H01J 1/308 — полупроводниковые катоды, например катоды с PN-переходными слоями
Катодный узел электроннолучевой трубки
Номер патента: 6595
Опубликовано: 30.12.2004
Авторы: Горожданов Александр Джонович, Предко Юрий Иванович, Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич, Урбанович Александр Анатольевич
МПК: H01J 1/308
Метки: узел, катодный, трубки, электроннолучевой
Текст:
...высокой подвижностью основных носителей - электронов. Им являются теллуриды и селениды цинка и кадмия, арсенид алюминия, антимонид алюминия, фосфид индия. Толщина эмиттерной области 2 и базовой области 1 выбираются стандартными для получения максимального коэффициента передачи инжектированных электронов от эмиттера 2 к коллектору 3. Обычно толщина области эмиттера составляет 0,51 мкм, а толщина области базы(0,50,8), где- диффузионная длина...
Катодный узел ЭЛТ
Номер патента: 4545
Опубликовано: 30.06.2002
Авторы: Урбанович Александр Анатольевич, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович
МПК: H01J 1/308
Текст:
...электроны из канала 1 в -слой 5 в горячие, т.е. изотипный гетеропереход является источником горячих электронов. Как показали результаты эксперимента, для более эффективного диффузионного перемещения горячих электронов из канала 1 черезслой 5 в активированный слой 7 с низкой работой выхода этот слой 5 неравномерно легирован, например, по параболическому закону с максимальным обеднением основных носителей со стороны канала 1. Для...