Патенты с меткой «ориентации»

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 111, кремниевой, структуры, способ, эпитаксиальной, изготовления, ориентации

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15260

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, полупроводниковая, ориентации, пластина, кремниевая

Текст:

...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...

Номер патента: 15305

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, ориентации, 111, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, эпитаксиальной, структуры, изготовления, 111, способ, кремниевой

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевой, эпитаксиальной, 001, ориентации, способ, изготовления, структуры

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: изготовления, кремниевой, пластины, способ, ориентации, 111, полупроводниковой

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 14912

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, структура, кремниевая, эпитаксиальная, 111

Текст:

...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...

Номер патента: 14949

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, кремниевая, эпитаксиальная, ориентации, 111

Текст:

...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, эпитаксиальных, структур, способ, изготовления, 111, кремниевых

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевой, изготовления, полупроводниковой, способ, 001, ориентации, пластины

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Номер патента: 14753

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Муравский Александр Анатольевич, Могильный Владимир Васильевич, Станкевич Александр Ильич, Муравский Анатолий Александрович

МПК: G02F 1/1337

Метки: ориентации, способ, ориентирующей, жидкого, текстурированной, многодоменной, кристалла, формирования, поверхности

Текст:

...В частности, для формирования двух различных направлений ориентации жидкого кристалла достаточно только одной фотомаски, а дополнительная операция по совмещению фотомасок не требуется. Сущность изобретения состоит в создании на поверхности ориентирующей подложки полимерного рисунка (рисунков), элементы которого ориентируют ЖК в выбранном произвольном направлении с азимутальной энергией сцепления более 10-4 Дж/м 2. Рисунок создается...

Номер патента: U 6683

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: структура, ориентации, 001, кремниевая, эпитаксиальная

Текст:

...дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй, уровень кристаллографических дефектов(дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей элементов рисунка по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и оставление центральной части...

Номер патента: U 6682

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, полупроводниковых, покрытие, 001, пластин, функциональное, ориентации

Текст:

...рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых...

Номер патента: U 6681

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: функциональное, кремниевых, 001, полупроводниковых, покрытие, ориентации, пластин

Текст:

...плоскостей скольжения, генерируемых вновь образован 5 66812010.10.30 ным элементом (окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных окон приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами...

Номер патента: U 6680

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластин, 001, кремниевых, ориентации, покрытие, функциональное

Текст:

...сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры вновь образованных элементов в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольже 5 66802010.10.30 ния, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких...

Номер патента: U 6679

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: функциональное, пластин, 001, кремниевых, ориентации, покрытие, полупроводниковых

Текст:

...элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генериру 5 66792010.10.30 емых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: U 6678

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, кремниевая, структура, ориентации, 001

Текст:

...элементов), глубина проник 5 66782010.10.30 новения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый,...

Номер патента: U 6677

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, полупроводниковая, 001, пластина, кремниевая

Текст:

...образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон можно рассматривать как новый, второй уровень элементов, который приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникнове 5 66772010.10.30 ния, определяемой размерами соответствующих им...

Номер патента: U 6676

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластина, кремниевая, 001, ориентации, полупроводниковая

Текст:

...к данному элементу приводит к возникновению нового элемента (окна в случае выбора в качестве первичного элемента островка и, соответственно, островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй, уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные...

Номер патента: U 6675

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластина, кремниевая, ориентации, полупроводниковая, 001

Текст:

...При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ 34-2. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается....

Номер патента: U 6674

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая, ориентации, 001

Текст:

...новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры окна в 3 раза меньше размеров островка, глубина проникновения генерируемых им дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом(окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь...

Номер патента: U 6405

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, 111, ориентации, структура, эпитаксиальная

Текст:

...дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется фрактальная структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности...

Номер патента: U 6404

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: структура, ориентации, 111, эпитаксиальная, кремниевая

Текст:

...результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом рисунка. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь...

Номер патента: U 6346

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, 111, полупроводниковых, функциональное, кремниевых, покрытие, пластин

Текст:

...Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии....

Номер патента: U 6345

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых, покрытие, 111, функциональное, ориентации

Текст:

...элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание разнотипных элементов-окон и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера,...

Номер патента: U 6344

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, функциональное, полупроводниковых, 111, покрытие, кремниевых, пластин

Текст:

...только элементы нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов обоих материалов - нитрида и диоксида кремния - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры,...

Номер патента: U 6343

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковая, ориентации, пластина, 111, кремниевая

Текст:

...меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого...

Номер патента: U 6342

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, ориентации, функциональное, полупроводниковых, 111, кремниевых, покрытие

Текст:

...в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на 5 63422010.06.30 одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать так же, как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния....

Номер патента: U 6339

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: пластина, кремниевая, ориентации, 111, полупроводниковая

Текст:

...на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов - окон и островков приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере...

Номер патента: U 6338

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, полупроводниковая, ориентации, пластина, кремниевая

Текст:

...состоит только из элементов минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным...

Номер патента: U 6337

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: пластина, ориентации, кремниевая, полупроводниковая, 111

Текст:

...тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать так же,как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого 5 63372010.06.30 тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит...

Номер патента: U 6341

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, ориентации, 111, кремниевая, структура

Текст:

...Наличие контролируемых нарушений на обратной стороне пластины в одном из направлений 1 1 0 , 1 0 1 или 0 1 1 позволяет сформировать сетку дислокаций в строго определенных кристаллографических плоскостях, а именно в плоскостях (1 1 0) и (1 1 1) ,(1 0 1) и (1 1 1) или (0 1 1) и (1 1 1) попарно, соответственно выбранному кристаллографическому направлению. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее...

Номер патента: U 6340

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, эпитаксиальная, кремниевая, 001, ориентации

Текст:

...типа 111, пересекающие рассматриваемые кристаллографические плоскости генерации дислокаций под углом 3516, не могут препятствовать прорастанию дислокаций на рабочую поверхность в связи с тем, что они наклонены к поверхности пластины, и энергия образования дислокаций в этих плоскостях выше, чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом...

Номер патента: U 6166

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковая, ориентации, кремниевая, 111, пластина

Текст:

...моменты перпендикулярны линиям нарушений. Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных...

Номер патента: U 6148

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая, 001, ориентации

Текст:

...процесса генерации дислокаций в плоскостях (101), (1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ), которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических нарушений изгибающие моменты перпендикулярны линиям нарушений. Плоскости (101) и ( 1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ) попарно перпендикулярны друг другу,поэтому генерируемые в...

Номер патента: 12912

Опубликовано: 28.02.2010

Автор: Меркулов Владимир Сергеевич

МПК: G01N 21/21

Метки: преломления, обыкновенного, оси, лучей, показателей, определения, оптической, необыкновенного, одноосного, кристалла, способ, ориентации

Текст:

...очень пологий минимум на фоне очень малого максимального значения интенсивности. Поэтому в современной эллипсометрии предпочтительно отыскивать минимум интенсивности путем вращения анализатора (или поляризатора) при фиксированном угле падения и ориентации кристалла. Задачей настоящего изобретения является повышение точности измерений показателей преломления ,полярного и азимутального углов ориентации оптической оси. Поставленная задача...

Номер патента: U 6044

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Родионов Вячеслав Иванович, Чайка Валерий Павлович, Серебренников Антон Валерьевич, Пысенков Виктор Геннадьевич, Демяненко Николай Александрович

МПК: E21B 7/00

Метки: трубы, ориентации, боковой, устройство, ствол, гибкой, скважины

Текст:

...перемещение подпружиненной втулки при воздействии на него гибкой трубой, может включать в себя кулачки, выполненные в виде двуплечих рычагов, расположенных на осях, закрепленных в сквозных окнах, выполненных в стенке подпружиненной втулки,при этом одни плечи размещены в полости подвижной втулки с перекрытием ее до размера меньшего, чем диаметр гибкой трубы, а вторые плечи, с возможностью перемещения без поворота вокруг оси,...

Номер патента: 10233

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Козубов Иван Александрович, Лапука Олег Георгиевич, Пащенко Константин Константинович

МПК: G01R 29/08

Метки: электромагнитной, вектора, устройство, определения, линейной, ориентации, поляризации, волны

Текст:

...частотного диапазона измерений с отсутствием процедуры калибровки. Технический результат достигается тем, что в заявляемом устройстве, содержащем последовательно соединенные приемную часть, включающую две линейно поляризованные антенны, осуществляющие поляризационно-ортогональный прием детекторную секцию, содержащую амплитудный детектор индикатор, причем антенны выполнены с апертурами, лежащими в одной плоскости, выходы антенн соединены с...

Номер патента: 10238

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Лапука Олег Георгиевич, Козубов Иван Александрович, Пащенко Константин Константинович

МПК: G01R 29/08

Метки: определения, линейной, способ, электромагнитной, волны, ориентации, поляризации, вектора

Текст:

...за счет последовательной обработки поляризационных компонент единым физическим трактом. Техническим результатом заявляемого изобретения является расширение диапазонаоднозначных измерений в 2 раза, сокращение времени алгоритмической обра 4 4 ботки более чем в 2 раза, в выражении для расчета угла ориентации вектора поляризации линейно поляризованной электромагнитной волны не используются тригонометрические функции, исключение...

Номер патента: 10232

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Лапука Олег Георгиевич, Козубов Иван Александрович, Пащенко Константин Константинович

МПК: G01R 29/08

Метки: ориентации, линейной, определения, вектора, волны, поляризации, устройство, электромагнитной

Текст:

...На фиг. 3 представлен алгоритм подпрограммы вычисления сигнала рассогласования и периода следования шагов двигателя. На фиг. 4 представлена нелинейная дискриминационная характеристика заявляемого устройства. На фиг. 5 представлен алгоритм подпрограммы управления исполнительным устройством и вычисления углового положения антенной системы. Предлагаемое устройство содержит (фиг. 1) приемную часть 1, причем приемная часть представляет...