Шпак Екатерина Петровна
Способ получения тонкопленочной резисторной структуры
Номер патента: 14221
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Шпак Екатерина Петровна, Поклонский Николай Александрович, Горбачук Николай Иванович, Грицкевич Ростислав Николаевич
МПК: C23C 16/22, H01C 17/075
Метки: способ, получения, тонкопленочной, структуры, резисторной
Текст:
...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...
Форма для литья изделий из пластмасс и способ ее изготовления
Номер патента: 9794
Опубликовано: 30.10.2007
Авторы: Логуновская Нина Валентиновна, Чекан Николай Михайлович, Свирин Василий Тимофеевич, Акула Игорь Петрович, Шпак Екатерина Петровна
МПК: C23C 14/06, B29C 33/56
Метки: пластмасс, изготовления, литья, изделий, форма, способ
Текст:
...2007.10.30 На рис. 2 представлен фрагмент литейной формы с упрочняющим химически стойким покрытием. На рис. 3 представлена схема источника плазмы импульсного катодно-дугового разряда. Тетраэдрический аморфный углерод относится к классу безводородных алмазоподобных материалов с высоким содержанием 3-гибридизированных связей углерода (порядка 85 ), характеризующийся высокой твердостью, близкой к твердости природного алмаза. Такой углеродный...