами,...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...