Глухманчук Владимир Владимирович

Номер патента: 8992

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Шкуратов Александр Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C23C 16/455, H01L 21/316, C23C 16/40...

Метки: пленки, борофосфоросиликатного, способ, стекла, получения

Текст:

...откачке.Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено.Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Подача в реактор паров ТЭОС, ФСС и БСС после стабилизации их потоков продувкой паров, минуя реактор(сначала по сбросовь 1 м магистралям пары реагентов подаются на скруббер, производится стабилизация их потоков, а затем переключением соответствующих клапанов производится...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Кавунов Андрей Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/482, H01L 21/60...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Шкуратов Александр Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/365, C23C 16/24

Метки: поликристаллического, формирования, слоев, способ, кремния

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: полупроводникового, кристалла, кристаллодержателю, способ, присоединения, прибора, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Баранов Валентин Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Баранов Валентин Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...