H01C 17/075 — с использованием тонкопленочной технологии

Номер патента: 14221

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Грицкевич Ростислав Николаевич, Горбачук Николай Иванович, Шпак Екатерина Петровна, Поклонский Николай Александрович

МПК: C23C 16/22, H01C 17/075

Метки: получения, резисторной, структуры, способ, тонкопленочной

Текст:

...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...

Номер патента: 12084

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Васильев Игорь Иванович, Ермолаева Елена Михайловна, Жданок Сергей Александрович, Гринчик Николай Николаевич

МПК: H01C 17/075, H01B 1/04, H01C 7/10...

Метки: материал, резистивный

Текст:

...и диэлектрический наполнитель. В качестве токопроводящей фазы он содержит карбид бора. Диэлектрический наполнитель содержит, по крайней мере, один компонент из группы , , 23 (или ), 2 (или МО), 23 (или СоО), 23, 23, 23,25, 227 (или 227, или 427. Связующие - неорганические (фосфатные цементы) и органические (эпоксидные клеи) в количестве 10-30 мас. . Начальное удельное электрическое сопротивление и коэффициент нелинейности вольтамперной...