Поклонский Николай Александрович
Способ получения тонкопленочной резисторной структуры
Номер патента: 14221
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Шпак Екатерина Петровна, Поклонский Николай Александрович, Горбачук Николай Иванович, Грицкевич Ростислав Николаевич
МПК: C23C 16/22, H01C 17/075
Метки: резисторной, способ, получения, структуры, тонкопленочной
Текст:
...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...
Дозиметр поглощенной дозы ионизирующего излучения
Номер патента: 3673
Опубликовано: 30.12.2000
Авторы: Гурин Валерий Степанович, Рахманов Сергей Кимович, Поклонский Николай Александрович, Горбачук Николай Иванович, Стельмах Вячеслав Фомич
МПК: G01T 1/02
Метки: дозы, ионизирующего, поглощенной, излучения, дозиметр
Текст:
...серебряными токопроводящими контактами 5, заключен в корпус 6 с изолирующей прокладкой 7 (фиг. 2). Предлагаемый дозиметр работает следующим образом. Для предотвращения не связанных с радиацией необратимых изменений рабочего материала датчика за счет электролиза, в измерительном устройстве используются соединенные параллельно генератор 1 и вольтметр 2 переменного тока. Вызванное облучением уменьшение электропроводности регистрируется...